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公开(公告)号：CN105637111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201580002175.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2250/02 , B32B2250/03 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/706 , B32B2307/732 , B32B2457/208 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C14/5806 , G06F3/044
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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公开(公告)号：CN105452520A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201580001267.5
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , B32B7/02 , C23C14/086 , C23C14/10 , G06F3/041 , H01B3/10 , H01B3/301 , H01B3/305 , H01B3/306 , H01B3/307 , H01B3/38 , H01B3/423 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01B3/442 , H01B3/447 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
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公开(公告)号：CN102667545B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201080052126.3
申请日：2010-11-09
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 公开了一种红外线反射基板，其设置有红外线反射层、配置在所述红外线反射层表面上的保护层和从背面侧支承所述红外线反射层的透明基板，其中所述保护层由聚环烯烃层形成。
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公开(公告)号：CN101221935B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200710195328.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明导电膜，在有机高分子膜基材上形成有Al2O3薄膜，并在该Al2O3薄膜上形成有掺杂Ga和Al中至少任意一种的ZnO的ZnO类薄膜。所述透明导电膜的ZnO类薄膜的膜厚变薄时(特别是膜厚为150nm左右以下时)，为低电阻值，且即使在湿热环境下电阻值的变化率也小。
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公开(公告)号：CN101221935A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710195328.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明导电膜，在有机高分子膜基材上形成有Al2O3薄膜，并在该Al2O3薄膜上形成有掺杂Ga和Al中至少任意一种的ZnO的ZnO类薄膜。所述透明导电膜的ZnO类薄膜的膜厚变薄时(特别是膜厚为150nm左右以下时)，为低电阻值，且即使在湿热环境下电阻值的变化率也小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109930109B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910038774.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
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公开(公告)号：CN108353521B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201680062050.X
申请日：2016-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够长期保持优异的性能的电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：由高分子薄膜构成的电介质层B、在电介质层B的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层A、和在电介质层B的第2面的具有比所述电阻层A低的薄层电阻的导电层C，上述电阻层A的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。
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公开(公告)号：CN104919541B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480005113.9
申请日：2014-01-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100％所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，所述透明导电膜的膜厚处于超过40nm且在200nm以下的范围，电阻率值为1.2×10‑4～2.0×10‑4Ω·cm，在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.3，并且，由X射线应力测定法测得的内部应力为700MPa以下。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且内部应力小的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN105492653A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN104081473A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280068061.0
申请日：2012-11-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B13/0036 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B13/0016
Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
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