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公开(公告)号：CN117936542A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311387336.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括：在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案在与第一方向相交的第三方向上与第二有源图案至少部分重叠；多个栅极结构，其在第二方向上延伸跨过第一有源图案和第二有源图案，第二方向与第一方向和第三方向相交；单元的至少一个金属层中的多条金属线，金属线在第一方向上延伸，并且金属线中的至少一条连接到第一有源图案和第二有源图案中的至少一个以及栅极结构；以及至少一个电源轨，其将第一有源图案和第二有源图案中的至少一个连接到至少一个电压源。
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公开(公告)号：CN104699884A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410737765.3
申请日：2014-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金珍泰
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5068
Abstract: 本公开提供了布图设计系统以及使用该系统制造的半导体器件。一种布图设计系统包括：存储单元，存储第一标准单元设计和第二标准单元设计；偏移模块，布置第一标准单元设计和第二标准单元设计以根据芯片设计要求产生中间设计，其中用于第一标准单元设计的第一区域和用于第二标准单元设计的第二区域在中间设计中通过填充设计而分离，该填充设计没有有源区。
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公开(公告)号：CN1815196B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610005877.5
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01J3/10 , G01J3/02 , G01J3/0218 , G01J3/0256 , G01J3/4406 , G01J2003/1213 , G01N21/05 , G01N21/6452 , G01N21/6456 , G01N2021/0346 , G01N2021/3174 , G01N2021/6419 , G01N2021/6421 , G01N2021/6471 , G01N2021/6484 , G01N2201/0221 , G01N2201/0407 , G01N2201/0461 , G01N2201/0612 , G01N2201/0627 , G01N2201/0631 , G01N2201/0806 , G01N2201/0833
Abstract: 提供一种多通道荧光测量光学系统及使用该光学系统的多通道荧光样本分析仪。将光照射在多个样本通道并就年样本发出的荧光的多通道荧光测量光学系统，包括：光源；用于使光源发出的光具有均匀强度分布的积分器；具有其上配置有样本的多个样本通道的样本架，其中利用从积分器发出的光来激励所述样本；以及置于所述积分器和样本架之间用于以预定比例分开入射光的分束器。由于利用光纤束和光电二极管能够检测荧光的光强，故可以大幅度缩减制造成本并微型化光学系统。
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公开(公告)号：CN100480677C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510099239.X
申请日：2005-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N21/645 , G01J3/51 , G01N2021/6421 , G01N2021/6471
Abstract: 本发明提供了一种能够利用光学检测器以不同波长高速测量多通道试样的光学检测装置以及一种使用该光学检测装置的多通道试样分析器。该光学检测装置包括一光学检测器；一具有彼此连接成盘状的至少两个滤色镜的滤光轮；多个光学通道，多个光束通过该多个光学通道进入所述滤光轮；以及一反射镜单元，其包括多个反射镜，用于顺序地将透过该滤光轮的多个光束反射到所述光学检测器，其中所述反射镜单元与所述滤光轮一起旋转。
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公开(公告)号：CN101012484A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710084987.X
申请日：2005-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C12Q1/6851
Abstract: 本发明提供了一种从实时核酸扩增数据中定量核酸初始浓度的方法。从生物体或病毒中提取的核酸(DNA或RNA)应用酶进行扩增。然后核酸的初始浓度通过计算当核酸的荧光强度减去核酸的背景荧光强度后为最大值的一半时的特征扩增循环数或特征扩增时间，或者扩增效率为最大或最小值时的特征扩增循环数或特征扩增时间，或者扩增前核酸的荧光强度减去核酸的背景荧光强度的方法获得。因此，核酸的初始浓度可不用微分或积分进行计算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119922972A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411025594.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：第一源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区的第一部分上的第一接触结构；以及在第一源极/漏极区的第二部分上的第二接触结构，其中第一接触结构和第二接触结构中的至少一个被配置为将第一源极/漏极区连接到用于信号路由的另一电路元件或电压源。
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公开(公告)号：CN110828449B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910327491.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。一种集成电路可以包括：第一标准单元，包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线；和第二标准单元，其包括在第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离，并可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
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公开(公告)号：CN113571509A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110441277.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体装置，其包括在衬底上的第一标准单元和第二标准单元，第一标准单元和第二标准单元具有各自的半导体元件和电连接到半导体元件的第一互连线。提供布线结构，布线结构设置在第一标准单元和第二标准单元上。布线结构包括电连接到第一互连线的第二互连线。第一互连线包括被构造为向半导体元件供电的第一电力传输线和电耦接到半导体元件的第一信号传输线。第二互连线包括：(i)第二电力传输线，其电连接到第一电力传输线并且延伸第一长度，(ii)第二信号传输线，其电连接到第一信号传输线，以及(iii)钉线，其电连接到第一电力传输线，在第一标准单元和第二标准单元之间的边界上延伸，并且延伸小于第一长度的第二长度。
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公开(公告)号：CN110828449A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910327491.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。一种集成电路可以包括：第一标准单元，包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线；和第二标准单元，其包括在第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离，并可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
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公开(公告)号：CN106055725A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610203484.9
申请日：2016-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072
Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法，所述制造半导体装置的方法包括：提供用于形成相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元以及相邻的虚设单元和第三逻辑单元的前导电线和后导电线。来自第一逻辑单元的导电线之中的与第二逻辑单元相邻的第一导电线与来自第二逻辑单元的导电线之中的与第一逻辑单元相邻的第二导电线分隔开第一参考距离。来自虚设单元的导电线之中的与第三逻辑单元相邻的虚设线与来自第三逻辑单元的导电线之中的与虚设单元相邻的第三导电线分隔开第二参考距离。第二参考距离大于第一参考距离。
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