公开(公告)号：TWI434334B

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：TW097144749

申请日：2008-11-19

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 中野龍 ,  NAKANO, RYU ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: H01L21/30 ,  C23C16/513 ,  H05H1/26

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/505

公开(公告)号：TW200303932A

公开(公告)日：2003-09-16

申请号：TW092102509

申请日：2003-02-07

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K. K.

Inventor： 直人 NAOTO TSUJI ,  森幸博 ,  高橋聰 SATOSHI TAKAHASHI ,  松下清廣 KIYOHIRO MATSUSHITA ,  深澤篤毅 ATSUKI FUKAZAWA ,  麥克 圖德 MICHAEL TODD

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  Y10S438/91

Abstract: 一種形成具有高機械強度之含矽絕緣層之方法，包括步驟(a)導入一反應氣體到放置有一基底的一反應室中，其中該反應氣體包括(l)包括含有可交鍵官能基之含矽碳氫化物的氣體源，(ii)交鍵氣體，以及(iii)惰性氣體；(b)施加射頻電源以在該反應室內部產生電漿反應空間；以及(c)控制該反應氣體之流動以及該射頻電源之強度。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成具有高机械强度之含硅绝缘层之方法，包括步骤(a)导入一反应气体到放置有一基底的一反应室中，其中该反应气体包括(l)包括含有可交键官能基之含硅碳氢化物的气体源，(ii)交键气体，以及(iii)惰性气体；(b)施加射频电源以在该反应室内部产生等离子反应空间；以及(c)控制该反应气体之流动以及该射频电源之强度。

公开(公告)号：TWI570831B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW101124745

申请日：2012-07-10

Applicant: ASM日本公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 荘司文孝 ,  SHOJI, FUMITAKA ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6875 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/5096

公开(公告)号：TW587285B

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：TW090114929

申请日：2001-06-20

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K. K.

Inventor： 清水亮 ,  尾崎 文紀 FUMITOSHI OZAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種處理半導體基底的方法，包括以含有氟化氫或含有氟化氫與水之氣體來蝕刻一層含氟的二氧化矽層(SiOF)。此方法可以用來在半導體基底中形成中空結構之內層絕緣層。

Abstract in simplified Chinese: 一种处理半导体基底的方法，包括以含有氟化氢或含有氟化氢与水之气体来蚀刻一层含氟的二氧化硅层(SiOF)。此方法可以用来在半导体基底中形成中空结构之内层绝缘层。

公开(公告)号：TW200931508A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：TW097144749

申请日：2008-11-19

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K. K.

Inventor： 中野龍 NAKANO, RYU ,  福田秀明 FUKUDA, HIDEAKI

IPC: H01L ,  C23C ,  H05H

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/505

Abstract: 本發明是有關於一種用於電漿化學氣相沈積(CVD)的方法以及裝置。具體而言,具有清潔功能的電漿CVD裝置具有改進的簇射板,此改進的簇射板具有橫截面積均勻的孔,以獲得較高的清潔率。簇射板可用作電極,並且可具有連接到電源的電性導電延長線。相較於用以在沈積製程期間保證較好的膜厚均勻度之習知孔加工表面面積,流有清潔氣體及反應源氣體的簇射板可包括與習知的孔加工表面面積大小不同的孔加工表面面積。孔加工表面面積的大小可基於待處理的基板的大小或基於簇射板的全部表面的大小而改變。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是有关于一种用于等离子化学气相沉积(CVD)的方法以及设备。具体而言,具有清洁功能的等离子CVD设备具有改进的簇射板,此改进的簇射板具有横截面积均匀的孔,以获得较高的清洁率。簇射板可用作电极,并且可具有连接到电源的电性导电延长线。相较于用以在沉积制程期间保证较好的膜厚均匀度之习知孔加工表面面积,流有清洁气体及反应源气体的簇射板可包括与习知的孔加工表面面积大小不同的孔加工表面面积。孔加工表面面积的大小可基于待处理的基板的大小或基于簇射板的全部表面的大小而改变。

公开(公告)号：TWI523103B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW100130472

申请日：2011-08-25

Applicant: ASM日本公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 洪國維 ,  HONG, KUO WEI ,  清水亮 ,  SHIMIZU, AKIRA ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI ,  李禹鎮 ,  LEE, WOO-JIN

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TW201310574A

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW101124745

申请日：2012-07-10

Applicant: ASM日本公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 荘司文孝 ,  SHOJI, FUMITAKA ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6875 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/5096

Abstract: 本發明揭示一種用於支撐一晶圓於其上的晶圓支撐裝置，其適於安裝在一半導體處理設備中，該晶圓支撐裝置包括：一基底表面；及突出物，其從該基底表面突出且具有用於支撐一晶圓於其上的圓頭尖端。該等圓頭尖端係致使一晶圓之一反面完全利用該等圓頭尖端以點接觸來支撐。該等突出物實質上均勻布置在該基底表面上放置一晶圓的區域上，其中在使用中決定之該等突出物的數目(N)及高度(H[μm])符合以下針對300-mm晶圓之每面積的不等式：(-0.5N+40)≦H≦53；5≦N≦100。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于支撑一晶圆于其上的晶圆支撑设备，其适于安装在一半导体处理设备中，该晶圆支撑设备包括：一基底表面；及突出物，其从该基底表面突出且具有用于支撑一晶圆于其上的圆头尖端。该等圆头尖端系致使一晶圆之一反面完全利用该等圆头尖端以点接触来支撑。该等突出物实质上均匀布置在该基底表面上放置一晶圆的区域上，其中在使用中决定之该等突出物的数目(N)及高度(H[μm])符合以下针对300-mm晶圆之每面积的不等式：(-0.5N+40)≦H≦53；5≦N≦100。