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公开(公告)号：CN103839986B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201310042628.3
申请日：2013-02-01
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。
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公开(公告)号：CN104078494B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310308658.4
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括：彼此间隔预定距离而形成的多个沟道栅，形成于所述沟道栅之间的电流增强部件，且所述电流增强部件包括第一导电型发射极层和形成于所述沟道栅表面上的栅极氧化层，以及形成于所述沟道栅之间的抗干扰性改善部件，所述抗干扰性改善部件包括第二导电型体层、形成于所述沟道栅表面上的保护膜和厚度小于所述电流增强部件的所述栅极氧化层的厚度的栅极氧化层。
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公开(公告)号：CN106033768A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510102793.2
申请日：2015-03-09
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0623
Abstract: 本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上。由于电阻层设置在第二导电型电场限制环之下，可有优势地影响半导体器件的击穿电压并提高半导体器件的耐用性。
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公开(公告)号：CN103794646A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310024226.0
申请日：2013-01-22
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0804
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一半导体区，具有第一导电类型；第二半导体区，具有第二导电类型，并且形成在第一半导体区的一个表面上；第三半导体区，具有第一导电类型，并且形成在第二半导体区的一个表面上；栅极电极，形成在穿过第二半导体区和第三半导体区以到达第一半导体区的内部的沟槽中；以及空穴注入单元，形成在栅极电极和第一半导体区之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119724929A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410659641.1
申请日：2024-05-27
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体上。所述内电极层包括镍(Ni)和铈(Ce)，并且沿着所述内电极层的厚度方向，所述内电极层包括上部部分、中间部分和下部部分，所述中间部分被称为中央区域，并且具有所述内电极层与所述介电层之间的界面的所述上部部分和所述下部部分中的至少一个被称为界面区域，所述内电极层的所述中央区域和所述界面区域两者包括铈(Ce)，并且所述界面区域中的铈(Ce)相对于镍的重量百分比高于所述中央区域中的铈(Ce)相对于镍的重量百分比。
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公开(公告)号：CN112289586B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010708682.7
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并且电连接到所述内电极。所述内电极中的每个包括镍‑钴合金，并且基于100at％的镍，钴的含量为0.01at％至10at％。
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公开(公告)号：CN110098053B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201811352166.4
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01G4/228
Abstract: 本公开提供一种电容器及制造该电容器的方法，所述电容器包括：基板，包括彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，设置在第一沟槽中以及基板的一个表面上；第二电极，设置在第二沟槽中以及基板的一个表面上，并与第一电极间隔开；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别布置在第一电极和第二电极上；以及钝化层，设置在第一电极和第二电极以及第一焊盘电极和第二焊盘电极上，并具有分别部分地暴露第一焊盘电极和第二焊盘电极的开口。
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公开(公告)号：CN103872116A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310148587.6
申请日：2013-04-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095 , H01L29/41741
Abstract: 本发明在此公开一种功率半导体设备，该功率半导体设备包括：漂移层，该漂移层形成在半导体衬底的第一表面上；第一导电类型的井层，该第一导电类型的井层形成在漂移层上；沟槽，该沟槽被形成以在厚度方向上通过井层到达漂移层；第一电极，该第一电极形成在沟槽内；第二导电类型的第二电极区，该第二导电类型的第二电极区形成在井层上，包括在垂直方向上与沟槽接触的第一区和在平行方向上与沟槽分隔开且与第一区垂直的第二区；第一导电类型的第二电极区，该第一导电类型的第二电极区被形成以与第二导电类型的第二电极区的侧表面接触；以及第二电极，该第二电极形成在井层上并且电连接至第二导电类型的第二电极区和第一导电类型的第二电极区。
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公开(公告)号：CN103839986A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310042628.3
申请日：2013-02-01
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。
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