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公开(公告)号：KR1020150036857A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130115809
申请日：2013-09-30
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: B01D71/34 , B01D69/08 , B01D71/022 , B01D71/38
Abstract: 본발명은중공사막조성물및 이를이용한중공사막에관한것으로서, 보다자세히는폴리불화비닐리덴(PVDF, Polyvinylidenefluoride); 첨가제로사용되는폴리에틸렌글리콜(PEG, Poly ethylene glycol); 용매로사용되는디메틸아세트아미드(DMAC);가포함되어이루어짐을특징으로하는중공사막조성물을제공한다. 따라서중공사막의원료가되는폴리불화비닐리덴에중공사막의친수성을부여하도록폴리에틸렌글리콜을첨가제로사용하고디메틸아세트아미드를용매제로사용되는중공사막조성물로하여금내화학성및 내구성이향상되어정수및 오폐수공정에유용하게사용될수 있는중공사막을제조할수 있는효과를발휘한다.
Abstract translation: 本发明涉及中空纤维膜组合物和使用其的中空纤维膜。 更具体地说，中空纤维膜组合物包括：聚偏二氟乙烯（PVDF）; 用作添加剂的聚乙二醇（PEG）; 和二甲基乙酰胺（DMAC），其用作溶剂。 因此，可以制造用于净化水和处理废水的中空纤维膜，因为中空纤维膜通过使用使用聚乙二醇作为添加剂的中空纤维膜组合物和二甲基乙酰胺作为溶剂而具有改善的耐化学性和耐久性，以便 将中空纤维膜的亲水性赋予作为中空纤维膜的原料的聚偏二氟乙烯。
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公开(公告)号：KR1020150036852A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130115800
申请日：2013-09-30
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본발명은중공사막의제조방법및 이를이용한중공사막에관한것으로서, 폴리불화비닐리덴(PVDF, Polyvinylidenefluoride), 용매인디메틸아세트아미드(DMAC), 염화리튬(LiCl)인기공형성제, 기공성장억제제인염화아연(Zinc Chloride)으로이루어지는방사용액을제1저장탱크에서투입하고, 첨가제인폴리에틸렌글리콜(PEG, Poly ethylene glycol)을제2저장탱크에투입하고, 내부응고액인디메틸아세트아미드(DMAC) 또는물을제3저장탱크에저장하는준비단계; 상기제1저장탱크내부에저장된방사용액을 75 ~ 80℃의온도로유지시킨후 교반기에의해교반시켜혼합된방사용액을제2저장탱크로투입하여제2저장탱크에저장된첨가제와혼합된후 혼합된방사용액과제3저장탱크에저장된내부응고제를 2중관형노즐을통하여방사용액과내부응고액을방사하는방사단계; 상기 2중관형노즐의하부에 75 ~ 80℃로유지되는응고액이담수되는응고조를구비한후 방사단계를통해방사된방사물에다수의롤러를통해응고액이담수된응고액이침지되도록안내되어막이형성되도록응고시키는응고단계; 상기응고단계를거친방사물을다수의롤러를통해 55 ~ 65℃로유지되는물이담수되어있는안정조에침지, 배출을반복하도록안내되어안정조에담수된물에의해그 형태를안정화시키는안정화단계; 상기안정화단계를거친방사물을다수의롤러를통해 45 ~ 55℃로유지되는물이담수되어있는권취조내부에서권취되어권취된상태를 23 ~ 25시간동안유지시켜방사단계에서잔존하는용매의배출이이루어지는권취단계;가포함되어이루어짐을특징으로하는중공사막의제조방법을제공한다. 또한상기중공사막의제조방법을이용하여표면스킨층의기공크기가 0.01 ~ 0.05㎛이고, 기공율이 70% ~ 95%로이루어짐을특징으로하는중공사막을제공한다. 따라서중공사막의원료가되는폴리불화비닐리덴에디메틸아세트아미드를용매제로사용되고중공사막의친수성을부여하도록폴리에틸렌글리콜을첨가제로사용함으로서내화학성및 내구성이향상되어정수및 오폐수공정에유용하게사용될수 있는중공사막을제조할수 있는효과를발휘한다. 그리고중공사막은안정적인수처리공정이가능하게됨으로써수처리생산비용및 유지비용을절감할수 있고, 날로엄격해지고있는고도정수처리, 용수처리공정을포함한차세대고효율분리공정산업에유용하게활용되는효과를발휘한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种中空纤维膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将由聚偏氟乙烯（PVDF），二甲基乙酰胺（DMAC），溶剂构成的纺丝溶液，作为孔隙率形成剂的氯化锂（LiCl） 氯化物，其是第一储罐的孔隙率增长抑制剂; 将作为添加剂的聚乙二醇（PEG）注入到第二储罐中; 以及在第三储罐中储存作为内部凝结液的水或二甲基乙酰胺（DMAC）的制备步骤，由此能够制造出中空纤维膜以稳定的方式处理水处理，导致水的生产和维护成本降低 处理和使用其的中空纤维膜。
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公开(公告)号：KR101504118B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020130066555
申请日：2013-06-11
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본 발명은 고온 진공소결로를 이용한 고순도 고밀도 알루미나의 제조방법에 관한 것으로, 기존의 베이어(Bayer)법의 낮은 순도와 생산수율을 보완하고 알콕사이드(Alkoxide)법의 복잡한 제조공정을 단순화시킴으로써 알루미나의 원료물질이 되는 수산화알루미늄의 순도와 수율을 증가시켜 알루미나의 생산량 증가 및 환경오염을 유발하는 문제점을 개선하며, 또한 소결시 발생하는 불순물을 고진공을 통해 보다 효율적으로 제거하기 위해 고온 진공소결로를 이용한 고순도 고밀도 알루미나의 제조방법을 제공한다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 고온 진공소결로를 이용한 고순도 고밀도 알루미나의 제조방법은, 99.9% 이상의 고순도 금속 알루미늄(Al)을 수산화나트륨(NaOH) 용액에 투입하고 용해시켜 수산화알루미늄(Al(OH)
3 , ATH)을 합성하는 제1공정; 상기 합성된 수산화알루미늄(NaOH) 용액을 고액분리기를 이용하여 수산화알루미늄(ATH)을 분리하고 세정하는 제2공정; 상기 수산화알루미늄(ATH)은 고온 진공소결로를 이용하여 알루미나(Al
2 O
3 )를 제조하는 제3공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1공정에서의 금속 알루미늄(Al)은 30 ~ 100℃의 온도에서 3 ~ 20% 농도의 수산화나트륨(NaOH) 용액에 과포화 용해되어 수산화알루미늄(ATH)을 석출시키게 되며, 상기 제2공정에서 분리된 수산화알루미늄(ATH)은 탈이온수(deionized water)와 산성 용액으로 불순물을 세척하며, 그리고 상기 제3공정에서의 고온 진공소결로는 온도 1700 ~ 2000℃ 및 압력 5×10
-3 ~ 5×10
-6 Torr의 조건으로 가동되는 것을 특징으로 하고 있다.-
公开(公告)号：KR1020140028917A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120096298
申请日：2012-08-31
Applicant: (주)티피에스
IPC: C09K3/14
Abstract: The present invention relates to polishing particles and a method for manufacturing the same. The polishing particles, according to an embodiment of the present invention, include a metal alloy matrix formed with a plurality of gaps, and hard particles attached onto the gaps. The metal alloy matrix has a high-spherical, a spherical, or an oval shape, with the diameter ranging from 100 to 100 μm, and the size of gaps ranging from one to ten μm. Moreover, the metal alloy matrix includes 95 to 99 % of Sn, 0.5 to 3 % of Ag, and 0.5 to 2 % of Cu. The diameter of the hard particles range from one to ten μm, and is made of one chosen among diamond, a tungsten compound, a titanium compound, a zirconium compound, a tantalum compound, a silicon compound, and a silicon nitride.
Abstract translation: 抛光粒子及其制造方法技术领域本发明涉及研磨粒子及其制造方法。 根据本发明的实施例的抛光颗粒包括形成有多个间隙的金属合金基体和附着在间隙上的硬质颗粒。 金属合金基体具有高球形，球形或椭圆形，直径范围为100至100μm，间隙尺寸为1至10μm。 此外，金属合金基体包含95〜99％的Sn，0.5〜3％的Ag和0.5〜2％的Cu。 硬质粒子的直径为1〜10μm，由金刚石，钨化合物，钛化合物，锆化合物，钽化合物，硅化合物，氮化硅等制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100737355B1
公开(公告)日：2007-07-09
申请号：KR1020050090302
申请日：2005-09-28
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: C09K3/1463 , C03C19/00 , C09G1/02
Abstract: 광학 및 전기 부품으로 사용되는 웨이퍼 등의 기판이나 벌크를 연마하는 방법 및 이에 사용되는 연마제가 개시된다. 본 발명은 금속 정반 상에 탄화 텅스텐 분말을 포함하는 연마제와 윤활제를 제공하는 단계 및 상기 금속 정반을 회전시키면서 상기 탄화 텅스텐 연마제로 피삭체를 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피삭체 연마 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 빠른 연마 시간을 확보하는 동시에 평탄도 및 조도 특성이 우수한 피삭체를 제공할 수 있다. 구체적으로, 결함을 최소화한 사파이어 웨이퍼, 고평탄 글래스 및 합성 석영 플레이트를 제공할 수 있으며, 실리콘 웨이퍼와 리튬탄탈레이트 웨이퍼등 단결정 웨이퍼의 연마에도 적용 가능하다.
나노 탄화 텅스텐, 정반, 사파이어 웨이퍼, 글래스 웨이퍼, 합성석영 웨이퍼, 연마, 표면 조도, 평탄도, 탄화 실리콘, 질화 실리콘, 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 리튬탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 리튬 보레이트Abstract translation: 本发明公开了一种用于抛光诸如用作光学和电子部件的晶片等衬底或块的方法以及用于此的磨料。 本发明在旋转的同时在平台和金属基体以提供磨料和含有碳化钨粉末到金属表面板，以避免sakche抛光方法包括研磨所述血液sakche到碳化钨研磨的工序的润滑剂 提供。 根据本发明，可以提供具有高抛光速率和高平坦度和高粗糙度特性的加工物体。 具体地，提供蓝宝石晶片，和扁平玻璃和合成石英板，并最小化缺陷，它也适用于单晶晶片抛光诸如硅晶片和钽酸锂晶片。
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公开(公告)号：KR101426388B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020130066508
申请日：2013-06-11
Applicant: (주)티피에스
Abstract: The present invention relates to an alumina sintering furnace structure that sinters high purity alumina used for single crystal growth, and the alumina sintering furnace structure includes: a chamber; a pot furnace for receiving alumina powder to the chamber to conduct the sintering for the alumina powder; heating means having a heating material adapted to emit high temperature heat for the alumina sintering to the pot furnace, the heating material producing the heat if power is supplied thereto by means of a terminal; a first reflection plate adapted to reflect the high temperature heat emitted from the heating means around the heating means onto the pot furnace; and vacuum means connected to the interior of the chamber to maintain the interior of the chamber to a vacuum state and to accelerate the alumina sintering. Accordingly, through the formation of the heating means formed of the heating material made of tungsten or molybdenum and the first reflection plate made of yttria-stabilized zirconia, the alumina powder can be sintered to a high temperature within a short period of time, thus remarkably reducing the work time, improving the productivity and minimizing the production cost, without having any separate high expensive equipment. Further, the alumina powder can be sintered at the high temperature, thus achieving tight tissues to suppress the formation of bubbles acting as a main defect upon the formation of single crystal, improving the purity of the alumina itself to remove the impurities from the single crystal, and providing a high quality aluminum product advantageous to the single crystal growth.
Abstract translation: 本发明涉及烧结用于单晶生长的高纯度氧化铝的氧化铝烧结炉结构，氧化铝烧结炉结构包括：室; 用于将氧化铝粉末接收到所述室以进行氧化铝粉末的烧结的锅炉; 加热装置，其具有适于向用于氧化铝烧结到锅炉的高温热量的加热材料，所述加热材料在通过端子供电的情况下产生热量; 第一反射板，其适于将来自加热装置的加热装置发出的高温热量反射到加热装置上; 以及连接到室的内部的真空装置，以将室的内部保持在真空状态并加速氧化铝烧结。 因此，通过形成由钨或钼制成的加热材料形成的加热装置和由氧化钇稳定的氧化锆制成的第一反射板，氧化铝粉末可以在短时间内烧结到高温，因此显着地 减少工作时间，提高生产率和最小化生产成本，而不需要任何单独的昂贵的设备。 此外，氧化铝粉末可以在高温下烧结，从而获得紧密的组织以抑制在形成单晶时作为主要缺陷的气泡的形成，提高氧化铝本身的纯度以从单晶中除去杂质 ，并提供有利于单晶生长的高品质铝产品。
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公开(公告)号：KR1020140028918A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120096299
申请日：2012-08-31
Applicant: (주)티피에스
IPC: C09K3/14
Abstract: The present invention relates to a composition for a polishing member, a polishing member comprising the same, and a method for manufacturing the same, and the composition for a polishing member according to an embodiment of the present invention comprises: a metal alloy matrix having a plurality of gaps on the surface and having hard particles attached to the gaps; and a polymer binder combined to the metal alloy matrix.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于抛光部件的组合物，包含该组合物的抛光部件及其制造方法，以及根据本发明实施方式的用于抛光部件的组合物，其包括：金属合金基体，其具有 在表面上具有多个间隙，并且具有附着到间隙的硬质颗粒; 和与金属合金基体组合的聚合物粘合剂。
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公开(公告)号：KR101329998B1
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120051265
申请日：2012-05-15
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: G01N27/125 , H01M10/48
Abstract: The invention relates to a gas sensor for detecting sulfur compounds at low temperatures and a desulfurization system for fuel cell having thereof and, particularly, to a desulfurization system for fuel cell having a gas sensor, which is operated at low temperatures, for detecting whether there is presence of organic sulfur compounds, which is included in a city gas etc. as an odorant, from a change of resistance and a current according to supply of gas, and for checking a life span of each absorption column and whether to replace each absorption column because the gas sensor is installed between multiple absorption columns. The gas sensor for detecting sulfur compounds in low temperatures according to the invention is capable of detecting easily sulfur compounds among sulfides used as an odorant at each interval between multiple absorption columns comprising the desulfurizer for low temperatures adhesion type fuel cell. Also, the desulfurization system for fuel cell having the gas sensor according to the invention is capable of performing a desulfurization process simply and economically by informing immediately information about whether to replace an absorber, and a limit absorption state of an absorber for a desulfurization, which is positioned inside the desulfurization absorption column.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于在低温下检测硫化合物的气体传感器及其具有燃料电池的脱硫系统，特别涉及一种具有气体传感器的燃料电池的脱硫系统，该气体传感器在低温下运行，用于检测是否存在 存在作为气味剂的城市气体等中包含的有机硫化合物，根据气体供给的电阻和电流的变化，以及用于检查每个吸收塔的寿命以及是否取代每个吸收 因为气体传感器安装在多个吸收柱之间。 根据本发明的用于检测低温硫化合物的气体传感器能够容易地在包含用于低温粘附型燃料电池的脱硫器的多个吸收塔之间的每个间隔处用作用于气味剂的硫化物中的硫化合物。 此外，具有本发明的气体传感器的燃料电池用脱硫系统能够简单，经济地通过立即通知关于是否更换吸收器的信息和脱硫用吸收体的限制吸收状态来进行脱硫处理， 位于脱硫吸收塔内。
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公开(公告)号：KR1020110116918A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036597
申请日：2010-04-20
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 본 발명은, 와이어 형상의 실리콘을 제작할 수 있는 와이어 형상의 태양전지용 실리콘 제작 장치 및 와이어 형상의 태양전지용 실리콘 제작 방법에 관한 것이다. 따라서, 본 발명에서는 태양전지의 효율이 향상되는 동시에 제작 공정이 더욱 단순해지고, 제작 비용이 절감되며, 태양전지의 대면적화가 용이한 이점이 있다. 그리고, 예를 들면, 단결정, 비정질, 다결정 등과 같은 상기 실리콘의 성질에 따라 가장 적합한 제작 장치 및 제작 방법이 사용될 수 있는 이점이 있다.
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