公开(公告)号：CN107849733A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042594.X

申请日：2016-07-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  山田修 ,  美浓轮武久

IPC: C30B29/36 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B41/88 ,  C30B19/06

CPC classification number: C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B41/88 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36

Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si-C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si-C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。这样的SiC坩埚、SiC烧结体通过将氧含量为2000ppm以下的SiC原料粉进行成形、煅烧而得到。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si-C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si-C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。

公开(公告)号：CN107849733B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201680042594.X

申请日：2016-07-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  山田修 ,  美浓轮武久

IPC: C30B29/36 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B41/88 ,  C30B19/06

Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si‑C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si‑C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。这样的SiC坩埚、SiC烧结体通过将氧含量为2000ppm以下的SiC原料粉进行成形、煅烧而得到。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si‑C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si‑C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。

公开(公告)号：CN107849734A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042716.5

申请日：2016-07-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  山田修 ,  美浓轮武久

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36

Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si-C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si-C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si-C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si-C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。