公开(公告)号：CN119028975A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410645319.3

申请日：2024-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  J·马蒂诺 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；沟道结构，将第一源极/漏极区连接到第二源极/漏极区；栅极结构，配置为控制沟道结构；背侧源极/漏极接触结构，连接到第一源极/漏极区的底表面；背侧隔离结构，在半导体器件的下部分处；以及在背侧源极/漏极接触结构上的第一接触间隔物，其中第一接触间隔物被配置为将背侧源极/漏极接触结构与背侧隔离结构中的另一电路元件隔离。

公开(公告)号：CN118053875A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311511787.3

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁明 ,  郑明勋 ,  宋胜旼 ,  尹承灿 ,  朴世廷 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件和制造其的方法。该3DSFET器件包括：在衬底上的第一源极/漏极区和在第一源极/漏极区上的第二源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区上的第一源极/漏极接触结构和在第二源极/漏极区上的第二源极/漏极接触结构，其中第二源极/漏极区通过中间层结构与第一源极/漏极区隔离，以及其中间隔物在第一源极/漏极接触结构和第二源极/漏极接触结构之间形成在第二源极/漏极接触结构的侧壁的上部处。

公开(公告)号：CN117637742A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311080723.2

申请日：2023-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载泓 ,  尹承灿 ,  朴修永 ,  徐康一

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种场效应晶体管结构，包括：衬底，其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺杂区的一侧的第二掺杂区以及在第一掺杂区的另一侧的第三掺杂区；第一沟道结构，其中包括在衬底中的第二掺杂区上的第四掺杂区；以及第二沟道结构，在第一沟道结构的一侧，其中包括在衬底中的第三掺杂区上的第五掺杂区，其中第四掺杂区、第二掺杂区、第一掺杂区、第三掺杂区和第五掺杂区形成顺序连接的无源器件。

公开(公告)号：CN117594596A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311047484.0

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  洪元赫 ,  金恩松 ,  白在职 ,  徐康一

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。该集成电路器件可以包括：晶体管，该晶体管包括沟道区和接触沟道区的源极/漏极区；电源轨，该电源轨被配置为电连接到电源并且在第一方向上与源极/漏极区间隔开；以及电源接触，该电源接触在源极/漏极区和电源轨之间并且接触源极/漏极区和电源轨两者。沟道区可以在第一方向上与电源接触重叠。

公开(公告)号：CN116666373A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310154810.1

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  孙吉焕 ,  黄寅灿 ,  任廷爀 ,  徐康一 ,  朴世韩 ,  李昇映 ,  咸富铉 ,  李长根 ,  郑明勋 ,  尹承灿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。

公开(公告)号：CN119997552A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411415040.2

申请日：2024-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  徐康一

IPC: H10D30/62 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27

Abstract: 提供了晶体管装置，和形成晶体管装置的相关方法。晶体管装置包括基底和在基底上的晶体管堆叠件。晶体管堆叠件包括下晶体管和在下晶体管的顶部上的上晶体管。此外，晶体管装置包括在基底上并且与晶体管堆叠件邻近的栅极切口。栅极切口具有第一倾斜侧壁和与第一倾斜侧壁相对的第二倾斜侧壁。

公开(公告)号：CN112951823B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011274769.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  韩东焕

IPC: H10D84/80

Abstract: 一种半导体器件包括：第一结构，第一结构包括：第一半导体图案，从衬底突出，第一半导体图案是沟道；第一导电图案，围绕第一半导体图案，第一导电图案是栅电极；第一杂质区，位于第一半导体图案下方，第一杂质区接触第一半导体图案，第一杂质区为源极区或漏极区；以及第二杂质区，接触第一半导体图案，第二杂质区是源极区或漏极区中的另一个；以及第二结构，第二结构包括：彼此间隔开的第二半导体图案，第二半导体图案中的每一个从衬底突出；第二导电图案，分别围绕第二半导体图案；以及第一接触插塞，连接到第二导电图案，其中，第一结构是vfet，并且第二结构包括电阻器或电容器。

公开(公告)号：CN118553718A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410197552.X

申请日：2024-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  洪元赫 ,  朴金锡 ,  朴世廷 ,  徐康一

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：沟道结构；源区/漏区，通过沟道结构连接；以及背侧接触结构，形成在源区/漏区中的至少一个下方，其中，在第一方向剖视图中，背侧接触结构的靠近源区/漏区的上部的宽度小于背侧接触结构的远离源区/漏区的下部的宽度，其中，在第二方向剖视图中，背侧接触结构的上部的宽度和背侧接触结构的下部的宽度沿着竖直向下的方向基本均匀，并且其中，第一方向与第二方向相交。

公开(公告)号：CN116960124A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310442722.1

申请日：2023-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹健浩 ,  洪炳鹤 ,  白在职 ,  尹承灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种多堆叠半导体器件及其制造方法，该多堆叠半导体器件包括：下纳米片晶体管，包括被栅极结构围绕的多个下沟道层；以及上纳米片晶体管，堆叠在下纳米片晶体管上并包括被栅极结构围绕的多个上沟道层，其中下沟道层具有比上沟道层小的沟道间隔。

公开(公告)号：CN115939133A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211131804.6

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  徐康一 ,  尹承灿

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8249

Abstract: 提供了包括二极管结构的集成电路器件及其形成方法。二极管结构可以包括：衬底；上半导体层，在垂直方向上与衬底间隔开；上薄半导体层，从上半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；下半导体层，在衬底和上半导体层之间并具有第一导电类型；下薄半导体层，从下半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；第一二极管接触，电连接到下半导体层；以及第二二极管接触，电连接到衬底的一部分和上半导体层中的一个。衬底的所述部分和上半导体层中的所述一个可以具有第二导电类型。