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公开(公告)号：CN105358733B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480038680.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧成体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由具有如下组织和如下成分组成的烧成体构成，所述组织为在具有Cu‑Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20原子％以上且30原子％以下的Ga，含有0.05～10原子％的Na，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少一种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰与归属于ζ相的衍射峰，所述γ相的平均粒径为100μm以下，所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。
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公开(公告)号：CN105358733A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480038680.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/45 , B22F2303/01 , B22F2303/15 , B22F2304/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C32/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧成体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由具有如下组织和如下成分组成的烧成体构成，所述组织为在具有Cu-Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20原子％以上且小于30原子％的Ga，含有0.05～10原子％的Na，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少一种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰与归属于ζ相的衍射峰，所述γ相的平均粒径为100μm以下，所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。
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公开(公告)号：CN102433532A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110299927.6
申请日：2011-09-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/08 , H01L31/048 , H01L51/52 , H01L51/54 , B32B9/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为MgO粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO和ZnO的混合粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～90∶95～10，且颗粒的碱度为0.1以上。
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公开(公告)号：CN102615872B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201110427162.X
申请日：2011-12-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: B32B9/04
Abstract: 本发明提供一种显示较高的水蒸气阻挡性的水蒸气阻挡膜。一种水蒸气阻挡膜，使用由第1氧化物(X)构成的蒸镀材和由第2氧化物(Y)构成的蒸镀材，利用通过反应性等离子体蒸镀法同时蒸镀的共蒸镀法成膜，且由2种氧化物构成，其特征在于，当阻挡膜的膜厚在30～500nm范围内时，满足θ×ΔB≥50(其中，50°≤θ≤125°，ΔB＞0.4)。另外，θ表示成膜后在温度25℃、相对湿度50％RH的条件下至少保持一天的水蒸气阻挡膜的水滴接触角，ΔB表示第1氧化物(X)的碱度BX与第2氧化物(Y)的碱度BY之差的绝对值。并且，将在水蒸气阻挡膜中的第1氧化物(X)的含有比例设为x摩尔、第2氧化物(Y)的含有比例设为y摩尔时，x及y满足0.05≤x/(x+y)≤0.95。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173717A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210359418.2
申请日：2012-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于形成同时具备无色透明性和较高的水蒸气阻挡性两者的水蒸气阻挡膜的蒸镀材及其成膜方法以及通过该方法成膜的水蒸气阻挡膜。本发明的水蒸气阻挡膜形成用蒸镀材由纯度为98％以上且小于100％的第1氧化物和纯度为98％以上且小于100％的第2氧化物构成，其特征在于，上述第1氧化物为WO3，上述第2氧化物为ZnO或SiO中的至少一方，将上述第1氧化物和第2氧化物的含有摩尔量分别设为X摩尔、Y摩尔时，组成比为0.05≤X摩尔/（X摩尔＋Y摩尔）≤0.95。
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公开(公告)号：CN102621048A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110427069.9
申请日：2011-12-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明提供水蒸气阻挡性的评价方法，该方法无需实际测定水蒸气透过率，就能够轻松评价水蒸气阻挡膜的水蒸气阻挡性。使用由第1氧化物(X)构成的蒸镀材和由第2氧化物(Y)构成的蒸镀材、或包含第1氧化物(X)及第2氧化物(Y)双方的蒸镀材，对通过真空成膜法成膜的水蒸气阻挡膜的水蒸气阻挡性进行评价的方法，其特征在于，将由下述公式(1)计算的S1的值当作在温度40℃、相对湿度90％RH的条件下放置1小时后以温度40℃、相对湿度90％RH的条件测定的水蒸气阻挡膜的水蒸气透过率S(g/m2·天)进行评价。公式(1)：log10S1＝-0.015×(θ×ΔB)-0.25，公式(1)中，θ表示水滴接触角，ΔB表示第1氧化物(X)的碱度Bx与第2氧化物(Y)的碱度By之差的绝对值。
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公开(公告)号：CN108603280B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201780007758.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种由Cu‑Ga合金构成且具有中空部的Cu‑Ga合金溅射靶(10)的制造方法，该方法具有：临时烧结工序(S02)，向具有型芯(32)的成型模具填充至少含有CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体(13)；及正式烧结工序(S03)，从所述临时烧结体(13)抽取所述型芯(32)，并在还原气氛中加热所述临时烧结体(13)而形成烧结体，所述临时烧结工序(S02)中，作为所述型芯(32)，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu‑Ga合金溅射靶(10)的Cu‑Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体(13)。
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公开(公告)号：CN108603280A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780007758.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种由Cu-Ga合金构成且具有中空部的Cu-Ga合金溅射靶(10)的制造方法，该方法具有：临时烧结工序(S02)，向具有型芯(32)的成型模具填充至少含有CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体(13)；及正式烧结工序(S03)，从所述临时烧结体(13)抽取所述型芯(32)，并在还原气氛中加热所述临时烧结体(13)而形成烧结体，所述临时烧结工序(S02)中，作为所述型芯(32)，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu-Ga合金溅射靶(10)的Cu-Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体(13)。
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公开(公告)号：CN105473758B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201380078980.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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