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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108728897B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201810328146.7
申请日：2018-04-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC单晶的方法。通过布置籽晶与在坩埚中的Si‑C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶。该方法包括使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000‑1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1‑100)或(11‑20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。获得了高均匀性和品质的SiC单晶，其在贯通螺位错、贯通刃位错、基面位错、微管和堆垛层错方面得到减少。
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公开(公告)号：CN107849733A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042594.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C04B35/565 , C04B41/85 , C04B41/88 , C30B19/06
CPC classification number: C04B35/565 , C04B41/85 , C04B41/88 , C30B19/06 , C30B29/36
Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si-C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si-C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。这样的SiC坩埚、SiC烧结体通过将氧含量为2000ppm以下的SiC原料粉进行成形、煅烧而得到。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si-C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si-C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN104695007A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410741299.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B13/02 , C30B9/10 , C30B11/08 , C30B13/14 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B15/206 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B29/36
Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si-C溶液内溶出，抑制与Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。从坩埚的上部使SiC籽晶与这种状态的Si-C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。通过使用以SiC为主要成分的坩埚，Si-C溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生。
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公开(公告)号：CN100446088C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510051808.3
申请日：2005-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/7315 , Y10T428/24355 , Y10T428/315
Abstract: 本发明提供的是表面经过处理的衬底，其中，衬底的表面的粗糙度可以被控制。这种表面经过处理的衬底能够形成磁记录介质，其中，记录头浮动稳定性得到了保证，而且其具有能够实现高记录密度的磁膜。还提供了一种粗化衬底的表面的方法。更具体的说，提供了用于磁记录介质的表面磁膜处理的衬底，其中，用来形成记录层的表面每μm2含有40到1000个凸起，最大高度是10nm或是更小和平均粗糙度是0.3到2.0nm，而且在表面上没有任何缺陷或斑点。此外，还提供了制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，包括蚀刻硅衬底的表面的步骤，其中超声波被施加于硅衬底的表面而且衬底被摇动或旋转。还提供了包括一种所述硅衬底的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1664933A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510051808.3
申请日：2005-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/7315 , Y10T428/24355 , Y10T428/315
Abstract: 本发明提供的是表面经过处理的衬底，其中，衬底的表面的粗糙度可以被控制。这种表面经过处理的衬底能够形成磁记录介质，其中，记录头浮动稳定性得到了保证，而且其具有能够实现高记录密度的磁膜。还提供了一种粗化衬底的表面的方法。更具体的说，提供了用于磁记录介质的表面磁膜处理的衬底，其中，用来形成记录层的表面每μm2含有40到1000个凸起，最大高度是10nm或是更小和平均粗糙度是0.3到2.0nm，而且在表面上没有任何缺陷或斑点。此外，还提供了制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，包括蚀刻硅衬底的表面的步骤，其中超声波被施加于硅衬底的表面而且衬底被摇动或旋转。还提供了包括一种所述硅衬底的磁记录介质。
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