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公开(公告)号：CN107799668A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710769657.8
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L21/02694 , G02F2201/44 , H01L21/02488 , H01L21/67132 , H01L21/7806 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L29/66969 , H01L51/56 , H01L51/003
Abstract: 本发明的目的是提高半导体装置的制造工序的成品率。另外，本发明的一个方式的目的是提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，使第一材料层与第二材料层分离，由此制造半导体装置。另外，在进行分离之前，优选对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含含有氢和氧中的一个或两个的气体(例如，水)。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂。通过切断氢键来使第一材料层与第二材料层分离。另外，通过进行加热，第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出水。第一材料层与第二材料层间的密接性因存在于其界面或其界面附近的水而降低而使第一材料层与第二材料层彼此分离。
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公开(公告)号：CN106653685A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610809456.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77
Abstract: 本发明题为显示装置及其制造方法。在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。
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公开(公告)号：CN110993829B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201911097742.X
申请日：2014-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者，本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置，该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外，装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。
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公开(公告)号：CN107799668B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201710769657.8
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提高半导体装置的制造工序的成品率。另外，本发明的一个方式的目的是提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，使第一材料层与第二材料层分离，由此制造半导体装置。另外，在进行分离之前，优选对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含含有氢和氧中的一个或两个的气体(例如，水)。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂。通过切断氢键来使第一材料层与第二材料层分离。另外，通过进行加热，第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出水。第一材料层与第二材料层间的密接性因存在于其界面或其界面附近的水而降低而使第一材料层与第二材料层彼此分离。
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公开(公告)号：CN106653685B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201610809456.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77
Abstract: 本发明题为显示装置及其制造方法。在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676395A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910772087.7
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56 , H01L21/84 , H01L51/50 , H01L51/52 , H01L21/34 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/24 , H01L29/786 , B23K26/04 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/08
Abstract: 显示装置及其制造方法。在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。
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公开(公告)号：CN110047760A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811573352.0
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56 , B23K26/04 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/08 , H01L41/314 , H01L51/50
Abstract: 在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。
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公开(公告)号：CN109564851A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780049788.7
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , B23K26/57 , B32B9/00 , B32B15/04 , B32B38/18 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L31/1892 , H01L21/02345 , H01L21/02488 , H01L21/02694 , H01L21/6835 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L29/66969 , H01L31/1896 , H01L51/003 , H01L2221/68386 , H01L2224/83052 , H01L2924/35121
Abstract: 提高半导体装置的制造工序的成品率。提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，将第一材料层与第二材料层彼此分离，由此制造半导体装置。此外，在分离前，优选对包括第一材料层与第二材料层的叠层体进行加热。第一材料层包含氢、氧和水中的一种或多种。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂(例如，聚酰亚胺或丙烯酸)。第一材料层与第二材料层通过切断氢键来彼此分离。通过对因加热第一材料层与第二材料层的界面或界面附近而析出的水照射光，使第一材料层与第二材料层彼此分离。
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公开(公告)号：CN107452899A8
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN105493631A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047352.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10 , B65G49/06 , H01L21/677 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC classification number: B32B43/006 , B26D1/04 , B26D2001/006 , B32B38/10 , B32B2457/00 , G02B6/00 , H01L21/67092 , H01L27/1248 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/56 , H01L2221/68327 , H01L2227/323 , H01L2251/5338 , Y10T156/1126 , Y10T156/1132 , Y10T156/1168 , Y10T156/1184 , Y10T156/1933 , Y10T156/1944 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967
Abstract: 提供一种叠层体的加工装置。该叠层体包括其端部之间有间隙且彼此贴合在一起的两个衬底。该加工装置包括固定叠层体的一部分的固定机构、固定叠层体的一个衬底的外边缘部的多个吸附器具、以及插在叠层体的角部的楔形器具。多个吸附器具包括可以使各吸附器具沿垂直方向及水平方向独立地移动的机构。该加工装置还包括检测叠层体端部的间隙位置的传感器。楔形器具的尖端沿着形成在叠层体的端面的倒角部分移动。该楔形器具插在叠层体的端部的间隙中。
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