Cu-Ga合金溅射靶的制造方法及Cu-Ga合金溅射靶

    公开(公告)号:CN108603280A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780007758.X

    申请日:2017-01-12

    Abstract: 一种由Cu-Ga合金构成且具有中空部的Cu-Ga合金溅射靶(10)的制造方法,该方法具有:临时烧结工序(S02),向具有型芯(32)的成型模具填充至少含有CuGa合金粉的原料粉,并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体(13);及正式烧结工序(S03),从所述临时烧结体(13)抽取所述型芯(32),并在还原气氛中加热所述临时烧结体(13)而形成烧结体,所述临时烧结工序(S02)中,作为所述型芯(32),使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu-Ga合金溅射靶(10)的Cu-Ga合金的材质构成的型芯,在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下,由此形成所述临时烧结体(13)。

    突波吸收器
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100566057C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200480020661.5

    申请日:2004-07-13

    Abstract: 本发明提供一种突波吸收器,被覆有在高温区域中化学稳定性优良、且对主放电电极的附着力优良的氧化物层。本发明具有:介由放电间隙(2)而导电性覆膜(3)被分割形成的圆柱状陶瓷(4);相对配置在圆柱状陶瓷(4)的两端,与导电性覆膜(3)接触的一对主放电电极部件(5);以及将一对主放电电极部件(5)相对地配置,在内部将圆柱状陶瓷(4)与密封气体(6)一同密封的筒型陶瓷(7);至少在作为一对主放电电极部件(5)的突出支撑部(9)相对面的主放电面(9A)上,形成有通过氧化处理得到的氧化膜(9B)。

    圆筒型溅射靶
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111032904A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201780093699.2

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶具备呈圆筒形状的靶材及经由接合层接合于该靶材的内周侧的衬管,所述衬管中的径向的热阻被设为6.5×10-5K/W以下。

    合成非晶态二氧化硅粉末及其制造方法

    公开(公告)号:CN102656117B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201080059159.0

    申请日:2010-12-27

    Inventor: 植田稔晃

    Abstract: 本发明的合成非晶态二氧化硅粉末是对制粒后的二氧化硅粉末实施球化处理、然后洗涤、干燥得到的平均粒径D50为10-2000 μm的合成非晶态二氧化硅粉末,其特征在于,BET比表面积除以由平均粒径D50计算的理论比表面积所得的值超过1.35且为1.75以下,真密度为2.10 g/cm3-2.20 g/cm3,颗粒内空隙率为0-0.05以下,圆形度为0.50以上且0.75以下,以及球化率为0.20以上且低于0.55。该合成非晶态二氧化硅粉末中,吸附于表面的气体成分、粉末内部的气体成分少,因此,对于使用该粉末制造的合成石英玻璃制品,即使在高温和减压的环境下使用,气泡的产生或膨胀也得以大幅降低。

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