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公开(公告)号：JP6764940B2
公开(公告)日：2020-10-07
申请号：JP2018548038
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学技▲術▼大学 , UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
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公开(公告)号：JP2020504339A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2019556399
申请日：2017-09-13
Abstract: 本発明は、量子ロッド配向に基づく蛍光偏光薄膜の製造方法を提供する。前記方法は、インクジェットプリント技術を用いることにより、基板上にプリセットパターンに従って適切な粘度と表面張力を有する量子ロッドインクをプリントし、量子ロッドを配向させ、蛍光偏光薄膜を得る。そのうち、得た蛍光線の直径とピッチは、ニードル孔径、プリント速度およびプリセットパターンなどのパラメータ条件によって制御・調節可能である。製造された量子ロッド配向の透明の蛍光薄膜は、高い偏光度を有すると共に、常温環境で、フレキシブル基板上における製造を実現することができ、広い適用性を有する。
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公开(公告)号：JP2019531674A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2019531518
申请日：2017-08-24
Applicant: 華為技術有限公司 , HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD. , 中国科学技▲術▼大学 , UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
IPC: H04N19/59 , G06T3/00 , G06T7/254 , H04N19/597 , H04N19/51
Abstract: 本発明の実施形態は、動き補償予測方法および動き補償予測装置を提供する。動き補償予測方法は、参照画像内の現在ピクセルの初期参照ピクセルの位置を決定するステップであって、現在ピクセルが現在画像の第1のサブ画像内に位置する、ステップと、初期参照ピクセルが、参照画像内にあり、かつ第1のサブ画像に対応する位置にある第2のサブ画像の外側に位置するとき、初期参照ピクセルの位置に基づいて参照画像内の現在ピクセルのターゲット参照ピクセルの位置を決定するステップと、ターゲット参照ピクセルのピクセル値および/またはターゲット参照ピクセルの近くのピクセルのピクセル値に基づいて、現在ピクセルのピクセル値の予測値を決定するステップとを含む。本発明の実施形態は、動き補償予測の精度を向上させることができる。
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公开(公告)号：JP2021182752A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2021121469
申请日：2021-07-26
Applicant: 華為技術有限公司 , HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD. , 中国科学技▲術▼大学 , UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
IPC: H04N19/513 , H04N19/54 , H04N19/52
Abstract: 【課題】本発明の実施形態は、画像予測方法および関連装置を開示する。 【解決手段】画像予測方法は、現在の画像ブロックのK個のピクセルサンプルの運動ベクトル予測子を判断するステップであって、ここで、Kは1よりも大きい整数であり、K個のピクセルサンプルは現在の画像ブロックの第1の頂角ピクセルサンプルを含み、第1の頂角ピクセルサンプルの運動ベクトル予測子は現在の画像ブロックの予め設定された第1の空間的に隣接する画像ブロックの運動ベクトルに基づいて得られ、第1の空間的に隣接する画像ブロックは第1の頂角ピクセルサンプルに空間的に隣接する、ステップと、非並進運動モデルとK個のピクセルサンプルの運動ベクトル予測子とに基づいて、現在の画像ブロックに対しピクセル値予測を遂行するステップとを含む。本発明の実施形態の解決手段は、非並進運動モデルに基づく画像予測の計算複雑性を軽減するのに役立つ。 【選択図】図1c
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公开(公告)号：JP6894975B2
公开(公告)日：2021-06-30
申请号：JP2019532772
申请日：2017-12-18
Applicant: 中国科学技▲術▼大学 , UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
Inventor： ツィ, ファ , リュー, ヤーティン , シェン, ウェン
IPC: C08K3/16 , C08K5/3465 , C08K3/22 , C08K5/21 , G01N33/483 , C08L5/08
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020528662A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019567584
申请日：2019-03-05
Applicant: 南方科技大学 , SOUTH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA , ▲復▼旦大学 , Fundan University
Abstract: 本発明は、複数の超伝導量子ビットにおけるいずれか2つのビットを結合する方法およびそのシステムに関する。複数の超伝導量子ビットアレイを有してスピン波を実現できる磁性薄膜材料の場合に適用される方法であって、磁性薄膜材料を複数の超伝導量子ビットアレイの下方に設けることと、磁性薄膜材料における磁区の磁化方向の組み合わせにより、スピン波が通過する複数のチャネルを形成することと、複数の超伝導量子ビットアレイにおける量子ビットをスピン波が通過するチャネルに対応して設けることにより、単一の量子ビットとスピン波との結合を実現することと、スピン波チャネルに少なくとも2つの量子ビットが設けられ、単一の量子ビットとスピン波との間の結合により、2つの量子ビットの間の結合を実現することとを含む。上記方法は、磁性薄膜材料層を用いて超伝導量子ビット層の量子ビットの状態変化を伝達するとともに、スピン波のソフト接続を利用することにより、いずれか2つの超伝導量子ビットの結合を実現する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019536824A
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2018548038
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学技▲術▼大学 , UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
Abstract: 本発明は、一般式がM a O b X c (ただし、M、O及びXならびにa、b及びcは本明細書中に定義づけられている通りである。)である、紫外線遮断可能なフォトクロミックナノ材料及びその製造方法ならびに使用を提供する。前記ナノ材料は、M含有カチオン源化合物、ポリオール、界面活性剤及び第1の溶媒の混合物を攪拌しながら加熱し、加熱された第1の溶液を得、X含有アニオン源化合物を第2の溶媒と混合し、第2の溶液を得、第1の溶液に第2の溶液を注入して反応を行い、反応混合物を得、当該反応混合物に対して後処理を行う方法により製造することができる。本発明のナノ材料は、80%以上の紫外線を遮断することができ、特に、強い光照射の場合には透明暗色に変化し、透過率を低下することができ、強い光照射がない場合にはまた無色透明状態に復元することができる。このほか、本発明は、プロセス流れが簡単で、コストが低く、産量が高く、工業生産に好適であるなどの特徴を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：US20220156583A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：US17430192
申请日：2020-03-12
Applicant: University of Science and Technology of China , Beijing Research Institute, University of Science and Technology of China
Inventor： Yongdong Zhang , Zhihua Shang , Hongtao Xie , Yan Li
Abstract: A method of generating a classifier by using a small number of labeled images includes: pre-training a wide residual network by using a set of labeled data with a data amount meeting requirements, and determining portions of the pre-trained wide residual network except for a fully connected layer as a feature extractor for an image; randomly selecting, for a N-class classifier to be generated, N classes from a training set for each of a plurality of times; and for N classes selected each time: randomly selecting one or more images from each class of the N classes as training samples; extracting a feature vector from training samples of each class by using the feature extractor; inputting a total of N feature vectors extracted into a classifier generator; and sequentially performing a class information fusion and a parameter prediction for the N-class classifier by using the classifier generator.
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19.发明申请
公开(公告)号：WO2019006852A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/CN2017/101171
申请日：2017-09-11
Inventor： XU, Baomin , ZHANG, Luozheng , LIU, Chang , ZHANG, Jie
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3223 , C08G2261/364 , C08G2261/414 , C08G2261/512 , C08G2261/91 , H01L51/0036 , H01L51/4226 , H01L51/4246
Abstract: The present disclosure discloses a hole transporting layer containing an organic conjugated polymer semiconductor material and a use thereof. The repeating unit of the main chain of the organic conjugated polymer semiconductor material is composed of a p-alkoxybenzene unit and an aromatic ring unit. The organic conjugated polymer has the following structural formula (I): wherein R 1 and R 2 are independently selected from one or a combination of at least two of a C 1 to C 20 alkyl group, and Ar is an aromatic ring group. The present disclosure uses a p-alkoxybenzene B (bisOR) to construct a polymer, which simplifies the structure and synthesis of a conjugated polymer-based hole transporting material and can reduce costs. The high degree of planarity of the B (bisOR) derivative unit itself and the weak steric hindrance between it and the adjacent units are conducive to the hole transport. In addition, a polymer containing a B (bisOR) unit also possesses an appropriate energy level relative to the perovskite material, thereby facilitating the collection of photogenerated holes and preventing the recombination of photogenerated electrons.
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20.发明申请
公开(公告)号：WO2019006699A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/CN2017/091845
申请日：2017-07-05
Inventor： GUO, Xugang , CHEN, Jianhua , ZHANG, Xianhe
IPC: C07D495/22 , C08G61/12 , H01L51/46
CPC classification number: C07D495/22 , C07D519/00 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/344 , C08G2261/414 , C08G2261/92
Abstract: An imide-functional unit of Formula I, a copolymer thereof and their preparation methods, as well as their uses in a thin-film transistor. The imide-functional unit is an effective electron-deficient building block for constructing high-performance polymer semiconductors due to its solubilizing ability, extended π conjugation length, close π-π stacking, and appropriate electron-withdrawing ability and lower-lying FMOs versus the previously reported imide-functional units.
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