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公开(公告)号：CN103732789B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280021334.6
申请日：2012-02-03
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C14/00 , C22F1/183 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429
Abstract: 一种溅射用钛靶，其为高纯度钛靶，其特征在于，含有总计为3～100质量ppm的选自Al、Si、S、Cl、Cr、Fe、Ni、As、Zr、Sn、Sb、B、La中的一种以上元素作为添加成分，除添加成分和气体成分以外，靶的纯度为99.99质量%以上。本发明的课题在于提供即使在高功率溅射(高速溅射)时也不会产生裂纹或破裂、能够使溅射特性稳定的高品质溅射用钛靶。
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公开(公告)号：CN102906301B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201180025334.9
申请日：2011-06-09
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/086 , C23C14/3407
Abstract: 本发明涉及一种ITO溅射靶，通过在背衬板上排列多个ITO分割靶并与该背衬板接合而构成，其中，仅在排列的ITO分割靶间的空隙侧的侧面具有选自铟、铟合金或锡合金的一种物质的覆盖层。本发明的课题在于提供：即使在分割ITO靶的连续溅射时，也可以抑制结瘤的产生和异常放电，并且可以得到在与空隙部分相对的衬底上形成的膜的特性与其它部分的膜的特性无差异，即膜特性的均匀性高的膜的ITO溅射靶，特别是FPD用溅射靶。
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公开(公告)号：CN103890227A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052810.0
申请日：2012-04-27
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
Abstract: 一种溅射用钛靶，其为高纯度钛靶，其特征在于，含有0.5～5质量ppm的S作为添加成分，除了添加成分和气体成分以外，靶的纯度为99.995质量％以上。本发明的课题在于提供一种即使在高功率溅射(高速溅射)时也不会产生龟裂或破裂、能够使溅射特性稳定的高品质的溅射用钛靶。
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公开(公告)号：CN103827349A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047223.2
申请日：2012-09-12
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3435 , B21D53/00 , C22C9/05 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3426
Abstract: 一种背衬板一体型溅射靶，其特征在于，背衬板一体型溅射靶中，凸缘部的维氏硬度Hv为90以上，且凸缘部的0.2%屈服应力为6.98×107N/m2以上。通过仅提高靶的凸缘部的机械强度，能够抑制溅射中靶的变形，并且不会改变现有的溅射特性，能够形成均匀性优良的薄膜。由此，能够提高微细化、高集成化发达的半导体产品的成品率、可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103025914A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180025733.5
申请日：2011-07-27
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C21D1/74 , C21D3/06 , C22C14/00 , C22C27/02 , C22F1/00 , C22F1/18 , C22F1/183 , C23C14/3414 , C23C14/3471 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , H01J37/3491 , H01J37/3497 , Y10T29/49865
Abstract: 一种溅射靶和/或线圈，其特征在于，溅射靶和/或为了约束等离子体而配置在等离子体产生区域周围的线圈的待侵蚀表面的氢含量为500μL/cm2以下。致力于靶和/或线圈表面上氢含量的减少，认为该氢吸留的原因在于靶和/或线圈的制造工序、特别是靶和/或线圈的表面的加热条件，本发明提供，通过优化该加热条件，可以减少靶表面的氢吸留，并且可以提高溅射时的真空度，具有均匀微细的组织，等离子体稳定，膜的均匀性优良的溅射靶和/或线圈以及它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN104066868B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380006379.0
申请日：2013-01-04
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种高纯度铜锰合金溅射靶，其含有0.05～20重量％的Mn，除添加元素以外，其余部分为Cu和不可避免的杂质，该靶的特征在于，含有0.001～0.06重量ppm的P和0.005～5重量ppm的S，并且，还含有Ca和Si，且P、S、Ca、Si的合计量为0.01～20重量ppm。通过这样在铜中含有适当量的Mn元素和Ca、P、Si、S，能够改善在制作靶的阶段中所需要的切削性，使靶的制作(加工性)变得容易，并且能够改善靶表面的光滑性，且能够抑制溅射时产生粉粒。特别是提供对于提高微细化、高集成化发达的半导体制品的成品率和可靠性有用的高纯度铜锰合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN103025914B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180025733.5
申请日：2011-07-27
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C21D1/74 , C21D3/06 , C22C14/00 , C22C27/02 , C22F1/00 , C22F1/18 , C22F1/183 , C23C14/3414 , C23C14/3471 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , H01J37/3491 , H01J37/3497 , Y10T29/49865
Abstract: 一种溅射靶和/或线圈，其特征在于，溅射靶和/或为了约束等离子体而配置在等离子体产生区域周围的线圈的待侵蚀表面的氢含量为500μL/cm2以下。致力于靶和/或线圈表面上氢含量的减少，认为该氢吸留的原因在于靶和/或线圈的制造工序、特别是靶和/或线圈的表面的加热条件，本发明提供，通过优化该加热条件，可以减少靶表面的氢吸留，并且可以提高溅射时的真空度，具有均匀微细的组织，等离子体稳定，膜的均匀性优良的溅射靶和/或线圈以及它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN103180482A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051337.X
申请日：2011-10-24
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C1/02 , C22C14/00 , C22F1/183 , C23C14/3414
Abstract: 一种溅射用钛靶，其特征在于，肖氏硬度为Hs20以上，并且基面取向率为70%以下。上述溅射用钛靶，其特征在于，除气体成分以外的钛的纯度为99.995质量%以上。本发明课题在于提供一种高品质的溅射用钛靶，所述钛靶在使杂质降低的同时，即使在高功率溅射(高速溅射)时也不产生龟裂、破裂，能够使溅射特性稳定，能够有效地抑制成膜时的粉粒产生。
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公开(公告)号：CN102906301A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025334.9
申请日：2011-06-09
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/086 , C23C14/3407
Abstract: 本发明涉及一种ITO溅射靶，通过在背衬板上排列多个ITO分割靶并与该背衬板接合而构成，其中，仅在排列的ITO分割靶间的空隙侧的侧面具有选自铟、铟合金或锡合金的一种物质的覆盖层。本发明的课题在于提供：即使在分割ITO靶的连续溅射时，也可以抑制结瘤的产生和异常放电，并且可以得到在与空隙部分相对的衬底上形成的膜的特性与其它部分的膜的特性无差异，即膜特性的均匀性高的膜的ITO溅射靶，特别是FPD用溅射靶。
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