-
公开(公告)号：CN115552603A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180033345.5
申请日：2021-04-05
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/00 , G11C5/04 , G11C11/413
Abstract: 用于利用有源桥将小芯片耦合到微芯片的技术和机制。有源桥包括提供先前可以位于微芯片和/或小芯片上的各种功能和能力的电路。此外，有源桥可以利用直接键合技术经由“本机互连”耦合到微芯片和小芯片。利用有源桥以及有源桥到微芯片和小芯片的直接键合技术，互连的间距可以大大减小，从毫米间距减小到可以在小于1微米到大约5微米的范围内的精细间距。
-
公开(公告)号：CN114072907A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080044797.9
申请日：2020-06-19
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本文公开了用于使用互连装置来连接多个芯片的技术。在一些配置中，芯片上的一个或多个互连区可以彼此相邻，使得第一互连区的至少一部分边缘位于与第二互连区的边缘相邻。例如，互连区可以位于芯片的角落处，使得互连区的一个或多个边缘与另一芯片的互连区的一个或多个边缘对齐。包括至少一个互连区的芯片也可以被定位或者使用其他布局(诸如但不限于风轮布局)来直接键合到互连装置。在一些配置中，多于一个互连区可以被包括在芯片上。
-
公开(公告)号：CN113966505A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202080040920.X
申请日：2020-05-26
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: G06F15/78
Abstract: 本技术涉及片上系统(SoC)。SoC可以包括层上网络，其包括一个或多个路由器和接合到网络层的专用集成电路(ASIC)层，ASIC层包括一个或多个组件。在一些情形中，网络层和ASIC层各自包括有源表面和与有源表面相对的第二表面。ASIC层的有源表面和网络的第二表面可以各自包括一个或多个接触件，并且网络层可以经由在以下之间形成的接合而被接合到ASIC层：网络层的第二表面上的一个或多个接触件与在ASIC层的有源表面上的一个或多个接触件。
-
公开(公告)号：CN106104793A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480070770.1
申请日：2014-10-23
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/13 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种微电子封装件，所述微电子封装件具有介电元件，所述介电元件具有平行的第一孔和第二孔。第一微电子元件具有覆盖所述第一孔的触点，第二微电子元件具有覆盖所述第二孔的触点。所述第二微电子元件可覆盖所述第一微电子元件的背面，和所述介电元件的与所述第一微电子元件相同的表面。所述介电元件的第二表面上位于所述第一孔与所述第二孔之间的第一端子可被配置成载送用于对所述第一微电子元件和所述第二微电子元件内的存储器位置进行读写存取的所有数据信号。
-
公开(公告)号：CN105723509A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480062077.X
申请日：2014-11-11
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/004 , B23K20/005 , B23K20/007 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L23/49811 , H01L24/43 , H01L24/78 , H01L2224/04105 , H01L2224/056 , H01L2224/432 , H01L2224/4382 , H01L2224/43985 , H01L2224/783 , H01L2224/78301 , H01L2224/7855 , H01L2224/78621 , H01L2224/78822 , H01L2224/85 , H01L2224/85345 , H01L2224/85399 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/2064 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 使用焊接工具(104)形成导电引线(137)。在将导线(115)焊接至金属表面(112)并使所述导线的长度延伸超过所述焊接工具之后，夹紧所述导线。所述焊接工具的移动在所述导线与除所述焊接工具以外的任何金属元件完全分离的位置处赋予所述导线扭结(116)。成形元件(334)，例如，在所述焊接工具的外表面处提供边缘或刀片裙部，可帮助扭结所述导线。任选地，扭曲所述导线，同时使用所述焊接工具张紧所述导线可导致所述导线断裂并限定末端(138)。所述引线随后从所述金属表面(112)延伸至所述末端(138)，并且可展示受到的扭转力的迹象。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105637633A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480055178.4
申请日：2014-08-07
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/538 , H05K1/18 , H01L25/10 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了微电子组件，以及制作微电子组件的方法。在一些实施例中，微电子组件(100)包括微电子元件(102)，所述微电子元件(102)具有界定前表面(104)的边缘表面(106)，以及所述前表面(104)处的触点(112)；刚性金属柱(114)，所述刚性金属柱(114)设置在至少一个边缘表面(106)与所述组件(100)的对应边缘之间，每个金属柱(114)的侧壁(116)将第一端面(118)与第二端面(120)分隔开，所述侧壁(116)具有小于约1微米的均方根(rms)表面粗糙度；包封(122)，所述包封(122)至少接触所述边缘表面(106)和所述侧壁(116)；绝缘层(136)，所述绝缘层(136)覆盖在所述包封(122)上；连接元件(128)，所述连接元件(128)延伸穿过所述绝缘层(136)，其中至少一些连接元件(128)的横截面比所述金属柱(114)的横截面小；重新分布结构(126)，所述重新分布结构(126)沉积在所述绝缘层(136)上并通过所述第一连接元件(128)将第一端子(131)与对应的金属柱(114)电连接，一些金属柱(114)与微电子元件(102)的触点(112)电连接。
-
公开(公告)号：CN119208304A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411335489.8
申请日：2019-08-28
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L23/522 , H01L23/488
Abstract: 提供了用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合。微电子器件包括在接合界面处直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通过金属‑金属直接接合在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的导电互连件、以及在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的电容性互连件。直接接合工艺在两个管芯的介电表面之间产生直接接合，在两个管芯的相应导电互连件之间产生直接接合，以及在接合界面处在两个管芯之间产生电容性耦合。在一实施方式中，每条信号线在接合界面处的电容性耦合包括每条信号线在接合界面处形成电容器的介电材料。电容性耦合产生于相同的直接接合工艺，该相同的直接接合工艺在相同的接合界面处产生直接接合在一起的导电互连件。
-
公开(公告)号：CN110720141B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201880037900.X
申请日：2018-05-22
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供了用于微电子组装和其他应用的具有适形目标焊盘的可变形电气触点。例如，在管芯级或晶片级的微电子组装期间，第一基板上的多个可变形电气触点可以被接合到第二基板上的多个适形焊盘。每个可变形触点变形至某个程度，该程度与第一基板和第二基板之间的接合压力的量相关。变形工艺还利用可变形电气触点擦拭每个相应的适形焊盘以形成新的金属与金属接触以便进行良好的传导。每个适形的焊盘在被可压缩材料加压时塌缩，以呈现电气触点的近似变形的形状，从而提供大导电表面积，同时还补偿水平不对准。可以升高温度以熔化电介质，该电介质封装电气连接、平衡两个基板之间的间隙和变化，并且将两个基板永久性地固定在一起。
-
公开(公告)号：CN115994114A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211305634.9
申请日：2020-05-26
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: G06F15/78 , H04L49/109
Abstract: 本公开涉及片上共生网络。片上系统(SoC)可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
-
公开(公告)号：CN115543910A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211305928.1
申请日：2020-05-26
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: G06F15/78 , H04L49/109
Abstract: 本公开涉及片上共生网络。片上系统(SoC)可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.034 seconds)
