Abstract:
초소형화된 인체 감지용 적외선 센서 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 초소형 인체 감지용 적외선 센서는, 시모스(CMOS) 공정을 통해 신호처리부가 집적된 하부기판; 상기 하부기판 상에 형성되고 상기 신호처리부와 전기적으로 연결된 적어도 하나의 적외선 감지소자; 일면에 캐비티(cavity)가 형성되고 상기 적외선 감지소자가 상기 캐비티 내에 포함되도록 상기 하부기판 상에 웨이퍼 레벨에서 접합된 상부기판; 상기 상부기판의 적어도 일면에 형성된 적외선 필터; 상기 캐비티 내에 형성되어 상기 접합시 방출되는 가스를 흡수하는 게터; 상기 상부기판 및 하부기판을 접합하기 위한 금속솔더층; 및 상기 하부기판 상에 형성되어 상기 신호처리부를 외부 전극과 전기적으로 연결하기 위한 전극패드; 를 포함하고, 이때, 상기 접합된 상부기판 및 하부기판의 내부는 진공상태인 것을 특징으로 한다. 적외선 센서, 캐비티, 웨이퍼 레벨, 진공 패키지
Abstract:
본 발명은 웨이퍼 레벨 패키징을 이용한 NDIR 방식의 가스 센서용 적외선 감지소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 지지층이 형성된 상부기판, 지지층의 일면 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 전극층, 전극층 상에 형성된 보호층, 내면에 제1캐비티가 형성되고 내면 또는 외면에 적외선 필터가 형성되어 하부기판의 상부에 접합된 상부기판, 상부기판의 내면상에 형성된 게터, 하부기판 및 상부기판을 접합시키기 위한 금속솔더층을 포함하며, 여기서, 하부기판은 상면에 적어도 하나의 제2캐비티가 형성되고 각 제2캐비티의 상부 공간상에 적외선을 감지하는 감지부와, 감지부의 양측으로 그 감지부를 지지하는 지지부가 형성되며, 이때, 감지부는 절연층 내 지지층 상에 형성된 반사층과, 보호층 내 절연층 상에 형성되어 전극층과 연결되도록 구성된 감지층을 포함하고, 하부기판 및 상부기판은 내부가 진공상태로 접합된 것을 특징으로 한다. NDIR, 웨이퍼 레벨 패키징(WLP), 이산화탄소, 적외선, 감지센서, 볼로메터, 캐비티, 기판
Abstract:
PURPOSE: A sensor lamp is provided to automatically turn on/off by detecting a human body through a micro-bolometer. CONSTITUTION: A sensor lamp comprises a micro-bolometer module(20), a control module(CM), and an illuminance sensor(10). The micro-bolometer module detects the resistance change due to thermal energy which is radiated from a human body and continuously output a detection signal. The control module controls the on/off of the sensor lamp according to the detection signal which is outputted from the micro-bolometer module. The illuminance sensor outputs an operation signal to the micro-bolometer module according to ambient illuminance.
Abstract:
PURPOSE: A micro infrared sensor for detecting a human and a method for manufacturing the same are provided to reduce the entire size of a chip by performing a wafer level packaging process. CONSTITUTION: A micro infrared sensor(100) includes a lower substrate(111), a sensor device(113), an upper substrate, an infrared filter(125), a metal solder layer and an electrode pad. A signal process unit is integrated to the lower substrate through a complementary metal-oxide semiconductor process. The sensor device is formed on the lower substrate. The sensor device is electrically connected to the signal process unit. A cavity is formed on the one side of the upper substrate.
Abstract:
본 발명은 적외선 센서에 관한 것으로서, 특히 공간상에 존재하는 물체를 감지하는 적외선 소자와 그 적외선 소자의 구동회로를 하나의 칩(SoC:System on Chip)에 집적화한 SoC 기반 공간 감지용 적외선 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 적외선 센서는 공간상에 존재하는 물체에서 방출되는 적외선을 집광하는 렌즈부와, 렌즈부를 통해 집광되는 적외선 중 선택된 특정 파장의 적외선을 통과시키는 필터부와, 초점면 배열(focal plane array)되어 필터부를 통과한 적외선을 감지하는 적외선 감지소자와, 적외선 감지소자를 구동하는 구동회로부 및 적외선 감지소자에서 감지한 적외선에 대한 감지신호를 처리하는 신호처리부를 포함하며 적외선 감지소자 및 구동회로부는 하나의 단일 칩(SoC)에 집적화된 것을 특징으로 한다. SoC, 적외선 센서, 집적화, 공간감지, 렌즈, 필터
Abstract:
An infrared sensor for the soc base space detection is provided to sense the movement of an object by corresponding an infrared chip and a spatial domain on a one-to-one basis. An infrared sensor for the soc base space detection comprises a lens unit(110), a filter(120), one or more infrared ray detection elements(130), a drive circuit unit(140), and a signal processing unit(150). The lens unit condenses the infrared ray emitted from an object. The filter has the infrared ray of the selected specific wave among the infrared ray condensed by the lens unit passed through. The infrared ray detection element senses the infrared ray passing through the filter. The drive circuit part operates the infrared ray detection element. The signal processing unit processes the sensing signal to the infrared ray sensed by the infrared ray detection element. The infrared ray detection element and the drive circuit unit are integrated in the one-chip(SoC, system on chip, 170).
Abstract:
본 발명은 복도나 현관 등에 설치되어 출입하거나 대기하는 사람을 감지하여 자동으로 점멸시키는 에너지 절약형 인체감지 조명등에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 감지영역 내로 출입하는 인체를 감지하여 자동으로 점멸되는 조명등에 있어서, 상기 감지영역 내로 출입하거나 감지영역 내에서 대기하는 인체에서 방사되는 열에너지에 의한 저항 변화에 따라 검출 및 증폭하여 감지신호를 지속적으로 출력하는 마이크로 볼로미터 모듈; 상기 마이크로 볼로미터에서 출력된 감지신호에 따라 조명등의 점멸을 제어하는 제어모듈;로 구성된다. 따라서, 본 발명은 감지영역 내로 출입하는 인체를 감지하여 조명등을 자동으로 점멸시킬 뿐만 아니라, 감지영역 내로 들어온 사람이 움직이거나 미동 없이 대기하고 있더라도 조명등의 점등을 유지하며, 이에 따라 사용자의 편리성 및 에너지 절감을 기대할 수 있는 장점이 있다. 감지영역, 자동 점멸, 조명등, 인체감지, 마이크로 볼로미터, 저항 변화.
Abstract:
PURPOSE: A high sensitive infrared detector for an NDIR-type gas sensor using a wafer level packaging and a method for manufacturing the same are provided to reduce manufacturing cost and time using the junction of a wafer. CONSTITUTION: An upper substrate(121) includes a first cavity and an infrared filter and is bonded on the upper side of a lower substrate. A getter is formed in the upper substrate. A metal solder layer bonds the upper substrate and the lower substrate. At least one second cavity is formed on the upper side of the lower substrate. A sensor(113) and a support unit(115) are formed on the second cavity. The sensor senses infrared rays. The support unit supports the both side of the sensor.
Abstract:
NDIR 가스 센서용 고감도 적외선 감지 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명은, 적어도 그 일면에 형성된 지지층을 갖는 기판; 그리고 상기 지지층상에 형성된 절연층;을 포함하고, 상기 기판 상부에는 요홈이 형성되어 있으며, 상기 요홈 상부에는 감지부와 그 감지부의 양측방으로 감지부를 지지하는 지지부가 형성되어 있으며, 그리고 상기 감지부와 지지부 각각은, 상기 절연층상에 형성된 전극패턴과, 상기 전극패턴 상에 형성된 보호층패턴을 포함하고, 상기 감지부는, 상기 절연층내 지지층상에 형성된 반사층패턴과 상기 보호층 패턴내 절연층상에 형성되어 상기 전극패턴과 연결되도록 구성된 감지층패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 NDIR 방식의 이산화탄소 가스 센서용 적외선 감지 소자 및, 그 제조방법에 관한 것이다. NDIR, 가스센서, 적외선, MEMS
Abstract:
A signal processing circuit for detecting an uncooled infrared image is provided to detect a high definition infrared image by adjusting integrating time proper to limit noise bandwidth. A signal processing circuit for detecting an uncooled infrared image comprises an infrared detecting part(110), a reference resistor part(120), and an integrator(130). The infrared detecting part, whose one end is grounded, has a first resistance value when infrared is not absorbed and a second resistance value smaller than the first resistance value when infrared is absorbed. The reference resistor part, whose one end is connected to the other end of the infrared detecting part and the other end is connected to a first reference voltage, has a second resistance value larger than the first resistance value. The integrator outputs an integrated value in an infrared signal by integrating a difference between the voltage of the other end of the infrared detecting part and a second reference voltage.