-
公开(公告)号：CN113050300B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010669014.8
申请日：2020-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种调制器装置及其形成方法，调制器装置包括被配置成接收入射光的输入端子。第一波导具有第一输出区及耦合到输入端子的第一输入区。第二波导光学耦合到第一波导，且具有耦合到输入端子的第二输入区及第二输出区。与第一波导的第一输出区及第二波导的第二输出区耦合的输出端子被配置成提供经调制的出射光。加热器结构被配置成向第一波导提供热量，以在第一波导与第二波导之间引发温度差。充气隔离结构靠近加热器结构，且被配置成将第二波导与提供到第一波导的热量热隔离。
-
公开(公告)号：CN110972048B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910670631.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 一种麦克风。在一些实施例中，麦克风可包括衬底、隔板、背板及侧壁停止件。衬底具有设置成穿过衬底的开口。隔板设置在衬底之上且面向衬底的开口。隔板具有上覆于衬底的开口的通气孔。背板设置在隔板之上且与隔板间隔开。侧壁停止件设置成沿着隔板的通气孔的侧壁，且因此不受可移动部分与稳定部分之间的距离限制。此外，侧壁停止件不会使可移动部分的形状发生替换，且因此将不太可能致使可移动部分出现裂缝。在一些实施例中，可如同通过自对齐工艺形成的侧壁停止件一样来形成侧壁停止件，因此不需要额外的掩模。
-
公开(公告)号：CN112750847A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011161112.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , G02B6/12 , G02B6/136
Abstract: 本公开实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一掺杂区，具有第一掺杂类型，设置在半导体衬底中。第二掺杂区具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，设置在半导体衬底中且与第一掺杂区在侧向上间隔开。波导结构设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。光电探测器至少部分地设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。波导结构被配置成将一个或多个光子引导到光电探测器中。光电探测器具有在光电探测器的相对的侧壁之间呈连续的弧形的上表面以及呈连续的弧形的下表面。
-
公开(公告)号：CN106241727B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201511017559.6
申请日：2015-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与板相对并且包括面向多个孔的多个波形件；以及导电塞，从板延伸穿过隔膜。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中导电塞与接合焊盘接合，以将第一器件与第二器件集成，并且板是外延(EPI)硅层或绝缘体上硅(SOI)衬底。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
-
公开(公告)号：CN106672889A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610724049.0
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/008 , B81B3/0005 , B81B7/0041 , B81B2201/02 , B81B2207/012 , B81C1/00277 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , B81C2203/0172 , B81C2203/019 , B81C2203/0792 , H01L2224/11
Abstract: 半导体结构包括第一器件、第二器件、第一孔洞、第二孔洞和密封物体。第二器件接触至第一器件，其中，在第一器件和第二器件之间形成室。第一孔洞设置在第二器件中并且限定在具有第一圆周的第一端和具有第二圆周的第二端之间。第二孔洞设置在第二器件中并且与第一孔洞对准。密封物体密封第二孔洞。第一端与室连接，并且第一圆周与第二圆周不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531492A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210382930.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00 , H01L21/67121 , H01L24/81 , H01L2224/10
Abstract: 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。
-
公开(公告)号：CN114620672B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110423645.6
申请日：2021-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在半导体基质材料层中的凹陷表面上形成半导体氧化物板。在半导体基质材料层中形成多个梳结构。所述多个梳结构包括通过第一半导体部分而间隔开的一对内梳结构。使用各向同性刻蚀工艺相对于所述多个梳结构选择性地移除在侧向上环绕第一半导体部分的第二半导体部分。半导体氧化物板、所述一对内梳结构及覆盖所述多个梳结构的图案化刻蚀掩模层保护第一半导体部分免受各向同性刻蚀工艺的刻蚀剂影响。形成用于微机电系统器件的可移动结构，所述可移动结构包括半导体基质材料层的第一部分与所述一对内梳结构的组合。
-
公开(公告)号：CN112750847B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011161112.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , G02B6/12 , G02B6/136
Abstract: 本公开实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一掺杂区，具有第一掺杂类型，设置在半导体衬底中。第二掺杂区具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，设置在半导体衬底中且与第一掺杂区在侧向上间隔开。波导结构设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。光电探测器至少部分地设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。波导结构被配置成将一个或多个光子引导到光电探测器中。光电探测器具有在光电探测器的相对的侧壁之间呈连续的弧形的上表面以及呈连续的弧形的下表面。
-
公开(公告)号：CN114927454A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110699200.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 一种处理机台工具，包含：腔室壳体，由处理腔室界定；以及晶片卡盘结构，设置在处理腔室内。晶片卡盘结构配置成在制造工艺期间固持晶片。晶片卡盘包含下部部分和设置在下部部分上方的上部部分。下部部分包含从下部部分的最顶部表面朝向最底部表面延伸的多个沟槽。上部部分包含多个开口，所述开口为孔，完全延伸穿过上部部分且直接上覆下部部分的沟槽。多个开口直接上覆各沟槽。此外，冷却气体管道耦合到晶片卡盘结构的下部部分的沟槽，并且冷却气体源耦合到冷却气体管道。
-
公开(公告)号：CN114620672A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110423645.6
申请日：2021-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在半导体基质材料层中的凹陷表面上形成半导体氧化物板。在半导体基质材料层中形成多个梳结构。所述多个梳结构包括通过第一半导体部分而间隔开的一对内梳结构。使用各向同性刻蚀工艺相对于所述多个梳结构选择性地移除在侧向上环绕第一半导体部分的第二半导体部分。半导体氧化物板、所述一对内梳结构及覆盖所述多个梳结构的图案化刻蚀掩模层保护第一半导体部分免受各向同性刻蚀工艺的刻蚀剂影响。形成用于微机电系统器件的可移动结构，所述可移动结构包括半导体基质材料层的第一部分与所述一对内梳结构的组合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.046 seconds)
