-
公开(公告)号：CN110265328B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201910521735.1
申请日：2015-06-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化。本发明描述了在工艺夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶片位置测定的装置和方法。所述装置包含：处理夹具；至少一个接近传感器；和基座。所述处理夹具包含处理夹具主体，所述处理夹具主体具有处理夹具底表面、在所述处理夹具主体中的一或多个开口。所述至少一个接近传感器保持在所述处理夹具主体中的所述开口的至少一个之内。所述基座包含基座板，所述基座板具有基座板顶表面、基座中心点，和形成在所述基座板顶表面中与所述基座中心点相距距离RR的一或多个凹槽。
-
公开(公告)号：CN107112268B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201680005492.0
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 公开了用于使用止动器、致动器和发射器/检测器来测量两个部件之间的接近度的设备与方法，所述发射器/检测器使光通过所述致动器中的通路。所述通路提供对光的衰减，所述衰减随部件之间的间隙改变而改变，从而允许对间隙的测量与控制。还描述了使用设备来确定部件的拓扑的方法。
-
公开(公告)号：CN105225985B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510355699.8
申请日：2015-06-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化。本发明描述了在工艺夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶片位置测定的装置和方法。所述装置包含：处理夹具；至少一个接近传感器；和基座。所述处理夹具包含处理夹具主体，所述处理夹具主体具有处理夹具底表面、在所述处理夹具主体中的一或多个开口。所述至少一个接近传感器保持在所述处理夹具主体中的所述开口的至少一个之内。所述基座包含基座板，所述基座板具有基座板顶表面、基座中心点，和形成在所述基座板顶表面中与所述基座中心点相距距离RR的一或多个凹槽。
-
公开(公告)号：CN107924813A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047304.0
申请日：2016-08-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4404 , C23C16/45551
Abstract: 公开一种用于加热衬底的加热装置，所述加热装置具有石墨主体和至少一个加热元件，所述至少一个加热元件包括设置在所述主体内的连续材料区段。也公开了包括所述加热装置的处理腔室。
-
公开(公告)号：CN107743529A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201680034786.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45546 , C23C16/45563
Abstract: 用于处理基板的装置及方法包括注射器单元，该注射器单元包括沿该注射器单元的长度延伸的前反应气体端口、沿该注射器单元的该长度延伸的后反应气体端口以及在该前反应气体端口及该后反应气体端口周围形成边界且封闭该前反应气体端口及该后反应气体端口的合并真空端口。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105051251B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201480008685.2
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/455 , C23C16/45551 , C23C16/45565 , C23C16/4584
Abstract: 本文所描述的是气体分配组件及由数个扇形(pie‑shaped)区段制成的基座组件，该数个扇形区段可以被个别地整平、移动或变换。本文还描述的是包含气体分配组件、基座组件及感测器的处理室，并具有反馈电路来调整该基座和该气体分配组件之间的缝隙。本文还描述的是使用该等气体分配组件、基座组件及处理室的方法。
-
公开(公告)号：CN107365976A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710580400.8
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4583 , H01L21/0228 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L22/10
Abstract: 所描述为用于处理半导体晶圆的装置及方法，其中在晶圆表面及气体分配组件之间的空隙保持一致且具有已知的厚度。晶圆放置于基座组件内且该组件使用致动器被举起往气体分配组件。可通过产生晶圆下方及/或上方的流体轴承，以举起该晶圆往气体分配组件。
-
公开(公告)号：CN117604502A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311531989.4
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本申请涉及用于空间上分离的原子层沉积腔室的改进的注射器。公开用于空间式原子层沉积的设备和方法。所述设备包括气体递送系统，所述气体递送系统包含第一气体和第二气体，所述第一气体流动通过与阀流体连通的多个腿部，并且所述第二气体流动通过多个腿部进入所述阀。
-
公开(公告)号：CN105765697B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201480064262.2
申请日：2014-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 提供一种用于处理多个基板的基板处理腔室与方法，所述基板处理腔室一般包括气体分配组件、基座组件与气体转向器，所述基座组件用于沿着邻近气体分配组件的每一个的路径旋转基板，气体转向器用于改变处理腔室中的气体流动的角度。
-
公开(公告)号：CN108770167A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810400150.X
申请日：2014-08-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24
Abstract: 描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件，所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极分开。同轴馈送线穿过导管而进入与处理环境隔离的RF热电极，使得当等离子体处理区域处于减小的压力下时，同轴RF馈送线处于大气压力下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.037 seconds)
