公开(公告)号：TW201220398A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：TW100130472

申请日：2011-08-25

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 洪國維 ,  清水亮 ,  難波邦年 ,  李禹鎮

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 一種在一具有圖案表面的基板上,形成一具有Si-N鍵的共形介電膜的方法,包含:導入一反應氣體於一反應空間;導入一矽前驅物進入反應空間,脈衝持續時間小於5秒;在矽前驅物的脈衝期間,施加一第一RF功率至該反應空間;在矽前驅物脈衝的間隔期間,施加一第二RF功率至該反應空間,其中在矽前驅物脈衝的間隔期間的第二RF功率的平均强度大於在矽前驅物的脈衝期間的第一RF功率的平均强度;以及重複該循環以形成具有Si-N鍵的共形介電膜,且在基板的圖案表面上具有所需厚度。

Abstract in simplified Chinese: 一种在一具有图案表面的基板上,形成一具有Si-N键的共形介电膜的方法,包含:导入一反应气体于一反应空间;导入一硅前驱物进入反应空间,脉冲持续时间小于5秒;在硅前驱物的脉冲期间,施加一第一RF功率至该反应空间;在硅前驱物脉冲的间隔期间,施加一第二RF功率至该反应空间,其中在硅前驱物脉冲的间隔期间的第二RF功率的平均强度大于在硅前驱物的脉冲期间的第一RF功率的平均强度;以及重复该循环以形成具有Si-N键的共形介电膜,且在基板的图案表面上具有所需厚度。

公开(公告)号：TW201310574A

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW101124745

申请日：2012-07-10

Applicant: ASM日本公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 荘司文孝 ,  SHOJI, FUMITAKA ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6875 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/5096

Abstract: 本發明揭示一種用於支撐一晶圓於其上的晶圓支撐裝置，其適於安裝在一半導體處理設備中，該晶圓支撐裝置包括：一基底表面；及突出物，其從該基底表面突出且具有用於支撐一晶圓於其上的圓頭尖端。該等圓頭尖端係致使一晶圓之一反面完全利用該等圓頭尖端以點接觸來支撐。該等突出物實質上均勻布置在該基底表面上放置一晶圓的區域上，其中在使用中決定之該等突出物的數目(N)及高度(H[μm])符合以下針對300-mm晶圓之每面積的不等式：(-0.5N+40)≦H≦53；5≦N≦100。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于支撑一晶圆于其上的晶圆支撑设备，其适于安装在一半导体处理设备中，该晶圆支撑设备包括：一基底表面；及突出物，其从该基底表面突出且具有用于支撑一晶圆于其上的圆头尖端。该等圆头尖端系致使一晶圆之一反面完全利用该等圆头尖端以点接触来支撑。该等突出物实质上均匀布置在该基底表面上放置一晶圆的区域上，其中在使用中决定之该等突出物的数目(N)及高度(H[μm])符合以下针对300-mm晶圆之每面积的不等式：(-0.5N+40)≦H≦53；5≦N≦100。