公开(公告)号：CN110690287A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910593346.X

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  金完敦 ,  金元洪 ,  朴锺昊 ,  白贤俊 ,  李炳训 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN110299309A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910225551.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宪福 ,  金大容 ,  金东佑 ,  朴俊起 ,  李相烨 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。

公开(公告)号：CN109817702A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811214332.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金信惠 ,  吴暻锡 ,  曹九荣 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括基底和从基底突出的多个半导体鳍。源区/漏区设置在半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处，均具有比半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度。栅电极设置在半导体鳍的侧表面上并且位于源区/漏区下。绝缘层接触半导体鳍的侧表面并且覆盖栅电极的上表面。

公开(公告)号：CN109524468A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811085088.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  李东洙 ,  金相溶 ,  张镇圭 ,  郑元根 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值电压控制图案的厚度。

公开(公告)号：CN107039529A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610971023.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴文圭 ,  宋在烈 ,  罗勋奏 ,  黄允泰 ,  尹琪重 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供了在栅绝缘膜中具有更少缺陷以及和改善的可靠性的半导体器件以及形成该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括在基板上的栅绝缘膜和在栅绝缘膜上的栅电极结构。栅电极结构可以包括在栅绝缘膜上顺序层叠的下导电膜、硅氧化物膜和上导电膜。下导电膜可以包括阻挡金属层。

公开(公告)号：CN106611783A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610880643.9

申请日：2016-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元根 ,  李厚容 ,  全宅洙 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽；衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及第一填充金属，在第一阻挡金属上。

公开(公告)号：CN101728329B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。

公开(公告)号：CN118448415A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410708663.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  朴起丙 ,  吕京奂 ,  李承宰 ,  田炅烨 ,  河承锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。

公开(公告)号：CN109979937B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201811567096.4

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟昊 ,  金完敦 ,  任廷爀 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/49

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上并具有彼此不同的阈值电压的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的每个包括栅极绝缘层、第一功函数金属层和第二功函数金属层。第一晶体管的第一功函数金属层可以包括第一子功函数层，第二晶体管的第一功函数金属层可以包括第二子功函数层，第三晶体管的第一功函数金属层可以包括第三子功函数层，第一子功函数层、第二子功函数层和第三子功函数层可以具有彼此不同的功函数。

公开(公告)号：CN111146279B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201911021012.1

申请日：2019-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  朴钟昊 ,  金完敦 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：多个半导体图案，所述多个半导体图案在衬底上顺序地堆叠并彼此间隔开；以及栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上。所述栅电极包括顺序地堆叠在所述多个半导体图案上的覆盖图案和功函数图案。所述覆盖图案包括第一金属氮化物层和第二金属氮化物层，所述第一金属氮化物层包括第一金属元素，所述第二金属氮化物层包括功函数大于所述第一金属元素的功函数的第二金属元素。所述第一金属氮化物层设置在所述第二金属氮化物层与所述多个半导体图案之间。所述第一金属氮化物层比所述第二金属氮化物层薄。