公开(公告)号：CN105473756B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580001616.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  上田恵梨 ,  黑瀬爱美 ,  梨木智刚

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  C23C14/44 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。

公开(公告)号：CN105452520A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201580001267.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  加藤大贵 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  宫崎司 ,  上田恵梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  G06F3/041 ,  H01B3/10 ,  H01B3/301 ,  H01B3/305 ,  H01B3/306 ,  H01B3/307 ,  H01B3/38 ,  H01B3/423 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01B3/442 ,  H01B3/447 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。

公开(公告)号：CN105452520B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201580001267.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川上梨恵 ,  加藤大贵 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  宫崎司 ,  上田恵梨

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。

公开(公告)号：CN105473756A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201580001616.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  上田恵梨 ,  黑瀬爱美 ,  梨木智刚

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/44 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc-na)2+(μc-μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。

公开(公告)号：CN115139595A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210328939.5

申请日：2022-03-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 远藤宽也 ,  桥本尚树 ,  安藤豪彦 ,  高见佳史 ,  横井辽太郎 ,  上田恵梨

IPC: B32B23/20 ,  B32B17/00 ,  B32B17/06 ,  B32B17/10 ,  B32B27/36 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32 ,  B32B33/00 ,  B32B7/12 ,  G02B1/14

Abstract: 提供硬度高、卷曲得到抑制、且视觉辨识侧表面与其它层的密合性高的硬涂薄膜、光学构件及图像显示装置。为了达到上述目的，本发明的硬涂薄膜(100a)及(100b)的特征在于，包含基材(110)、第1硬涂层(101)、第2硬涂层(102)和第3硬涂层(103)，第1硬涂层(101)、第2硬涂层(102)、基材和第3硬涂层(103)从视觉辨识侧起按照该顺序而层叠，第1硬涂层(101)及第2硬涂层(102)分别包含纳米二氧化硅颗粒，第1硬涂层(101)中所含的纳米二氧化硅颗粒(101P)的重均粒径大于第2硬涂层(102)中所含的纳米二氧化硅颗粒(102P)的重均粒径。