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公开(公告)号：CN100387385C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200380110412.0
申请日：2003-11-12
Applicant: 联合材料公司 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/27 , B23G5/06 , B23G2200/26 , B23G2225/08 , B23G2225/16 , B23G2225/28 , C23C16/0218 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种切削性能、耐磨性、耐溶敷性、加工表面粗糙度良好的金刚石膜被覆工具及其制造方法。金刚石膜被覆工具，是在基材的表面上覆盖金刚石的膜的金刚石膜被覆工具，其中，所述基材是超硬合金或金属陶瓷，构成所述金刚石膜的成长表面的金刚石结晶颗粒的平均颗粒直径在1.5μm以下，所述金刚石膜的厚度在0.1μm以上20μm以下，所述金刚石膜的平均表面粗糙度用Ra表示在0.01μm以上0.2μm以下。通过对由超硬合金或金属陶瓷构成的基材进行渗碳处理，使金刚石膜成长来得到这样的金刚石膜被覆工具。
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公开(公告)号：CN101090999A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001510.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以用作电极的基板，从而解决在电化学氧化处理中，因基体自身腐蚀、或金刚石层和基板剥离导致无法继续电解、或电解效率显著变差的问题。本发明的金刚石基板由基板及覆盖在该基板上的导电性金刚石层构成，构成该金刚石层的金刚石连续的部分的最大面积在1μm2以上、1000μm2以下。特别优选上述基板为多孔性基板，具有开气孔，该开气孔直径为0.1μm～1000μm。
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公开(公告)号：CN100337310C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200380100213.1
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/04 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/448 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634
Abstract: 本发明涉及掺杂锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低电阻率的n-型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。低电阻率的n-型半导体金刚石一共包含1017cm-3或者更多的锂原子和氮原子，其中锂原子被掺杂到碳原子晶格间隙位置，氮原子被掺杂到碳原子的置换位置上，锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n-型半导体金刚石，在金刚石气相合成方法中，利用真空紫外光通过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射并提供锂原子，使得金刚石得以被制造出来。
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公开(公告)号：CN1934671A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009107.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B81C1/00111 , H01J9/025 , H01J2329/0415 , H01J2329/0447 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种碳系材料突起构造的形成方法。该碳系材料突起构造的形成方法包括：在金刚石基板(10)上涂布抗蚀剂(11)的工序；在该涂布好的抗蚀剂(11)上依照规定的配置规则开设孔(12)，以使该孔(12)的壁(12b)从开口部(12a)朝向里侧形成倒锥形的方式加工的工序；从开口部(12a)侧开始蒸镀掩模材料，在孔(12)的内部形成掩模蒸镀物(14)的工序；将蒸镀于抗蚀剂(11)上的掩模材料(13)与抗蚀剂(11)一起提离的工序；将掩模蒸镀物(14)作为掩模而蚀刻金刚石基板(10)，形成碳系材料突起的工序。
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公开(公告)号：CN1495822A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101400833B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200780008725.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。
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公开(公告)号：CN1865534B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200610073790.1
申请日：2006-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是得到一种适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石，其具有更少畸变并且具有大的面积。本发明是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的制备方法，其中，当将由两条相互垂直的线性偏振光组成的线性偏振光引入到单晶金刚石的一个主面上时，在从相反的主面出来的两条相互垂直的线性偏振光之间的最大延迟值横跨整个单晶金刚石最大不超过50nm/100μm的厚度。
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公开(公告)号：CN1840748B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610071561.6
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
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公开(公告)号：CN101375363A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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