公开(公告)号：WO2008013244A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：PCT/JP2007/064713

申请日：2007-07-26

Applicant: 宇部興産株式会社 ,  角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  金戸 宏樹 ,  二瓶 央

Inventor： 角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  金戸 宏樹 ,  二瓶 央

IPC: C07C49/92 ,  C23C16/08 ,  C07F15/00

CPC classification number: C07C49/92 ,  C07C45/77 ,  C07F15/0046 ,  C23C16/18

Abstract: 　本発明の一般式（１－１） （式中、Ｘは、一般式（１－２） で示される基（式中、Ｒ ａ 及びＲ ｂ は、炭素原子数１～５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（１－２）で示される基又は炭素原子数１～８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を示す。Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。） で示される有機ルテニウム錯体、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム、およびビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムは、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適している。

Abstract translation: 由通式（1-1），双（乙酰丙酮）（1,5-己二烯）钌和双（乙酰丙酮）（1,3-戊二烯）钌的钌络合物表现出低熔点，显示出优异的耐水分稳定性， 空气和热量，并且适合于通过CVD方法形成膜。 （1-1）其中X表示由通式（1-2）表示的基团; Y表示由通式（1-2）表示的基团或具有1〜8个碳原子的直链或支链烷基; Z表示氢原子或碳原子数1〜4的烷基。 L表示具有至少两个双键的不饱和烃化合物：（1-2）其中R a，R b和R b独立地表示直链或支链烷基，其具有1〜 5个碳原子。

公开(公告)号：WO2005087697A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/JP2005/004577

申请日：2005-03-15

Applicant: 宇部興産株式会社 ,  角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  綿貫 耕平 ,  桜井 弘之 ,  金戸 宏樹

Inventor： 角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  綿貫 耕平 ,  桜井 弘之 ,  金戸 宏樹

IPC: C07C49/92

CPC classification number: C23C16/40 ,  C07C45/455 ,  C07C45/77 ,  C07C49/92 ,  C23C16/18 ,  C07C49/175

Abstract: 【課題】　ＣＶＤ法による金属含有薄膜の製造に好適に使用できる金属錯体及び金属含有薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体、及びこの金属錯体を用いてＣＶＤ法により金属含有薄膜を製造する方法。                                                                         

Abstract translation: [问题]提供能够适用于通过CVD法制造含金属薄膜的金属络合物和含金属薄膜的制造方法。 用于解决问题的方法包含具有烷氧基烷基甲基的β-二酮的金属络合物作为配体; 以及使用上述金属络合物通过CVD法制造含金属薄膜的方法。

公开(公告)号：JP5857970B2

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：JP2012541903

申请日：2011-11-02

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 藤村 整 ,  金戸 宏樹 ,  白井 昌志 ,  二瓶 央

IPC: C07F3/02 ,  C07F15/06 ,  C07F13/00 ,  C07F3/06 ,  C07F15/02 ,  C07F15/04 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C07F1/04

CPC classification number: H01L51/0083 ,  C07C211/65 ,  C07F13/005 ,  C07F15/025 ,  C07F15/045 ,  C07F15/065 ,  C07F3/02 ,  C07F3/06 ,  C07F5/003 ,  C23C16/18 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0089 ,  H01L51/0092

公开(公告)号：JP2016108247A

公开(公告)日：2016-06-20

申请号：JP2014243729

申请日：2014-12-02

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 金戸 宏樹 ,  村上 真人

IPC: C23C16/18 ,  C07F7/10

Abstract: 【課題】工業的に好適なマンガン化合物及び当該マンガン化合物を用いるマンガン含有膜の製造方法の提供。 【解決手段】式(1)で示されるビス(シリルアミドアミノアルカン)マンガン化合物。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供工业上合适的锰化合物和使用该锰化合物的含锰膜的制造方法。解决方案：本发明提供由式（1）表示的双（甲硅烷酰胺氨基烷烃）锰化合物。选择的图： 图1

公开(公告)号：JP6123454B2

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：JP2013090065

申请日：2013-04-23

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 徳浦 静雄 ,  吉田 隆 ,  堀田 和彦 ,  百合園 英嗣 ,  白井 昌志 ,  金戸 宏樹

IPC: B01J20/18 ,  B01J20/12 ,  B01J20/20 ,  H01L21/31 ,  B01D53/54

公开(公告)号：JP5910286B2

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：JP2012098673

申请日：2012-04-24

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 白井 昌志 ,  金戸 宏樹 ,  徳浦 静雄 ,  吉田 隆 ,  島野 哲郎

IPC: B01D53/54

公开(公告)号：JP6123455B2

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：JP2013090066

申请日：2013-04-23

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 徳浦 静雄 ,  吉田 隆 ,  堀田 和彦 ,  百合園 英嗣 ,  白井 昌志 ,  金戸 宏樹

IPC: B01J20/18 ,  B01J20/12 ,  B01J20/20 ,  G01N31/00 ,  H01L21/31 ,  B01D53/54

公开(公告)号：JP2016222568A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：JP2015109222

申请日：2015-05-28

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 金戸 宏樹 ,  村上 真人

IPC: C23C16/18 ,  C07F7/10 ,  C07F15/02

Abstract: 【課題】簡便な方法によって、成膜対象物上に鉄含有膜を製造する、工業的に好適な鉄化合物及び当該鉄化合物を用いる鉄含有膜の製造方法の提供。 【解決手段】式(1)で示されるビス(シリルアミドアミノアルカン)鉄化合物。 (R 1 〜R 3 はC1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基;R 4 及びR 5 はC1〜3の直鎖状又は分岐状のアルキル基;R 4 及びR 5 は互いに結合して環を形成しても良い;ZはC1〜5の直鎖状又は分岐状のアルキレン基) 【選択図】なし

Abstract translation: 通过简单的方法A来产生沉积目标对象上的含铁膜，提供了一种方法用于使用工业上合适的铁化合物和铁化合物生产含铁膜。 由式（1）（甲硅烷基酰胺氨基烷烃）铁化合物表示甲二。 （R1-R3是直链CI至6，支链或环状烷基;形式R4和R5相互结合而形成环;直链或支链烷基的R4和R5是C1〜3 可能; Z是直链或支链的C 1-5的亚烷基）装置技术领域

公开(公告)号：JP5817727B2

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：JP2012527770

申请日：2011-08-04

Applicant: 宇部興産株式会社

Inventor： 藤村 整 ,  金戸 宏樹

IPC: C23C16/40 ,  C07F3/02

CPC classification number: C07C211/65 ,  C23C16/403