公开(公告)号：KR100845778B1

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：KR1020080026134

申请日：2008-03-21

Applicant: (주)엘립소테크놀러지

Inventor： 김상열 ,  김상준 ,  임정민

IPC: H01L21/66

Abstract: An apparatus for measuring the thickness of a silicon wafer and a method thereof are provided to measure the silicon wafer thickness accurately by using light transmittance according to wavelength of light in the light transmission edge range. A light source(10) irradiates light on a silicon wafer sample(W). An infrared spectrometer(40) divides the light passing through the silicon wafer sample according to wavelength in a near infrared band. An optical sensor array(50) receives the light of each wavelength from the infrared spectrometer and generates current corresponding to the light intensity. A conversion unit(60) converts the output current of the optical sensor array to a digital value. A calculation unit(70) obtains a transmittance spectrum from a luminosity value of each wavelength band of the conversion unit and produces the thickness of the silicon wafer sample by using the transmittance.

Abstract translation: 提供一种用于测量硅晶片厚度的装置及其方法，以通过使用根据光透射边缘范围内的光的波长的光透射率来精确地测量硅晶片厚度。 光源（10）将光照射在硅晶片样品（W）上。 红外光谱仪（40）根据近红外波段的波长划分通过硅晶片样品的光。 光传感器阵列（50）从红外光谱仪接收各波长的光，产生对应于光强度的电流。 转换单元（60）将光学传感器阵列的输出电流转换为数字值。 计算单元（70）从转换单元的每个波段的亮度值获得透射光谱，并通过使用透射率产生硅晶片样品的厚度。

公开(公告)号：KR1020060014712A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063380

申请日：2004-08-12

Applicant: (주)엘립소테크놀러지

Inventor： 안성혁 ,  김상열 ,  김상준

IPC: G01B11/27

Abstract: 편광판과 위상지연판이 접합된 시료의 광축 정렬 오차 측정 방법에 있어서, 상기 시료의 후단에 위치한 보정기의 위상지연각을 미리 설정된 값으로 조절하는 단계, 광원과 상기 시료의 사이에 위치한 편광자를 회전시키면서 광도를 측정하는 단계, 상기 광도가 최대일 때의 상기 편광자의 방위각을 산출하는 단계, 상기 편광자를 고정시킨 상태에서 상기 보정기를 상기 위상지연판의 방위각 근방에서 소정의 회전각도씩 회전시키는 단계, 상기 보정기의 각 방위각에서 상기 보정기의 후단에 위치한 검광자를 회전시키면서 광도를 측정하는 단계, 상기 광도가 최대일 때의 상기 검광자의 방위각을 산출하는 단계 및 상기 산출된 편광자의 방위각 및 검광자의 방위각으로부터 상기 편광판과 위상지연판의 광축 정렬 오차를 산출하는 단계를 포함한다.
편광, 위상, 지연, 위상지연판, 보정, LCD, 오차, 광축.

公开(公告)号：KR1020030049473A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010079681

申请日：2001-12-15

Applicant: (주)엘립소테크놀러지

Inventor： 김상준 ,  김상열

IPC: G01J4/00

CPC classification number: G01J4/04 ,  G01B11/0641 ,  G01J3/0208 ,  G01J3/2889

Abstract: PURPOSE: An ultra high-speed spectroscopic ellipsometer is provided to improve productivity and quality of articles, such as semiconductor devices and flat-type image display devices, by furnishing spectroscopic ellipse data within a few milli-minute time periods. CONSTITUTION: An ultra high-speed spectroscopic ellipsometer includes a light source(100) for generating white light. A first collimation section(200) receives white light from the light source(100). White light introduced into the first collimation section(200) is incident into a polarization state generator, which polarizes white light. Then, polarized light is incident into a sample(110). The sample(110) reflects polarized light by converting a polarization state of polarized light. Polarized light reflected from the sample(110) is incident into a second collimation section, which converts polarized light into parallel light. A DOAP(400) is provided to polarize parallel light in a stokes vector state. A spectrograph/PDA(500) is provided to measure a quantity of polarized light.

Abstract translation: 目的：通过在几分钟的时间内提供光谱椭圆数据，提供超高速光谱椭偏仪，以提高诸如半导体器件和平面型图像显示器件的物品的生产率和质量。 构成：超高速光谱椭偏仪包括用于产生白光的光源（100）。 第一准直部（200）从光源（100）接收白光。 引入到第一准直部分（200）中的白光入射到偏振状态发生器中，这使得白光偏振。 然后，偏振光入射到样品（110）中。 样品（110）通过转换偏振光的偏振状态来反射偏振光。 从样品（110）反射的偏振光入射到将偏振光转换成平行光的第二准直部分。 提供了一个DOAP（400），用于使斯托克斯矢量状态下的平行光偏振。 提供了一种用于测量偏振光量的光谱仪/ PDA（500）。