公开(公告)号：CN113946095A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110179259.7

申请日：2021-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李国豪 ,  许希丞 ,  翁睿均 ,  潘汉宗 ,  陈信宇 ,  张佑诚

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F1/48

Abstract: 提供一种光掩模组装件及其形成方法，所述方法包括：可在光掩模组装件的衬底的背侧上形成一个或多个盖层之前去除衬底的背侧上的缓冲层的一部分。可直接在衬底的从衬底去除缓冲层的背侧上形成一个或多个盖层，且可直接在一个或多个盖层上形成硬掩模层。一个或多个盖层可包含低应力材料以促进一个或多个盖层与衬底之间的粘着，且减少和/或最小化盖层从衬底的剥落和分层。这可降低损坏光掩模组装件的表膜层和/或其它组件的可能性，和/或可增加其中使用光掩模组装件的曝光工艺的产率。

公开(公告)号：CN113741141A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111062408.8

申请日：2021-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李国豪 ,  张佑诚 ,  潘汉宗 ,  翁睿均 ,  钟久华 ,  林生元 ,  陈信宇

IPC: G03F1/64

Abstract: 一种光掩模总成可被形成为使得在光掩模总成的护膜框架中形成应力释放沟槽。应力释放沟槽可减少或防止原本可因护膜发生变形所导致的护膜的损坏。应力释放沟槽可形成在护膜框架的区域中，以使得护膜框架能够与护膜一起变形，从而减少护膜框架对护膜造成的损坏量。

公开(公告)号：CN106938837A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610903062.2

申请日：2016-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  翁睿均 ,  许希丞 ,  王志佑 ,  蒋季宏 ,  吴威鼎 ,  陈信宇

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/0735 ,  H01L28/20 ,  B81B7/0035 ,  B81C1/00277

Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。

公开(公告)号：CN106938837B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201610903062.2

申请日：2016-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  翁睿均 ,  许希丞 ,  王志佑 ,  蒋季宏 ,  吴威鼎 ,  陈信宇

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。