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公开(公告)号:JP2016145170A
公开(公告)日:2016-08-12
申请号:JP2015022866
申请日:2015-02-09
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07F5/00
Abstract: 【課題】固体有機金属化合物を高純度かつ高い収率で製造し得る方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】常温で固体である固体有機金属化合物の製造方法であって、前記固体有機金属化合物を含む原料を用意する工程と、前記原料を昇華させ、発生したガスの初流分を除去する第1の昇華工程と、前記原料の昇華ガスのうち、前記初流分が除去された残りのガスを容器内において固化させる第1の固化工程と、を備える、固体有機金属化合物の製造方法。及び、固体有機金属化合物を製造するための装置。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供能够以高产率生产高纯度的固体有机金属化合物的方法和制备装置。解决方案:提供一种在常温下为固体的固体有机金属化合物的制备方法,包括 :制备包含固体有机金属化合物的原料的步骤; 第一升华步骤,其中原料升华以除去产生的气体的初始流动分量; 以及第一凝固步骤,其中在所述原料的升华气体中,已经从其中除去初始流动成分的剩余气体在容器中固化。 还提供了一种用于生产固体有机金属化合物的装置。选择的图:图1
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公开(公告)号:JP2016056160A
公开(公告)日:2016-04-21
申请号:JP2015014850
申请日:2015-01-28
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07F5/00
Abstract: 【課題】エーテル化合物を使用し、簡便な方法によって、トリアルキルガリウムを製造する方法の提供。 【解決手段】トリアルキルアルミニウムとトリハロゲノガリウムとを、式(3)で示されるエーテル化合物の存在下で反応させた後、得られた反応液から蒸留によりトリアルキルガリウムを取得するに際し、アルカリ金属ハロゲン化物又はアルカリ土類金属ハロゲン化物等の無機塩或いはトリアルキルアミン、N−アルキルピペリジン、N−アルキルインドール等の第3級アミンから選ばれる少なくとも1種の化合物を存在させるトリアルキルガリウム製造法。 (R 1 はC1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基;R 2 はC3〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基;尚、R 1 及びR 2 は互いに結合して環を形成していても良い。) 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种通过使用醚化合物的简单方法制备三烷基镓的方法。溶液:提供三烷基镓的制备方法,其中当三烷基铝和三卤素在表示的醚化合物的存在下反应时 通过式(3),然后通过蒸馏从所得反应液中获得三烷基镓,至少存在一种化合物,其选自无机盐如碱金属卤化物或碱土金属卤化物,或叔胺如 作为三烷基胺,N-烷基哌啶和N-烷基吲哚。 (R 1为C 1-6直链或支链烷基; R为C 3-8直链或支链烷基;另外,兰德Rmay彼此键合形成环。)选择的图:无
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13.(アミドアミノアルカン)金属化合物、及び当該金属化合物を用いた金属含有薄膜の製造方法 有权
Title translation: (酰胺氨基烷烃)金属化合物,以及使用该金属化合物的制造含有金属的薄膜的方法公开(公告)号:JP5857970B2
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:JP2012541903
申请日:2011-11-02
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07F3/02 , C07F15/06 , C07F13/00 , C07F3/06 , C07F15/02 , C07F15/04 , C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/40 , C07F1/04
CPC classification number: H01L51/0083 , C07C211/65 , C07F13/005 , C07F15/025 , C07F15/045 , C07F15/065 , C07F3/02 , C07F3/06 , C07F5/003 , C23C16/18 , C23C16/403 , C23C16/407 , H01L51/0077 , H01L51/0084 , H01L51/0089 , H01L51/0092
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公开(公告)号:JP2018101810A
公开(公告)日:2018-06-28
申请号:JP2018046579
申请日:2018-03-14
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 【課題】成膜温度を下げても良好な成膜レートを維持しつつ、SiCN膜を成膜することが可能なSiCN膜の成膜方法を提供すること。 【解決手段】被処理体の被処理面上にSiCN膜を成膜するSiCN膜の成膜方法であって、被処理体が収容された処理室内にSi原料を含むSi原料ガスを供給する工程(ステップ1)と、Si原料ガスを供給する工程(ステップ1)の後、処理室内に窒化剤を含むガスを供給する工程(ステップ3)とを備え、窒化剤として、1,2,3−トリアゾール系化合物を用いる。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017034103A
公开(公告)日:2017-02-09
申请号:JP2015153093
申请日:2015-08-03
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/316
Abstract: 【課題】高品位な酸化アルミニウム膜を製造し得る酸化アルミニウム膜の製造方法を提供する。 【解決手段】400〜650℃に加熱された成膜対象物上に、下記式(1)で示されるアルミニウム化合物を供給し、酸化することにより酸化アルミニウム膜を形成する、酸化アルミニウム膜の製造方法。 【化1】 (式中、Rは炭素原子数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、ふたつのRは同一又は異なっていても良い。TMSはトリメチルシリル基を示す。) 【選択図】なし
Abstract translation: 本发明提供了用于产生能够产生高品质的铝氧化膜的氧化铝膜的方法。 上加热至400〜650℃的成膜对象,通过提供下述通式(1)表示的铝化合物,以通过氧化铝氧化膜的方法形成的氧化铝膜 。 (式中,R表示碳原子数为1〜4的直链或支链烷基,两个R可以相同或不同.TMS代表三甲基甲硅烷基。)[ 选择视图]无
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公开(公告)号:JP2016130337A
公开(公告)日:2016-07-21
申请号:JP2015004617
申请日:2015-01-14
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/318 , C23C16/36
Abstract: 【課題】 本発明の課題は、N−トリアルキルシリル−1,2,3−トリアゾール化合物を炭窒化剤として用いた金属又は半金属炭窒化膜の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明の課題は、N−トリアルキルシリル−1,2,3−トリアゾール化合物を窒素供給源として用いることを特徴とする、金属又は半金属炭窒化膜の製造方法によって解決される。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供使用N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物作为碳氮共渗剂制备金属或准金属碳氮化物膜的方法。解决方案:通过金属或准金属碳氮化物的制造方法 膜使用N-三烷基甲硅烷基-1,2,3-三唑化合物作为氮源。选择图1:
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