公开(公告)号：JP6464787B2

公开(公告)日：2019-02-06

申请号：JP2015023526

申请日：2015-02-09

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 仲野 逸人 ,  仲村 秀世 ,  堀尾 真史 ,  梨子田 典弘 ,  中村 瑶子

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

公开(公告)号：JP2017169145A

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：JP2016054529

申请日：2016-03-17

Applicant: 東京エレクトロンデバイス株式会社 ,  富士電機株式会社

Inventor： 分部 明久 ,  仲野 逸人 ,  堀尾 真史

IPC: H03K17/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/00

Abstract: 【課題】半導体素子の特性変動を表すパラメータを測定し、その結果に基づいて半導体素子の寿命を予測し、特性変動を制御する。 【解決手段】半導体装置100は、ポリタイプ結晶構造を有する基板に形成される半導体素子10、半導体素子のゲート電圧のオーバーシュート時間を測定する第1測定部21並びに半導体装置の閾値電圧及びオン電圧を測定する第2測定部22を含む測定部20、測定部による測定結果に基づいて半導体素子の寿命を予測する予測部30及び予測部の予測結果に基づいて半導体素子のゲートGに接続するゲート抵抗Rgの抵抗値を変更する調整部12を備える。調整部によりゲート抵抗の抵抗値を変更することで、ゲート電圧のオーバーシュート時間を調整して半導体素子を延命することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6171586B2

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：JP2013117916

申请日：2013-06-04

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 多田 慎司 ,  望月 英司 ,  仲村 秀世 ,  堀尾 真史

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07

CPC classification number: H05K1/117 ,  H01L24/01 ,  H05K1/0263 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10272 ,  H05K2201/10303 ,  H05K3/328

公开(公告)号：JP6075380B2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：JP2014541919

申请日：2013-09-27

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 仲村 秀世 ,  堀尾 真史

IPC: H01L25/18 ,  H02M7/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H05K1/181 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L25/072 ,  H05K1/0212 ,  H05K1/0296 ,  H05K3/3447 ,  H05K7/2089 ,  H01L21/565 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/0243 ,  H05K2201/0364 ,  H05K2201/06 ,  H05K2201/09972

公开(公告)号：JP2016086186A

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：JP2016016827

申请日：2016-02-01

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 飯塚 祐二 ,  堀尾 真史 ,  仲村 秀世

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/29 ,  H02M7/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/34 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/117 ,  H01L29/66325 ,  H02M7/003 ,  H05K1/0263 ,  H01L2224/06 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H05K2201/10166

Abstract: 【課題】冷却体への密着性を高めるとともにその生産効率の向上を図ることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置は、三つのパワー半導体モジュール1が所定の間隔で同一平面内に並べられ、パワー半導体モジュール1から外部に引き出されたピン状導電体25〜27がそれぞれ3枚の主端子板2A〜2Cと接続されることで、それらが一体に構成された複合モジュールである。複合モジュール全体を保護ケースに収納し、さらに放熱フィンを配置する場合には、貫通孔29に挿入されるボルトで保護ケースと放熱フィンを締結することによって、絶縁基板の底面を放熱フィンと確実に密着させて保護ケースに収納することができる。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法，其增加与冷却体的粘附性并且可以提高其制造效率。解决方案：半导体器件是复合模块，其中三个功率半导体模块1 在相同的平面上以预定的间隔布置，并且从功率半导体模块1被拉出到外部的销状导体25-27分别连接到三个主端子板2A-2C，使得它们彼此一体化。 当整个复合模块被容纳在保护壳体中并且进一步布置散热片时，保护壳体通过插入通孔29的螺栓固定到散热片。以这种方式，可以容纳复合模块 在保护壳中，同时可靠地使绝缘基板的底部与散热片紧密接触。选择图：图3

公开(公告)号：JP5835466B2

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：JP2014507390

申请日：2013-03-15

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 堀尾 真史 ,  仲村 秀世

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/041 ,  H01L23/043 ,  H01L23/051 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/544 ,  H01L24/18 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/072 ,  H02M7/003 ,  H05K7/209 ,  H01L2023/405 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181