公开(公告)号：KR1020080088940A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020070031850

申请日：2007-03-30

Applicant: (주)유우일렉트로닉스

Inventor： 한용희 ,  김근태 ,  김형원 ,  김희성

IPC: G01N27/12 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/35 ,  G01N21/00

Abstract: A high sensitive infrared detector for an NDIR gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to reduce process time by bulk etching an upper part of a substrate. A high sensitive infrared detector for an NDIR gas sensor comprises a substrate(210) having a supporting layer(230) formed on at least one side, an insulating layer(250) formed on the supporting layer, and a groove formed on the upper part of the substrate. The groove has a detection part on its upper side and a supporting part for supporting the detection part, wherein the detection part and the supporting part include an electrode pattern(253) formed on the insulation layer and a protective layer pattern(270) formed on the electrode pattern. The detection part has a reflection layer pattern(235) formed on the supporting layer inside the insulation layer, and a detection layer pattern(255) formed on the insulation layer in the protective layer pattern to be connected to the electrode pattern.

Abstract translation: 提供了一种用于NDIR气体传感器的高灵敏度红外检测器及其制造方法，以通过大量蚀刻衬底的上部来减少处理时间。 用于NDIR气体传感器的高灵敏度红外检测器包括：衬底（210），其具有在至少一个侧面上形成的支撑层（230），形成在支撑层上的绝缘层（250） 的基底。 所述槽在其上侧具有检测部分和用于支撑所述检测部件的支撑部件，其中所述检测部件和所述支撑部件包括形成在所述绝缘层上的电极图案（253）和形成在所述绝缘层上的保护层图案（270） 电极图案。 检测部分具有形成在绝缘层内部的支撑层上的反射层图案（235）和形成在与电极图案连接的保护层图案的绝缘层上的检测层图案（255）。