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公开(公告)号：KR1020170003147A
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020150093420
申请日：2015-06-30
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 박진형
IPC: C09K3/14 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/51 , C01P2004/64 , C09K3/1409 , C09K3/1454 , C09K3/1463
Abstract: 본발명은연마입자, 연마슬러리및 연마입자의제조방법에관한것이다. 본발명실시형태에따른연마입자의제조방법은, 제1 전구체및 제1 전구체와상이한제2 전구체가혼합된전구체용액을마련하는과정, 염기성용액을마련하는과정, 염기성용액과전구체용액을혼합하고침전물을생성하는과정, 및침전으로합성된연마입자를세정하는과정을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及磨料颗粒，抛光浆料和磨料颗粒的制造方法。 根据本公开的示例性实施方案的磨料颗粒的制造方法包括制备前体溶液，其中第一前体与不同于第一前体的第二前体混合，制备碱性溶液，将碱性溶液与 前体溶液和沉淀物，并洗涤通过沉淀合成的磨料颗粒。
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公开(公告)号：KR101257336B1
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020120038419
申请日：2012-04-13
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C23F1/14 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: PURPOSE: Slurry for polishing tungsten is provided to improve polishing selection ratio of a tungsten and insulative film by using titanium oxide as an abrasive. CONSTITUTION: Slurry for polishing tungsten comprises an abrasive(300) for polishing tungsten; and an oxidation accelerator for accelerating the formation of oxide. The abrasive comprises a titanium dioxide particle. A polishing method of a substrate comprises a step of arranging a substrate(100) on which a tungsten layer(120) is formed; a step of arranging a primary slurry including a titanium oxide and oxidation accelerator; and a step of polishing the tungsten layer while supplying a primary slurry on a substrate. On the upper surface of the tungsten layer, a tungsten oxide layer is formed.
Abstract translation: 目的：提供用于抛光钨的浆料，以通过使用氧化钛作为研磨剂来改善钨和绝缘膜的抛光选择比。 构成：用于抛光钨的浆料包括用于抛光钨的磨料（300） 和用于加速氧化物形成的氧化促进剂。 研磨剂包含二氧化钛颗粒。 衬底的抛光方法包括布置其上形成有钨层（120）的衬底（100）的步骤; 布置包括氧化钛和氧化促进剂的一次浆料的步骤; 以及在基板上供给一次浆料的同时研磨钨层的步骤。 在钨层的上表面上形成氧化钨层。
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公开(公告)号：KR101773543B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020150093420
申请日：2015-06-30
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 박진형
IPC: C09K3/14 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/51 , C01P2004/64 , C09K3/1409 , C09K3/1454 , C09K3/1463
Abstract: 본발명은연마입자, 연마슬러리및 연마입자의제조방법에관한것이다. 본발명실시형태에따른연마입자의제조방법은, 제1 전구체및 제1 전구체와상이한제2 전구체가혼합된전구체용액을마련하는과정, 염기성용액을마련하는과정, 염기성용액과전구체용액을혼합하고침전물을생성하는과정, 및침전으로합성된연마입자를세정하는과정을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及磨粒，抛光浆料和用于制造磨粒的方法。 根据本发明实施例中，第一前体和第二前体从所述第二混合处理不同，碱性溶液和用于该方法的前体溶液，提供一个基本的解决方案，前体中的磨料颗粒的制造方法，提供了一种混合前体溶液 产生沉淀物的方法，以及清洗由沉淀合成的磨粒的方法。
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公开(公告)号：KR1020170059529A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150163383
申请日：2015-11-20
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 유비머트리얼즈주식회사
IPC: C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L29/786
CPC classification number: C09G1/02 , B81C2201/0104 , C09K3/1409 , G02F1/1368 , G02F2202/104 , H01L21/3212 , H01L27/1222 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L29/78675
Abstract: 개시된연마슬러리는연마입자, 음이온계고분자, 하이드록실산및 아미노산으로이루어진그룹에서적어도하나를포함하는분산제, 카르복시기를갖는유기산을포함하는안정제, 소수성기와친수성기를갖는친수처리제, 및여분의물을포함한다. 상기연마입자의함량은 0.1중량% 내지 10 중량%이고, 상기연마입자와상기분산제의중량비는 1:0.01 내지 1:0.2이고, 상기연마입자와상기안정제의중량비는 1:0.001 내지 1:0.1이고, 상기연마입자와상기친수처리제의중량비는 1:0.01 내지 1:3이다.
Abstract translation: 所公开的磨料浆包括磨料颗粒，一种阴离子聚合物，羟基酸，以及选自氨基酸分散剂含有至少一种稳定剂的组包括具有羧基的有机磺酸，具有疏水基团和亲水基团，和过量的水亲水处理剂 的。 这些磨料颗粒的量是从0.1％至10％（重量），所述磨料颗粒的重量比和分散剂为1：0.01至1：0.2，和磨料颗粒的重量比和稳定剂为1：0.001至1：0.1，并且 并且磨粒与亲水处理剂的重量比为1：0.01至1：3。
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公开(公告)号：KR101733164B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150135380
申请日：2015-09-24
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 박진형
IPC: C09K3/14 , H01L21/306 , B24B37/02
Abstract: 본발명은슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른슬러리는텅스텐연마용슬러리로서, 연마를수행하는연마제; 상기연마제를분산시키는분산제; 및상기텅스텐표면을산화시키는산화제;를포함하고, 상기연마제는 1차입자의평균크기가 60nm 미만인제1 연마입자와, 상기제1 연마입자보다큰 제2 연마입자를포함한다. 이러한슬러리는텅스텐층에대한높은연마율을가질뿐만아니라, 텅스텐층하부의소자구조와관계없이균일한연마를수행할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170037693A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150135380
申请日：2015-09-24
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 박진형
IPC: C09K3/14 , H01L21/306 , B24B37/02
Abstract: 본발명은슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른슬러리는텅스텐연마용슬러리로서, 연마를수행하는연마제; 상기연마제를분산시키는분산제; 및상기텅스텐표면을산화시키는산화제;를포함하고, 상기연마제는 1차입자의평균크기가 60nm 미만인제1 연마입자와, 상기제1 연마입자보다큰 제2 연마입자를포함한다. 이러한슬러리는텅스텐층에대한높은연마율을가질뿐만아니라, 텅스텐층하부의소자구조와관계없이균일한연마를수행할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用该浆料的浆料和基底抛光方法。 根据本发明实施方式的浆料是用于钨抛光的浆料，其包含：用于进行抛光的研磨剂; 用于分散研磨剂的分散剂; 以及用于氧化钨表面的氧化剂，其中所述磨料包含平均初级粒径小于60nm的第一磨粒和比所述第一磨粒大的第二磨粒。 该浆料不仅对钨层具有高抛光速率，而且可以执行均匀抛光，而不管钨层下的元件结构如何。
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公开(公告)号：KR1020160112713A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150038930
申请日：2015-03-20
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 박진형
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/28079 , H01L21/3212
Abstract: 본발명은코발트연마용슬러리및 기판연마방법에관한것이다. 본발명실시형태에따른슬러리는연마를수행하고산화지르코늄입자를포함하는연마제, 상기연마제를분산시키는분산제, 및연마를촉진시키는연마촉진제;를포함하고, 상기연마촉진제는아민기와카르복실기를함유하는유기산을포함한다. 본발명실시형태의슬러리에따르면, 산화제를사용하지않고도, 코발트의연마율을증가시키고, 코발트표면의국소적부식결함을억제할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于抛光钴的浆料和用于抛光基材的方法。 根据本发明，浆料包括：抛光剂，其进行抛光工艺并含有氧化锆颗粒; 分散抛光剂的分散剂; 以及促进研磨过程的抛光促进剂，并且包括具有胺基和羧基的有机酸。 根据本发明的一个实施方案，可以增加钴的抛光速率而不使用氧化剂，并且还可以防止钴表面局部腐蚀的缺陷。
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公开(公告)号：KR101405334B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020130109872
申请日：2013-09-12
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 정승원
CPC classification number: C09G1/02 , C01F17/0043 , C01P2004/40 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/22 , C09K3/1409 , C09K3/1445 , C09K3/1463
Abstract: The present invention provides a method of manufacturing abrasive particles and polishing slurry whereby a plurality of sub-particles are formed on surfaces of base particles and the abrasive particles are mixed with an abrasion accelerating agent and a pH control agent. The method of manufacturing abrasive particles includes a base particle formation step and a sub-particle formation step. In the base particle formation step, a first precursor material solution and a diluted alkali solution are mixed and then heated to produce the base particles having polyhedral crystal planes. In the sub-particle formation step, a plurality of the sub-particles that extrude from the surfaces of the base particles to the outside are formed.
Abstract translation: 本发明提供一种制造磨粒和抛光浆料的方法，由此在基础颗粒的表面上形成多个亚颗粒，并将研磨颗粒与磨耗促进剂和pH控制剂混合。 制造磨料颗粒的方法包括基体颗粒形成步骤和亚颗粒形成步骤。 在基础颗粒形成步骤中，将第一前体材料溶液和稀释的碱溶液混合，然后加热以产生具有多面体晶面的基础颗粒。 在亚颗粒形成步骤中，形成从基体颗粒的表面向外侧挤出的多个亚微粒。
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公开(公告)号：KR101834418B1
公开(公告)日：2018-03-05
申请号：KR1020150139234
申请日：2015-10-02
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 박진형
IPC: C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 본발명은슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것으로서, 보다상세하게는반도체제조공정에서화학적기계적연마공정으로텅스텐의평탄화에이용될수 있는슬러리및 이를이용한기판연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른슬러리는텅스텐연마용슬러리로서, 연마를수행하는연마제; 텅스텐및 상기텅스텐과상이한물질사이의연마선택비를조절하는제1 선택비조절제; 및상기연마선택비를변화시키는제2 선택비조절제를포함한다. 또한, 슬러리는연마제를분산시키는분산제; 산화물을형성하는산화제; 및산화물형성을촉진하는촉매제를포함할수 있으며, 상기연마제의제타전위를조절하는전위조절제를더 포함할수도있다.
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公开(公告)号：KR1020170039971A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020150139235
申请日：2015-10-02
Applicant: 유비머트리얼즈주식회사
Inventor： 박진형
IPC: H01L21/461 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: 본발명은화합물연마방법에관한것으로서, 보다상세하게는각종소자의제조공정에서화학적기계적연마공정으로화합물을효율적으로연마할수 있는화합물연마방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른화합물연마방법은, 화합물을마련하는과정; 상기화합물을화합물보다경도가높은제1 연마입자를포함하는제1 슬러리를이용하여연마하는 1차연마과정; 1차연마된화합물표면을건식식각방식을이용하여식각하는식각과정; 및식각된화합물을상기화합물보다경도가낮은제2 연마입자를포함하는제2 슬러리를이용하여연마하는 2차연마과정을포함한다.
Abstract translation: 化合物研磨方法技术领域本发明涉及化合物研磨方法，特别涉及在各种装置的制造过程中能够通过化学机械研磨工序有效地研磨化合物的化合物研磨方法。 根据本发明实施方式的化合物抛光方法包括：制备化合物的步骤; 第一抛光步骤，使用包含硬度高于所述化合物的硬度的第一磨粒的第一浆料来抛光所述化合物; 蚀刻工艺，其中使用干蚀刻方法蚀刻初级抛光化合物的表面; 以及第二抛光步骤，使用包含硬度比所述化合物低的第二磨料颗粒的第二浆料来抛光蚀刻的化合物。
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