Cu-Ni-Si系合金
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101512026A

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200780032604.2

    申请日:2007-09-21

    Inventor: 波多野隆绍

    Abstract: 本发明提供一种尽量不添加其它合金元素,并且兼具得到改善的电导率、强度、弯曲性及应力松弛特性的电子材料用Cu-Ni-Si系合金。在含有1.2~3.5质量%的Ni、浓度(质量%)为Ni浓度(质量%)的1/6~1/4的Si,其余部分由Cu及总量为0.05质量%以下的杂质组成的Cu-Ni-Si系合金中,可以通过控制固溶处理条件、时效处理条件及轧制加工率,并将晶粒的形状和无析出带的宽度调整至合适范围的方式,来提供一种具有55~62%IACS的电导率、550~700MPa的拉伸强度、180度贴合弯曲下不产生裂纹、150℃下加热1000小时时的应力松弛率在30%以下的铜合金条。

    Cu-Ni-Si-Mg系铜合金条
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100350064C

    公开(公告)日:2007-11-21

    申请号:CN200510069761.3

    申请日:2005-04-13

    Abstract: 本发明提供一种具有优异的强度、导电性、耐应力驰豫特性、弯曲加工性、蚀刻性、润湿性、可镀涂性,并且能够稳定生产的Cu-Ni-Si-Mg系合金。它是一种具有下述组成的铜基合金:含有1.0-4.0质量%的Ni,含有相对于Ni质量%浓度1/6-1/4浓度的Si,含有0.05%-0.3质量%的Mg,余量为Cu和不可避免的杂质;其特征在于,在与轧制方向平行的断面中,Ni-Si系化合物粒子具有下面(1)和(2)的分布状态:(1)粒径是10μm以上且20μm以下的Ni-Si系化合物粒子的个数是2个/mm2以下,(2)在由粒径2μm以上且20μm以下的Ni-Si系化合物粒子构成的Ni-Si系粒子群中,长度0.05mm以上且1.0mm以下的Ni-Si系粒子群的个数是2个/mm2以下。

    蚀刻穿孔性能优良的铁镍合金荫罩半成品及其制造方法

    公开(公告)号:CN1327077A

    公开(公告)日:2001-12-19

    申请号:CN01116678.9

    申请日:2001-04-19

    Abstract: 一种铁镍合金荫罩半成品,它表现出蚀刻穿孔形成的电子束通孔具有优秀的孔径均一性,该合金由34-38%Ni,0.05-0.5%Mn,4-20ppmS和余量Fe以及不超过指定极限的C,Si,Al和P组成,直径为50-1000纳米的MnS夹杂物以至少1500个/mm2的密度散布,或是当半成品在20℃3%硝酸-乙醇溶液中浸泡30秒后,具有密度至少为2000个/mm2的直径为0.5-10微米的蚀刻孔。一种制造半成品的方法,该方法包括在下列条件下对铁镍合金板材进行热轧,冷却、重结晶退火、冷轧等:例如在950-1250℃下将板材热轧成厚度为2-6毫米,以0.5℃/秒的速度在900-700℃范围内冷却该轧件,使轧件连续通过850-1100℃的加热炉进行重结晶退火,以便将重结晶晶粒的平均直径调节至5-30微米,在最终重结晶退火前以50-85%的压缩比进行冷轧,并以10-40%的压缩比进行最终的冷轧。

    导电性优良的钛铜及其制造方法

    公开(公告)号:CN100371484C

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN200410039983.6

    申请日:2004-03-22

    CPC classification number: C22F1/08 C22C9/00

    Abstract: 本发明的目的在于提供在希望高强度、高电导率的用途中,强度高、导电性优良的钛铜。本发明的钛铜的特征是,含有2.5~4.5质量%的Ti,其余为Cu和不可避免的杂质构成,电导率为16%IACS以上,屈服强度σ0.2为800MPa以上的高强度、导电性优良的钛铜,将在垂直于轧制方向的截面上观察的Cu-Ti金属间化合物相的面积率以S%表示,将Ti含有量以[Ti]质量%表示时,具有S≥8.1×[Ti]-17.7的关系。

    Cu-Ni-Si-Mg系铜合金条

    公开(公告)号:CN100338691C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200510071792.2

    申请日:2005-04-30

    Inventor: 波多野隆绍

    Abstract: 本发明提供一种能够稳定地得到良好软钎焊湿润性、电镀性、弯曲加工性的Cu-Ni-Si-Mg合金。本发明的Cu-Ni-Si-Mg系铜合金条是一种具有下述组成的铜基合金:Ni含量为1.0-4.5质量%,Si含量是Ni质量百分浓度的1/6-1/4,Mg含量为0.05-0.3质量%,其余为Cu和不可避免的杂质,在与轧制方向垂直的断面中观察到的由Mg氧化物粒子构成的夹杂物群中,长度为0.05mm或以上的夹杂物群的个数小于或等于1个/mm2。

    电气电子设备用Cu-Zn-Sn合金

    公开(公告)号:CN1897171A

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:CN200610105676.2

    申请日:2006-07-17

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种兼有必要且充分的导电率和强度,可适应电子设备部件的小型化、且低成本的铜合金。含有2~12质量%的Zn和0.1~1.0质量%的Sn,并将Sn的质量百分比浓度([%Sn])和Zn的质量百分比浓度([%Zn])的关系调整到0.5≤[%Sn]+0.16[%Zn]≤2.0的范围内,其余部分由铜和其不可避免的杂质构成,不可避免的杂质中S浓度小于等于30质量ppm、O浓度小于等于50质量ppm,在具有上述特征的铜合金中,能够以较低的成本获得:通过将晶粒形状和结晶方位调整到适当的范围内,从而具有大于等于35%IACS的电导率以及大于等于410MPa的拉伸强度,并可进行较差方式以及较好方式的180度贴合弯曲加工的铜合金。

    蚀刻穿孔性优良的Fe-Ni合金荫罩用的原材料

    公开(公告)号:CN1134552C

    公开(公告)日:2004-01-14

    申请号:CN01111268.9

    申请日:2001-03-15

    Abstract: 本发明涉及Ni:34~38%、Mn:0.2~0.5%、S:15~40ppm、Cu:20~500ppm,余量是Fe和不可避免的杂质或伴随元素:C:0.10%以下、Si:0.30%以下、Al:0.30%以下、P:0.005%以下的Fe-Ni合金荫罩用原材料。它还含有直径为50~1000nm的MnS夹杂物1500个/mm2或将轧制面镜面抛光后,在规定硝酸-乙醇溶液中浸渍,直径为0.5μm~10μm的蚀刻孔为2000个/mm2以上。长度超过10μm的夹杂物在0.5个/mm2以下。

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