半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2020121651A1

    公开(公告)日:2021-10-21

    申请号:JP2019041289

    申请日:2019-10-21

    Abstract: 絶縁層と絶縁層上に設けられた配線導体とを備えた半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法であって、厚さが1μm〜80μmのコア樹脂層の両面に厚さが1μm〜70μmであり且つコア樹脂層から剥離可能な第1の金属層と第1の絶縁性樹脂層と第2の金属層とが配置された積層体を形成し、積層体を一括で加熱加圧して第1の基板を形成する第1の基板形成工程(a)と、第1の基板の第2の金属層にパターンを形成するパターニング工程(b)と、前記第1の基板の第2の金属層表面に第2の絶縁性樹脂層と第3の金属層とを配置して形成した積層体を加熱加圧して第2の基板を形成する第2の基板形成工程(c)と、コア樹脂層から、第1の金属層と第1の絶縁性樹脂層と第2の金属層と第2の絶縁性樹脂層と第3の金属層を備えた第3の基板を剥離する剥離工程(d)と、を含む。

    プリント配線板の製造方法
    16.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020072113A

    公开(公告)日:2020-05-07

    申请号:JP2018202803

    申请日:2018-10-29

    Abstract: 【課題】プリント配線板変形や金属箔損傷や変形することなく、極小径バイアホールを高精度及び高生産性で形成するプリント配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】第1の金属箔11、絶縁性樹脂層10、第2の金属箔12の順で積層された金属箔張積層板を用い、第1の金属箔表面に第1のレジスト層13形成工程、第1のレジスト層表面から絶縁性樹脂層まで至る第1のバイアホール31を設ける工程、第1のレジスト層表面に第2のレジスト層14形成工程、第1のバイアホール位置に、第2のレジスト層表面から第1のレジスト層まで至り、第1のバイアホールより大きく、第1のバイアホールを開孔させるように第2のバイアホール32を設ける工程、第1及び第2のバイアホールの両方が重複する部位における絶縁性樹脂層にブラスト加工し、第2の金属箔まで至る第3のバイアホール33を設ける工程、第1及び第2のレジスト層を除去する工程と、を含む。 【選択図】図1

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