公开(公告)号：CN101355128A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810128040.9

申请日：2008-07-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 田岛未来雄 ,  多田善纪 ,  松尾哲二

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明提供一种可以提高光取出效率的半导体发光元件及半导体发光元件制造方法。所述半导体发光元件包括：具备承担发光功能的发光区域和使所发出的光取出的光取出面的发光功能层叠体，以及配置在所述光取出面上向上方向凸起形状的透镜。

公开(公告)号：CN1842917A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024805.4

申请日：2004-09-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大塚康二 ,  杢哲次 ,  佐藤纯治 ,  多田善纪 ,  吉田隆

IPC: H01L29/26 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

Abstract: 准备了掺杂p型杂质而且具有充分导电性的p型硅基板1。在基板1上依次外延生长由n型AlInGaN构成的缓冲区3、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层13、有源层14及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层15。通过p型硅基板1与由n型AlGaInN构成的n型缓冲区3的异质结中的界面能级，提高硅基板1的载流子向n型缓冲区3的输运效率，降低发光二极管的驱动电压。