公开(公告)号：CN110692143B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880035352.7

申请日：2018-04-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  木山诚 ,  山本喜之

IPC: H10N10/851 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/06 ,  H10N10/857 ,  H10N10/01

Abstract: 一种板状热电转换材料，其具有第一主表面和在所述第一主表面的相反侧的第二主表面，并且由彼此接触的多个半导体颗粒形成。所述半导体颗粒各自包含由含有非晶质相的半导体构成的粒子和覆盖所述粒子的氧化层。所述第一主表面与所述第二主表面之间的距离超过0.5mm。

公开(公告)号：CN113584593A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110717986.4

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42 ,  G01R27/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

公开(公告)号：CN110692143A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201880035352.7

申请日：2018-04-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  木山诚 ,  山本喜之

IPC: H01L35/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/06 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34

Abstract: 一种板状热电转换材料，其具有第一主表面和在所述第一主表面的相反侧的第二主表面，并且由彼此接触的多个半导体颗粒形成。所述半导体颗粒各自包含由含有非晶质相的半导体构成的粒子和覆盖所述粒子的氧化层。所述第一主表面与所述第二主表面之间的距离超过0.5mm。

公开(公告)号：CN103210496A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054944.1

申请日：2011-10-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈田政也 ,  木山诚 ,  斋藤雄 ,  八重樫诚司 ,  横山满德 ,  井上和孝

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的目的是提高设置有开口部并且通过二维电子气在所述开口部中具有沟道的垂直型半导体器件的击穿电压特性。GaN基堆叠层（15）特征在于其具有n-型GaN基漂移层（4）/p型GaN基势垒层（6）/n+型GaN基接触层（7）。开口部（28）从表面层延伸进入n-型GaN基漂移层（4）；再生长层（27），其定位为使得覆盖开口部的壁表面和底部，并且包括电子漂移层（22）和电子源层（26）；源电极（S），其定位在开口部周围；栅电极（G），其位于开口部中的再生长层上；和底部绝缘层（37），其位于开口部的底部。

公开(公告)号：CN103155155A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048261.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  斋藤雄 ,  冈田政也 ,  八重樫诚司 ,  井上和孝 ,  横山满德

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 提供了一种垂直GaN基半导体器件，其中能够借助p型GaN势垒层提高耐受性能，同时也降低导通电阻。该半导体器件特征在于包括：再生长层（27），其包括位于开口（28）的壁表面上的沟道；p型势垒层（6），其具有被覆盖的端面；源层（7），其与p型势垒层接触；栅电极（G），其位于再生长层上；和源电极（S），其位于开口周围。其中，源层具有超晶格结构，该超晶格结构由层叠组成，该层叠包括：第一层（a层），其具有比p型势垒层的晶格常数小的晶格常数；和第二层（b层），其具有比第一层的晶格常数大的晶格常数。

公开(公告)号：CN101882571B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010171268.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN102422397A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200980159180.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  木山诚 ,  堀井拓

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/2076

Abstract: 一种半导体器件，提供有：包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al；以及阻挡层(7)，其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间，并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。

公开(公告)号：CN102119443A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131020.X

申请日：2009-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种制造肖特基势垒二极管(11)的方法包括以下步骤。首先，准备GaN衬底(2)。在GaN衬底(2)上形成GaN层(3)。形成肖特基电极(4)，该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层(3)接触的第一层。形成肖特基电极(4)的步骤包括形成金属层以用作肖特基电极(4)的步骤以及热处理金属层的步骤。与肖特基电极(4)接触的GaN层(3)的区域具有1×108cm-2或更小的位错密度。

公开(公告)号：CN101569014A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001214.3

申请日：2008-08-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/41 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212

Abstract: 一种肖特基势垒二极管(1)，包括：GaN自支撑衬底(2)，其具有表面(2a)；GaN外延层(3)，其形成在表面(2a)上；以及绝缘层(4)，其形成在GaN外延层(3)的表面(3a)上，并且在其上形成开口。肖特基势垒二极管(1)还提供有电极(5)。电极(5)由肖特基电极和场板电极构成，所述肖特基电极被形成在开口内，以使其与GaN外延层(3)接触，所述场板电极连接到肖特基电极并且被形成为与绝缘层(4)重叠。GaN自支撑衬底(2)的位错密度是1×108cm－2或更少。

公开(公告)号：CN1969388A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200680000348.4

申请日：2006-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  樱田隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。