-
-
公开(公告)号：CN105722788B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480062560.8
申请日：2014-12-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 植田稔晃
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2002/02 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/80
Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种合成非晶质二氧化硅粉末及其制造方法，所述合成非晶质二氧化硅粉末适合于在高温及减压的环境下使用的合成二氧化硅玻璃产品的原料，在高温及减压的环境下的使用中稳定地抑制气泡的产生或膨胀，并且可以以较低成本得到。而且，本发明为一种合成非晶质二氧化硅粉末，其以二氧化硅作为原料，通过造粒和烧成而得到，所述合成非晶质硅石粉末的特征在于，(1)体积基准的粒度分布的累积频率50％的粒径DV50、(2)体积基准的粒径45μm以下的粒子的累积频率、(3)体积基准的粒度分布的累积频率90％的粒径DV90与体积基准的粒度分布的累积频率10％的粒径DV10之差除以体积基准的粒度分布的累积频率50％的粒径DV50的值(DV90‑DV10)/DV50、(4)个数基准的粒度分布的频率峰值的频率FNL与位于粒径30μm以下的个数基准的粒度分布的频率峰值的频率FNS之比FNL/FNS以及(5)体积密度在规定范围。
-
公开(公告)号：CN102652110B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201080057330.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 植田稔晃
CPC classification number: C01B33/181 , C01B33/14 , C01P2002/02 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C03B19/1025 , C03B19/1065 , C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2203/10 , C03C2203/27 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的合成非晶态二氧化硅粉末，是对二氧化硅粉末实施球化处理后，进行洗涤、干燥而得到的平均粒径D50为10～2000μm的合成非晶态二氧化硅粉末，其特征在于，用BET比表面积除以由平均粒径D50算出的理论比表面积而得的值为1.00～1.35，真密度为2.10～2.20g/cm3，粒子内空隙率为0～0.05，圆形度为0.75～1.00，以及球化率为0.55～1.00。该合成非晶态二氧化硅粉末在表面吸附的气体成分、粉末内部的气体成分少，因此对于使用该粉末制造的合成石英玻璃，即使在高温和减压的环境下使用，也可以大幅减少气泡的产生或膨胀。
-
公开(公告)号：CN102656117A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080059159.0
申请日：2010-12-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 植田稔晃
CPC classification number: C01B33/158 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12
Abstract: 本发明的合成非晶态二氧化硅粉末是对制粒后的二氧化硅粉末实施球化处理、然后洗涤、干燥得到的平均粒径D50为10-2000μm的合成非晶态二氧化硅粉末，其特征在于，BET比表面积除以由平均粒径D50计算的理论比表面积所得的值超过1.35且为1.75以下，真密度为2.10g/cm3-2.20g/cm3，颗粒内空隙率为0-0.05以下，圆形度为0.50以上且0.75以下，以及球化率为0.20以上且低于0.55。该合成非晶态二氧化硅粉末中，吸附于表面的气体成分、粉末内部的气体成分少，因此，对于使用该粉末制造的合成石英玻璃制品，即使在高温和减压的环境下使用，气泡的产生或膨胀也得以大幅降低。
-
公开(公告)号：CN1823458A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020661.5
申请日：2004-07-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01T4/12
Abstract: 本发明提供一种突波吸收器，被覆有在高温区域中化学稳定性优良、且对主放电电极的附着力优良的氧化物层。本发明具有：介由放电间隙(2)而导电性覆膜(3)被分割形成的圆柱状陶瓷(4)；相对配置在圆柱状陶瓷(4)的两端，与导电性覆膜(3)接触的一对主放电电极部件(5)；以及将一对主放电电极部件(5)相对地配置，在内部将圆柱状陶瓷(4)与密封气体(6)一同密封的筒型陶瓷(7)；至少在作为一对主放电电极部件(5)的突出支撑部(9)相对面的主放电面(9A)上，形成有通过氧化处理得到的氧化膜(9B)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105722788A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480062560.8
申请日：2014-12-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 植田稔晃
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2002/02 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/80
Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种合成非晶质二氧化硅粉末及其制造方法，所述合成非晶质二氧化硅粉末适合于在高温及减压的环境下使用的合成二氧化硅玻璃产品的原料，在高温及减压的环境下的使用中稳定地抑制气泡的产生或膨胀，并且可以以较低成本得到。而且，本发明为一种合成非晶质二氧化硅粉末，其以二氧化硅作为原料，通过造粒和烧成而得到，所述合成非晶质硅石粉末的特征在于，(1)体积基准的粒度分布的累积频率50％的粒径DV50、(2)体积基准的粒径45μm以下的粒子的累积频率、(3)体积基准的粒度分布的累积频率90％的粒径DV90与体积基准的粒度分布的累积频率10％的粒径DV10之差除以体积基准的粒度分布的累积频率50％的粒径DV50的值(DV90?DV10)/DV50、(4)个数基准的粒度分布的频率峰值的频率FNL与位于粒径30μm以下的个数基准的粒度分布的频率峰值的频率FNS之比FNL/FNS以及(5)体积密度在规定范围。
-
公开(公告)号：CN102652110A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080057330.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 植田稔晃
CPC classification number: C01B33/181 , C01B33/14 , C01P2002/02 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C03B19/1025 , C03B19/1065 , C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2203/10 , C03C2203/27 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的合成非晶态二氧化硅粉末，是对二氧化硅粉末实施球化处理后，进行洗涤、干燥而得到的平均粒径D50为10～2000μm的合成非晶态二氧化硅粉末，其特征在于，用BET比表面积除以由平均粒径D50算出的理论比表面积而得的值为1.00～1.35，真密度为2.10～2.20g/cm3，粒子内空隙率为0～0.05，圆形度为0.75～1.00，以及球化率为0.55～1.00。该合成非晶态二氧化硅粉末在表面吸附的气体成分、粉末内部的气体成分少，因此对于使用该粉末制造的合成石英玻璃，即使在高温和减压的环境下使用，也可以大幅减少气泡的产生或膨胀。
-
公开(公告)号：CN1861301A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610073394.9
申请日：2002-08-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供在高速切削下也能发挥优异的耐热塑变形性的表面被覆硬质合金切削工具。表面被覆的硬质合金切削工具，在碳化钨为主要成分的硬质合金基体表面具有硬质被覆层，此硬质被覆层的结构为(a)下层，为平均层厚0.5～20μm的、由下列中的1层或2层以上叠层形成的Ti化物层，(b)中间层，为平均层厚1～25μm的加热变态α型结晶结构的氧化铝层，(c)上层，为具有平均层厚0.3～10μm的且结晶结构为α型的蒸镀形成的氧化铝层以及根据需要的(d)表面层，其为具有0.1～5μm的平均层厚蒸镀形成的氮化钛层。
-
公开(公告)号：CN1396029A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02141903.5
申请日：2002-03-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C30/005 , Y10T428/24975
Abstract: 提供一种在重切削条件下切刃部位发挥优越耐崩刃性的表面涂覆硬质合金制造的切削工具，在碳化钨基硬质合金基体的表面上以0.8－10μm的总平均层厚蒸发形成由每层平均层厚0.01－0.1μm的第1薄层和第2薄层交互多重叠层构成的硬质涂覆层，而且以氮化钛构成上述第1薄层，以结晶构造κ型的氧化铝层构成上述第2薄层，同时上述第1薄层在硬质涂覆层中所占的比例为70－95质量％。
-
公开(公告)号：CN108603280B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201780007758.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种由Cu‑Ga合金构成且具有中空部的Cu‑Ga合金溅射靶(10)的制造方法，该方法具有：临时烧结工序(S02)，向具有型芯(32)的成型模具填充至少含有CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体(13)；及正式烧结工序(S03)，从所述临时烧结体(13)抽取所述型芯(32)，并在还原气氛中加热所述临时烧结体(13)而形成烧结体，所述临时烧结工序(S02)中，作为所述型芯(32)，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu‑Ga合金溅射靶(10)的Cu‑Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体(13)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.035 seconds)
