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公开(公告)号：CN106938837B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610903062.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。
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公开(公告)号：CN106586943B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610755921.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。
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公开(公告)号：CN109319728A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810474025.3
申请日：2018-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种用于处理微机电系统(MEMS)组件的方法。在一个实例中，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆(wafer)；使用第一化学气相沉积(CVD)法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成多个第一结构；使用第二化学气相沉积法将自组装单层(SAM)的层沉积到微机电系统组件的表面。
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公开(公告)号：CN107369669A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201610630675.3
申请日：2016-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L23/5223 , H01L28/60
Abstract: 本发明提出一种集成电路，其包括一电容。此电容包括下电极、电极间介电层与上电极。下电极包括金属层与在金属层之上的扩散阻绝层，金属层包括第一材料。电极间介电层设置在下电极之上。上电极设置在下电极之上，并由电极间介电层与下电极相隔开来，其中上电极不具有第一材料。借此，可避免对于上电极侧壁的损坏。
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公开(公告)号：CN107104105A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201611187287.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: H01L27/11521 , G11C16/0433 , G11C17/08 , H01L27/11524 , H01L29/40114 , H01L27/11206 , H01L27/11233
Abstract: 本发明的实施例提供了具有浮栅屏蔽部件的一次性可编程(OTP)存储单元。一对晶体管布置在半导体衬底上并且串联电连接，其中，晶体管包括浮栅。互连结构位于一对晶体管上部。屏蔽部件布置在互连结构中且直接布置在浮栅上方。该屏蔽部件被配置为阻挡互连结构中的离子移动至浮栅。还提供了用于制造具有浮栅屏蔽部件的OTP存储单元的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106976838A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610817614.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , B81C1/00309
Abstract: 本揭露是关于一种制造微机电系统封装的方法，通过将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。
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公开(公告)号：CN104016298A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201310221687.7
申请日：2013-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00277 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81C1/0023 , B81C1/00269 , B81C1/00285 , B81C1/00293 , B81C3/001 , B81C2203/0118
Abstract: 一种集成电路器件包括第一层，该第一层包含至少两个局部腔；接合至第一层的中间层，该中间层形成用于支撑至少两个微电子机械系统（MEMS）器件；以及接合至中间层的第二层，该第二层包含用于通过中间层使第一层的至少两个局部腔完整的至少两个部分层，从而形成至少两个密封的完整腔。在该至少两个完整腔内的压力不同。本发明还提供了一种MEMS结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106145024B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510783708.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。
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公开(公告)号：CN104037225B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201310233806.0
申请日：2013-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），包括：衬底、衬底中的源极和漏极、在源极和漏极之间设置在衬底上方的栅电极以及设置在衬底和栅电极之间的栅极介电层。至少一部分的栅极介电层朝向源极和漏极中的至少一个延伸超过栅电极。本发明还提供了具有延伸的栅极介电层的金属氧化物半导体场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN106586943A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610755921.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0006 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/0792 , B81B7/0032 , B81C1/00261
Abstract: 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。
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