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公开(公告)号：CN1367540A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN01143304.3
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L2933/0016 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0217 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , Y10S438/928
Abstract: 在此提供一种GaN基III－V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III－V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极,在它们之间夹着高阻蚀基片,以及用于产生激光或发光的材料层,第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部,以覆盖最外材料层的暴露区域。
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公开(公告)号：CN114694960A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111002032.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极被设置为彼此面对并交替地堆叠，且相应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间；第一外电极，连接到所述第一内电极；第二外电极，连接到所述第二内电极；以及保护层，设置在所述陶瓷主体、所述第一外电极和所述第二外电极上，其中，所述保护层包括粘合辅助层和涂层。
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公开(公告)号：CN101026220B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610136065.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/22 , B41J2/14 , B41J2/045
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2002/14491 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
Abstract: 本发明提供了用于喷墨头的压电致动器及其制造方法。所述压电致动器形成在振动板上，用于向各个压力室提供驱动力。该压电致动器包括：形成在所述振动板上的下电极；形成在下电极上、处于对应于各个压力室的位置的压电层；形成在下电极上的支撑垫，该支撑垫接触压电层的一端并从压电层的该端延伸出；和从压电层顶面延伸至支撑垫顶面的上电极，其中，上电极在支撑垫上方连接至一驱动电路，用于从该驱动电路接收电压。压电层可以具有与压力室大致相同的长度。支撑垫可以由光敏聚合物形成，并可以具有与压电层大致相同的高度。上电极可以包括形成在压电层上的第一部分和形成在支撑垫上的第二部分，该第二部分比第一部分宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101007462B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610151301.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , Y10T29/42 , Y10T29/49401
Abstract: 本发明公开了一种压电喷墨打印头及其制造方法。压电喷墨打印头构造成具有两个堆叠并连结的衬底。上衬底由单晶硅衬底或SOI衬底形成并包括穿过该上衬底的墨入口。下衬底由SOI衬底形成，SOI衬底具有第一硅层、中间氧化层和第二硅层顺序堆叠的结构。歧管、压力室和阻尼器通过湿法或干法蚀刻而形成在第二硅层中，喷嘴通过干法蚀刻而穿过中间氧化层和第一硅层形成。压电致动器形成在上衬底上，用于向各压力室施加驱动力，以喷射墨。该压电喷墨打印头构造成具有少量的衬底，从而减小了制造过程和成本，中间氧化层用作蚀刻停止层，以均匀地形成喷嘴，从而提高墨喷射性能。
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公开(公告)号：CN101024353B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200610143324.6
申请日：2006-11-03
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , H05K3/107 , H05K3/1216 , Y10T29/42
Abstract: 一种通过丝网印刷形成厚层的方法和形成喷墨头压电致动器的方法。所述形成厚层的方法包括：在表面形成预定深度的引导槽；通过丝网印刷施加膏状材料至引导槽内侧表面而形成厚层。引导槽具有与厚层相同的轮廓。通过在引导槽的内侧施加膏状材料使膏状物宽度小于引导槽宽度并使施加膏状物通过延展具有与引导槽相同的宽度而形成厚层。形成所述压电致动器的方法包括：在振动板顶表面上形成绝缘层，且在对应每个压力腔处在振动板顶表面或绝缘层中形成预定深度的引导槽；在绝缘层顶表面上形成下电极；通过丝网印刷将压电膏状材料施加至下电极顶表面上引导槽内侧而形成压电层；及在压电层顶表面上形成上电极。
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公开(公告)号：CN100452447C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN01143304.3
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L2933/0016 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0217 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , Y10S438/928
Abstract: 在此提供一种GaN基III-V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III-V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间夹着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。
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公开(公告)号：CN1630112A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410076862.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: C12P19/34 , C12Q1/6806 , C12Q2527/125
Abstract: 在此提供一种GaN基III－V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III－V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间夹着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。
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