半导体存储器装置及具有该装置的存储器系统和电子装置

    公开(公告)号:CN109994138B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN201810730845.4

    申请日:2018-07-05

    Inventor: 崔娟圭 吴起硕

    Abstract: 本申请提供了一种半导体存储装置、存储器系统和电子装置。所述半导体存储装置被配置为:响应于模式设置命令而输入模式设置代码并设置在线数据;利用写命令处理数据位数信息以产生第一数据信号;利用读命令处理数据位数信息以产生第二数据信号;基于使用行地址和激活命令产生的字线选择信号和使用列地址和写命令或读命令产生的列选择信号来存取所选存储器单元;响应于第一数据信号,处理第一数量的数据位并将第一数量的数据位发送到所选的存储器单元,并且响应于第二数据信号,处理从所选的存储器单元接收的数据并输出第二数量的数据位。

    存储设备及其时钟训练方法

    公开(公告)号:CN108010545B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN201710914705.8

    申请日:2017-09-29

    Inventor: 崔娟圭 申丞濬

    Abstract: 一种用于存储设备的训练方法包括:在存储器控制器处向存储设备提供时钟信号,以在时钟信号的参考时间点对控制信号进行同步。当诸如训练时钟信号之类的时钟信号在参考时间点之后不转变时,基于所述时钟信号和所述控制信号来寻找所述存储设备不能在参考时间点对所述控制信号进行采样的失败时间点。可以基于所述失败时间点来设置所述控制信号的同步时间点,在所述同步时间点所述存储设备确保在参考时间点对所述控制信号进行采样的采样裕度。采样器电路可以在所述时钟信号的上升沿的边沿对所述控制信号进行采样。

    存储器系统、控制存储器装置的刷新的方法、存储器装置

    公开(公告)号:CN114550768A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111368418.4

    申请日:2021-11-18

    Abstract: 提供一种存储器系统、控制存储器装置的刷新的方法和存储器装置。存储器系统包括存储器控制器和存储器装置。存储器控制器以平均刷新间隔周期性地生成刷新命令。存储器装置在刷新周期时间期间执行正常刷新操作和锤刷新操作。存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括连接至所述多条字线的存储器单元;温度传感器,其被配置为通过测量所述存储器单元阵列的操作温度提供温度信息;以及刷新控制器,其被配置为控制所述正常刷新操作和所述锤刷新操作。刷新控制器改变所述刷新周期时间期间执行的锤刷新操作的单位锤执行数相对于所述刷新周期时间期间执行的正常刷新操作的单位正常执行数的锤率。

    存储器装置及其操作方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114203229A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111025401.9

    申请日:2021-09-02

    Abstract: 一种存储器装置包括:第一电路;第二电路;以及自适应体偏压产生器,其被配置为接收频率检测信息或者温度检测信息,以响应于所述频率检测信息或者所述温度检测信息将第一正体偏压或者第一反体偏压施加至所述第一电路,并且响应于所述频率检测信息或者所述温度检测信息将第二正体偏压或者第二反体偏压施加至所述第二电路。

    存储设备及其时钟训练方法

    公开(公告)号:CN108010545A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201710914705.8

    申请日:2017-09-29

    Inventor: 崔娟圭 申丞濬

    Abstract: 一种用于存储设备的训练方法包括:在存储器控制器处向存储设备提供时钟信号,以在时钟信号的参考时间点对控制信号进行同步。当诸如训练时钟信号之类的时钟信号在参考时间点之后不转变时,基于所述时钟信号和所述控制信号来寻找所述存储设备不能在参考时间点对所述控制信号进行采样的失败时间点。可以基于所述失败时间点来设置所述控制信号的同步时间点,在所述同步时间点所述存储设备确保在参考时间点对所述控制信号进行采样的采样裕度。采样器电路可以在所述时钟信号的上升沿的边沿对所述控制信号进行采样。

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