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公开(公告)号：WO2005087697A1
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：PCT/JP2005/004577
申请日：2005-03-15
IPC: C07C49/92
CPC classification number: C23C16/40 , C07C45/455 , C07C45/77 , C07C49/92 , C23C16/18 , C07C49/175
Abstract: 【課題】 ＣＶＤ法による金属含有薄膜の製造に好適に使用できる金属錯体及び金属含有薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体、及びこの金属錯体を用いてＣＶＤ法により金属含有薄膜を製造する方法。
Abstract translation: [问题]提供能够适用于通过CVD法制造含金属薄膜的金属络合物和含金属薄膜的制造方法。 用于解决问题的方法包含具有烷氧基烷基甲基的β-二酮的金属络合物作为配体; 以及使用上述金属络合物通过CVD法制造含金属薄膜的方法。
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公开(公告)号：WO2003064437A1
公开(公告)日：2003-08-07
申请号：PCT/JP2003/001014
申请日：2003-01-31
IPC: C07F7/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07F7/1844
Abstract: Copper-containing thin films can be industrially advantageously formed through chemical vapor deposition by using as the copper source a copper(II) complex bearing beta-diketonato ligands having silyl ether linkages, and representative example of the copper(II) complex are compounds represented by the general formula (I): (I) (I-I) wherein Z is hydrogen or alkyl; X is a group represented by the general formula (I-I) (wherein Ra is alkylene; and Rb, Rc, and Rd are each alkyl); and Y is a group represented by the general formula (I-I) (wherein Ra is alkylene; and Rb, Rc, and Rd are each alkyl), or alkyl.
Abstract translation: 通过使用具有甲硅烷基醚键的带有β-二酮配体的铜（II）配合物作为铜源，可以通过化学气相沉积在工业上有利地形成含铜薄膜，并且铜（II）络合物的代表性实例是由 通式（I）：（I）（II）其中Z是氢或烷基; X是由通式（I-I）表示的基团（其中R a是亚烷基; R b，R c和R d各自是烷基）。 Y为由通式（I-I）表示的基团（其中，R a为亚烷基，R b，R c，R d各自为烷基）或烷基。
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公开(公告)号：WO2008013244A1
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：PCT/JP2007/064713
申请日：2007-07-26
CPC classification number: C07C49/92 , C07C45/77 , C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: 本発明の一般式（１－１） （式中、Ｘは、一般式（１－２） で示される基（式中、Ｒ ａ 及びＲ ｂ は、炭素原子数１～５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（１－２）で示される基又は炭素原子数１～８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を示す。Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。） で示される有機ルテニウム錯体、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム、およびビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムは、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適している。
Abstract translation: 由通式（1-1），双（乙酰丙酮）（1,5-己二烯）钌和双（乙酰丙酮）（1,3-戊二烯）钌的钌络合物表现出低熔点，显示出优异的耐水分稳定性， 空气和热量，并且适合于通过CVD方法形成膜。 （1-1）其中X表示由通式（1-2）表示的基团; Y表示由通式（1-2）表示的基团或具有1〜8个碳原子的直链或支链烷基; Z表示氢原子或碳原子数1〜4的烷基。 L表示具有至少两个双键的不饱和烃化合物：（1-2）其中R a，R b和R b独立地表示直链或支链烷基，其具有1〜 5个碳原子。
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公开(公告)号：WO2005035823A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/JP2004/015083
申请日：2004-10-13
IPC: C23C16/18
CPC classification number: C07F7/1852 , C23C16/18
Abstract: [PROBLEMS] Disclosed is a novel beta-diketonato metal complex which can be advantageously used in a method wherein a metal thin film is produced by CVD. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] Disclosed is a metal complex represented by the following formula: (1) (wherein X represents a silyl ether group having a specific structure; Y represents the above-mentioned silyl ether group or an alkyl group; Z represents a hydrogen atom or an alkyl group; M represents Lu, Ir, Pd, Ni, V, Ti, Zr, Hf, Al, Ga, In, Sn, Pb, Zn, Mn, It, Cr, Mg, Co, Fe or Ag; and n represents the valence of the metal atom M.)
Abstract translation: [问题]公开了一种新颖的β-二酮单体金属络合物，其可以有利地用于通过CVD制备金属薄膜的方法。 解决问题的手段公开了下述式表示的金属络合物：（1）（式中，X表示具有特定结构的甲硅烷基醚基，Y表示上述甲硅烷基醚基或烷基，Z表示 氢原子或烷基; M表示Lu，Ir，Pd，Ni，V，Ti，Zr，Hf，Al，Ga，In，Sn，Pb，Zn，Mn，It，Cr，Mg，Co，Fe或Ag ; n表示金属原子M的化合价）
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6237882B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2016509916
申请日：2014-12-25
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: H01L21/205 , B01J7/00 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4481
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公开(公告)号：JP2015134799A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2015045356
申请日：2015-03-06
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: G01N30/04 , C07F7/00 , G01N30/02 , G01N30/88 , C07C31/125
Abstract: 【課題】 本発明の課題は、具体的に高純度化が達成された、即ち、ハロゲンや金属不純物の含有量が低減された高純度ジルコニウムアルコキシド原料を効率的に製造する方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明の課題は、下記分析法で測定されるハロゲンの含有量が1質量ppm未満、鉄、クロム及び銅それぞれの含有量が0.1質量ppm未満であり、ニッケルの含有量が0.4質量ppm未満である、高純度ジルコニウムアルコキシド原料によって解決される。 ハロゲンの分析法; 高純度ジルコニウムアルコキシド原料を、そのまま又は有機溶媒に溶解した後、これに塩基性水溶液を添加して、沈殿物を除去した溶液の水溶液部分をイオンクロマトグラフィーにより高純度ジルコニウムアルコキシド原料中のハロゲン含有量を分析する。 金属含量の分析法; 高純度ジルコニウムアルコキシド原料を、そのまま又は有機溶媒に溶解した後、これに酸性水溶液を添加して、この酸性水溶液の水溶液部分を誘導結合プラズマ質量分析(ICP−MS)、誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−AES)又はそれらを組み合わせて高純度ジルコニウムアルコキシド原料中の鉄、クロム、銅及びニッケル含有量を分析する。 【選択図】 なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种有效地制备高纯度的烷氧化锆原料的方法，其特别是高纯度化，即其卤素和金属杂质被还原。方法：提供高纯度的烷氧化锆原料 通过以下分析方法测定的卤素含量小于1质量ppm以下，铁，铬和铜的含量小于0.1质量ppm，镍含量小于0.4质量ppm的材料。 卤素的分析方法：将高纯度的烷氧基锆原料按照或溶解在有机溶剂中后加入碱性水溶液; 除去析出物后，通过离子色谱法分析析出物已被除去的溶液的水溶液部分，得到高纯度的烷氧基锆原料中的卤素含量。 金属含量的分析方法：将高纯度的烷氧基锆原料按照或溶解在有机溶剂中后，加入酸性水溶液; 通过电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS），电感耦合等离子体发射光谱分析（ICP-AES）或其铁，铬，铜和镍含量的组合分析该酸性溶液的水溶液部分 在高纯度的烷氧基锆原料中。
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公开(公告)号：JP5776555B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2011549020
申请日：2011-01-06
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C07F7/00 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C07C31/125
CPC classification number: C07F7/006 , C07C31/125 , C23C16/18 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02271 , H01L28/40
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公开(公告)号：WO2009011425A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/063035
申请日：2008-07-18
CPC classification number: C07F15/0093 , C07C49/92 , C23C16/18
Abstract: 本発明の有機白金錯体は、一般式（１）で示される新規白金錯体であり、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造に適している。 【化１】 （式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１～８の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｚは、水素原子、あるいは炭素数１～４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｌは、アルコキシアルケニル基（アルコキシ基で置換された直鎖又は分枝状のアルケニル基）を示す。）
Abstract translation: 公开了作为下述通式（1）表示的新型铂络合物的有机铂络合物。 该有机铂络合物具有低熔点，同时对水分，空气和热量具有优异的稳定性。 该有机铂络合物适用于通过CVD法制造含铂的薄膜。 （1）（式中，X和Y分别表示可以被烷氧基取代的碳原子数为1〜8的直链或支链烷基，Z表示氢原子或具有1- 4个碳原子; L表示烷氧基烯基（被烷氧基取代的直链或支链烯基））
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