公开(公告)号：CN1681008A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510062693.8

申请日：2005-04-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 滨口优 ,  津森俊宏 ,  新谷尚史

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/73 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/7315

Abstract: 本发明提供一种单晶Si基片，在其上形成和Si单晶基片具有良好粘附性的一个或多个金属膜，使得粘附性得到保证。更为具体的说，提供表面处理的基片，该基片包括具有1－100Ω·cm的体电阻系数的单晶Si基片，以及在单晶Si基片上的至少一个金属电镀层。面对单晶Si基片的该金属电镀层优选地包括从由Ag、Co、Cu、Ni、Pd、Fe和Pt组成的组中选择的至少一个金属。另外，提供了包括涂覆有金属电镀层的单晶Si基片的垂直磁记录介质。

公开(公告)号：CN108728897B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201810328146.7

申请日：2018-04-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  美浓轮武久

IPC: C30B19/04 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种制备SiC单晶的方法。通过布置籽晶与在坩埚中的Si‑C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶。该方法包括使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000‑1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1‑100)或(11‑20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。获得了高均匀性和品质的SiC单晶，其在贯通螺位错、贯通刃位错、基面位错、微管和堆垛层错方面得到减少。

公开(公告)号：CN107849733A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042594.X

申请日：2016-07-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  山田修 ,  美浓轮武久

IPC: C30B29/36 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B41/88 ,  C30B19/06

CPC classification number: C04B35/565 ,  C04B41/85 ,  C04B41/88 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36

Abstract: 在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si-C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si-C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。这样的SiC坩埚、SiC烧结体通过将氧含量为2000ppm以下的SiC原料粉进行成形、煅烧而得到。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si-C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si-C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。

公开(公告)号：CN104695007A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410741299.6

申请日：2014-12-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  美浓轮武久

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B13/02 ,  C30B9/10 ,  C30B11/08 ,  C30B13/14 ,  C30B15/02 ,  C30B15/10 ,  C30B15/206 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si-C溶液内溶出，抑制与Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。从坩埚的上部使SiC籽晶与这种状态的Si-C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。通过使用以SiC为主要成分的坩埚，Si-C溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生。

公开(公告)号：CN100479038C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510051713.1

申请日：2005-02-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 津森俊宏 ,  滨口优

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/8404 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7315 ,  H01F10/16 ,  H01F41/24 ,  H01F41/32

Abstract: 如果双层型垂直磁记录介质的软磁层由电镀形成，那么会产生在组成软磁层的电镀膜表面上几毫米至几厘米范围内特定方向上被磁化的大量磁畴，且在这些磁畴的边缘上产生磁畴壁。如果包含这些磁畴壁的软磁层用于双层垂直磁记录介质，那么由已知为尖锋噪音的通过由磁畴壁部分产生的漏磁场而产生的隔离的脉冲噪音的产生会引起信号再现特性的巨大损坏的问题。为了解决这个问题，磁记录介质基片包含直径不超过90毫米的基片；和软磁膜电镀层，其包含包括选自钴、镍和铁设置在基片上的至少两种金属的合金，关于在基片平面内的同心圆方向，用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特，且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率从50∶1至5∶1。

公开(公告)号：CN1577506A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063203.1

申请日：2004-06-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石井政利 ,  津森俊宏 ,  滨口优 ,  常光幸美

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/667 ,  Y10T428/24372 ,  Y10T428/24388 ,  Y10T428/24421 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底和包含记录层的磁记录介质，其中经表面处理的衬底可包含具有足够强的粘合力的厚膜，能够承受调平加工，如在硅衬底上成膜过程中的抛光。一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层是包含金属和Si氧化物的膜。此外，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层的表面上每100μm2存在至少5个和至多50个高度至少为100nm的凸起。进一步，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底、位于Si衬底上的底镀层、以及位于底镀层上方的软磁性层，其中底镀层和软磁性层之间存在一个无磁性中间层。