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公开(公告)号：CN1825210B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610059996.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70233
Abstract: 一种离轴投影光学系统包括：离轴设置并共用一共焦点的第一和第二反射镜，它们布置成减小线性象散。假设物面和第一反射镜之间的距离是l1，光从物面到第一反射镜的入射角是i1，第一反射镜和共焦点之间的距离是l1’，共焦点和第二反射镜之间的距离是l2，光从第一反射镜到第二反射镜的入射角是i2，第二反射镜和像面之间的距离是l2’，则第一和第二反射镜的布置满足以下等式：
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公开(公告)号：CN101414599A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810144945.5
申请日：2008-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , G11C17/16 , H01L27/1021 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种反熔丝结构和反熔丝阵列结构。反熔丝结构包括：位线，在半导体基底内被形成为第一扩散区；绝缘层，形成在位线上；字线，形成在绝缘层上。反熔丝阵列结构包括以阵列形式布置的多个反熔丝结构。
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公开(公告)号：CN101404180A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810213021.6
申请日：2008-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , H01L27/11521 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置可包括：一条或多条主串，每条主串可包括第一和第二子串，第一和第二子串可分别包括多个存储单元晶体管；电荷供应线，可被构造为向每条主串的第一和第二子串提供电荷或阻止电荷达到每条主串的第一和第二子串。其中，每条主串可包括：第一地选择晶体管，可连接到第一子串；第一子串选择晶体管，可连接到第一地选择晶体管；第二地选择晶体管，可连接到第二子串；第二子串选择晶体管，可连接到第二地选择晶体管。
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公开(公告)号：CN101183678A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710166997.8
申请日：2007-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/088 , H01L21/8247 , H01L21/8234
Abstract: 示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，该半导体基底具有体和从所述体突出的一对鳍。在所述一对鳍的内侧壁的上部上可以形成内部间隔绝缘层，从而减小进入所述一对鳍之间的区域的入口。栅电极可以覆盖所述一对鳍的外侧壁的一部分，并且可以延伸越过内部间隔绝缘层，从而在所述一对鳍之间限定空隙。可以在栅电极和所述一对鳍之间设置栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN101038923A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710085478.9
申请日：2007-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种不易受读干扰且具有改善的短沟道效应的非易失存储器件及其制造方法。该非易失存储器件可以包括具有主体和鳍对的半导体衬底。桥绝缘层可以非电连接鳍对的上部分以在所述鳍对之间界定空缺，其中所述鳍对的外表面是不面对所述空缺的鳍对的表面，且所述鳍对的内表面是面对所述空缺的鳍对的表面。该非易失存储器件还可以包括至少一个控制栅电极，覆盖所述鳍对的外表面的至少一部分，在所述桥绝缘层上方延伸，且从所述半导体衬底隔离。至少一对栅绝缘层可以位于所述控制栅电极和所述鳍对之间，且至少一对存储节点可以位于所述至少一对栅绝缘层和至少一个控制栅电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825210A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610059996.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70233
Abstract: 一种离轴投影光学系统包括：离轴设置并共用一共焦点的第一和第二反射镜，它们布置成减小线性象散。假设物面和第一反射镜之间的距离是l1，光从物面到第一反射镜的入射角是i1，第一反射镜和共焦点之间的距离是l1’，共焦点和第二反射镜之间的距离是l2，光从第一反射镜到第二反射镜的入射角是i2，第二反射镜和像面之间的距离是l2’，则第一和第二反射镜的布置满足等式a。
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公开(公告)号：CN1821868A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008641.7
申请日：2006-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G21K2201/067
Abstract: 一种光掩模及其方法。在示例方法中，该光掩模可以通过以下步骤制造：在表面上形成氧化物层；构图所述氧化物层以形成氧化物图案，所述氧化物图案包括多个氧化物图案主体和多个氧化物窗口；用吸收剂填充所述多个氧化物窗口以形成吸收剂图案；以及减少所述多个氧化物图案主体。示例的光掩模可以包括基于氧化物图案的吸收剂图案，其包括多个吸收剂图案主体和多个吸收剂图案窗口。
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公开(公告)号：CN1797192A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510124778.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种反射光掩模，允许在光刻中将用于吸收EUV射线的吸收剂图形的设计形状正确转移到硅晶片，所述光掩模包括：衬底，由反射EUV射线的材料构成、形成在衬底上的反射层，以及通过使用离子注入注入吸收EUV射线的吸收剂的离子形成在反射层上的具有预定图形的离子区段。本发明还提供一种制造反射光掩模的方法。
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公开(公告)号：CN1728399A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200410103884.X
申请日：2004-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , Y10T29/417
Abstract: 一种铁电电容器，其中包括：包含Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。一种铁电存储器，包括基底和基底上设置的多个存储器单元。每一存储器单元包括：含有Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN101447502B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810212778.3
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/02 , G11C5/025 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种可以具有堆叠结构并可以以增大的密度容易地集成的非易失性存储装置以及制造该非易失性存储装置和使用该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一对第一电极线。至少一条第二电极线可以在所述至少一对第一电极线之间。至少一个数据存储层可以在所述至少一对第一电极线和所述至少一条第二电极线之间，并可以局部地存储电阻变化。
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