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公开(公告)号：CN108242510A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711391838.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5203 , H01L51/5237
Abstract: 一种电子器件包括多个像素电极、在多个像素电极上的有源层、在有源层上并覆盖有源层的整个上表面的相对电极、以及在相对电极上的第一封装膜，其中相对电极和第一封装膜具有共同的平面形状。
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公开(公告)号：CN107403867A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710037428.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/447 , H01L27/307 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5056 , Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L27/14643 , H01L51/0032 , H01L51/44
Abstract: 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子装置。有机光电器件可包括在第一电极和第二电极之间的光电转换层以及在所述光电转换层上的缓冲层。光电转换层可在第一电极和第二电极之间，且缓冲层可在第一电极和光电转换层之间。光电转换层可至少包括配置成提供p-n结的第一光吸收材料和第二光吸收材料。缓冲层可包括第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料。非吸收材料可具有约5.4eV-约5.8eV的HOMO能级。非吸收材料可具有大于或等于约2.8eV的能带隙。
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公开(公告)号：CN106298823A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610464409.8
申请日：2016-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/008 , H01L51/44 , H01L51/441 , H01L27/14625 , H01L27/14643
Abstract: 一种图像传感器包括配置为感测在可见光波长谱中的光的至少一个第一像素和配置为感测在红外光波长谱中的光的第二像素。第二像素包括限定在第二像素中的第一光电器件。第一光电器件包括在第一电极和第二电极之间并且配置为选择性地吸收在红外光谱中的光的红外光吸收层。第二像素可以配置为补偿图像传感器的亮度灵敏性。第一和第二像素可以包括在单元像素组中。图像传感器可以包括布置为一行或多行以及一列或多列的多个单元像素组的阵列。
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公开(公告)号：CN105712993A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510958624.9
申请日：2015-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述化合物由化学式1表示，所述有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层，并且所述图像传感器和所述电子器件包括所述有机光电器件。在化学式1中，A、R1-R4、m、n和Ra如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN102136499B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110031440.X
申请日：2011-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT可包括浮置沟道和绝缘层，浮置沟道在沟道表面上形成为与源极和漏极分隔开，绝缘层形成在浮置沟道上并设计为控制浮置沟道与源极或漏极之间的距离。
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公开(公告)号：CN118546146A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410209397.9
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D491/048 , H10K30/60 , H10K39/34 , H10K39/32 , C07D495/04 , C07D517/04 , C07D513/04 , C07D409/14 , C07D421/14 , C07D491/16 , C07D495/16 , H10K85/60 , G01N21/27
Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1至3的任一个表示，并且具有大于或等于约1.55分子/nm3的分子堆积密度。在化学式1至3中，各取代基的定义如说明书中所描述的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111192962B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201911034343.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间且配置为吸收在光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换为电信号的光电转换层、以及在所述第一电极和所述光电转换层之间且具有比光电转换层的电荷迁移率高的电荷迁移率的有机辅助层。有机传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机传感器。
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公开(公告)号：CN117500331A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310929614.7
申请日：2023-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K59/12 , H10K101/40
Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括：在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器，光电传感器在基板上并且包括光敏层，光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸，使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。
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公开(公告)号：CN111009556B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910938569.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K50/805 , G06V40/13
Abstract: 提供了OLED显示面板、包括其的显示设备和执行生物特征识别的方法。该OLED显示面板可以包括：基板；OLED光发射器，在基板上并且被配置为发射光；以及可见光传感器，在基板上并且被配置为基于所发射的光的至少一部分的自识别目标的反射而检测所发射的光的所述部分。可见光传感器在与OLED光发射器相邻的非发光区域中从而在平行于基板的上表面延伸的水平方向上与OLED光发射器水平对准，或者在基板和与OLED光发射器相邻的非发光区域之间使得可见光传感器在垂直于基板的上表面延伸的垂直方向上与非发光区域垂直对准。
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