Abstract:
웨이퍼레벨패키징소자의제조방법이제공된다. 본발명의제조방법은, 상부 SOI 기판의실리콘구조층하부소정의위치에캐비티를형성하는공정; 상기캐비티가형성된구조층하부소정의위치에적외선필터층을형성하는공정; 상기적외선필터층이형성된구조층하부소정의위치에금속솔더층을형성하고, 이어, 다이싱레인을형성하는공정; 상기와같이제조된상부 SOI 기판을하부센서기판에접착시키는공정; 상기상부 SOI 기판을이루는실리콘캐리어층을제거함으로써절연체층을노출시키는공정; 및상기상부기판과하부센서기판을다이싱하는공정;을포함한다.
Abstract:
초소형화된 인체 감지용 적외선 센서 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 초소형 인체 감지용 적외선 센서는, 시모스(CMOS) 공정을 통해 신호처리부가 집적된 하부기판; 상기 하부기판 상에 형성되고 상기 신호처리부와 전기적으로 연결된 적어도 하나의 적외선 감지소자; 일면에 캐비티(cavity)가 형성되고 상기 적외선 감지소자가 상기 캐비티 내에 포함되도록 상기 하부기판 상에 웨이퍼 레벨에서 접합된 상부기판; 상기 상부기판의 적어도 일면에 형성된 적외선 필터; 상기 캐비티 내에 형성되어 상기 접합시 방출되는 가스를 흡수하는 게터; 상기 상부기판 및 하부기판을 접합하기 위한 금속솔더층; 및 상기 하부기판 상에 형성되어 상기 신호처리부를 외부 전극과 전기적으로 연결하기 위한 전극패드; 를 포함하고, 이때, 상기 접합된 상부기판 및 하부기판의 내부는 진공상태인 것을 특징으로 한다. 적외선 센서, 캐비티, 웨이퍼 레벨, 진공 패키지
Abstract:
본 발명은 웨이퍼 레벨 패키징을 이용한 NDIR 방식의 가스 센서용 적외선 감지소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 지지층이 형성된 상부기판, 지지층의 일면 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 전극층, 전극층 상에 형성된 보호층, 내면에 제1캐비티가 형성되고 내면 또는 외면에 적외선 필터가 형성되어 하부기판의 상부에 접합된 상부기판, 상부기판의 내면상에 형성된 게터, 하부기판 및 상부기판을 접합시키기 위한 금속솔더층을 포함하며, 여기서, 하부기판은 상면에 적어도 하나의 제2캐비티가 형성되고 각 제2캐비티의 상부 공간상에 적외선을 감지하는 감지부와, 감지부의 양측으로 그 감지부를 지지하는 지지부가 형성되며, 이때, 감지부는 절연층 내 지지층 상에 형성된 반사층과, 보호층 내 절연층 상에 형성되어 전극층과 연결되도록 구성된 감지층을 포함하고, 하부기판 및 상부기판은 내부가 진공상태로 접합된 것을 특징으로 한다. NDIR, 웨이퍼 레벨 패키징(WLP), 이산화탄소, 적외선, 감지센서, 볼로메터, 캐비티, 기판
Abstract:
PURPOSE: A sensor lamp is provided to automatically turn on/off by detecting a human body through a micro-bolometer. CONSTITUTION: A sensor lamp comprises a micro-bolometer module(20), a control module(CM), and an illuminance sensor(10). The micro-bolometer module detects the resistance change due to thermal energy which is radiated from a human body and continuously output a detection signal. The control module controls the on/off of the sensor lamp according to the detection signal which is outputted from the micro-bolometer module. The illuminance sensor outputs an operation signal to the micro-bolometer module according to ambient illuminance.
Abstract:
PURPOSE: An MEMS sensor packaging and a method thereof are provided to form a pad solder in inside for electrically connecting an ROIC circuit and an MEMS sensor, thereby reducing the size of a package and stably supplying electrical signals. CONSTITUTION: An MEMS sensor packaging comprises a firs wafer(100), a second wafer(200), bonding solders(140a,140b), and pad solders(150a,150b). An ROIC circuit is formed on the first wafer. The second wafer, which is arranged corresponding to the firs wafer, includes a convex unit(240) in one surface, and an MEMS(210) sensor is arranged in the convex unit. The bonding solders are formed around the MEMS sensor for sealing the MEMS sensor by bonding the first and second wafers. The pad solders is formed so that the ROIC circuit of the first wafer and the MEMS sensor of the second wafer are electrically connected.
Abstract:
NDIR 가스 센서용 고감도 적외선 감지 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명은, 적어도 그 일면에 형성된 지지층을 갖는 기판; 그리고 상기 지지층상에 형성된 절연층;을 포함하고, 상기 기판 상부에는 요홈이 형성되어 있으며, 상기 요홈 상부에는 감지부와 그 감지부의 양측방으로 감지부를 지지하는 지지부가 형성되어 있으며, 그리고 상기 감지부와 지지부 각각은, 상기 절연층상에 형성된 전극패턴과, 상기 전극패턴 상에 형성된 보호층패턴을 포함하고, 상기 감지부는, 상기 절연층내 지지층상에 형성된 반사층패턴과 상기 보호층 패턴내 절연층상에 형성되어 상기 전극패턴과 연결되도록 구성된 감지층패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 NDIR 방식의 이산화탄소 가스 센서용 적외선 감지 소자 및, 그 제조방법에 관한 것이다. NDIR, 가스센서, 적외선, MEMS
Abstract:
A signal processing circuit for detecting an uncooled infrared image is provided to detect a high definition infrared image by adjusting integrating time proper to limit noise bandwidth. A signal processing circuit for detecting an uncooled infrared image comprises an infrared detecting part(110), a reference resistor part(120), and an integrator(130). The infrared detecting part, whose one end is grounded, has a first resistance value when infrared is not absorbed and a second resistance value smaller than the first resistance value when infrared is absorbed. The reference resistor part, whose one end is connected to the other end of the infrared detecting part and the other end is connected to a first reference voltage, has a second resistance value larger than the first resistance value. The integrator outputs an integrated value in an infrared signal by integrating a difference between the voltage of the other end of the infrared detecting part and a second reference voltage.