公开(公告)号：CN116845068A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310762325.2

申请日：2017-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 久保田大介 ,  岩城裕司 ,  吉住健辅 ,  立石真理 ,  高濑奈津子

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一衬底、第一衬底上的第一树脂层、第一树脂层上的像素部及端子部、端子部上的第二树脂层、以及第二树脂层上的第二衬底，其中，像素部包括晶体管及与晶体管电连接的显示元件，端子部包括导电层，第一树脂层包括开口部，导电层包括从第一树脂层中的开口部露出的第一区域，第二树脂层包括与第一区域重叠的区域，导电层为与晶体管的源极及漏极和晶体管的栅极中的至少一个相同的层。

公开(公告)号：CN107452899B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201710329228.9

申请日：2017-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 谷中顺平 ,  熊仓佳代 ,  佐藤将孝 ,  井户尻悟 ,  吉住健辅 ,  立石真理 ,  高濑奈津子

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。

公开(公告)号：CN107403807A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710360877.5

申请日：2017-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 久保田大介 ,  岩城裕司 ,  吉住健辅 ,  立石真理 ,  高濑奈津子

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/1218

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一衬底、第一衬底上的第一树脂层、第一树脂层上的像素部及端子部、端子部上的第二树脂层、以及第二树脂层上的第二衬底，其中，像素部包括晶体管及与晶体管电连接的显示元件，端子部包括导电层，第一树脂层包括开口部，导电层包括从第一树脂层中的开口部露出的第一区域，第二树脂层包括与第一区域重叠的区域，导电层为与晶体管的源极及漏极和晶体管的栅极中的至少一个相同的层。

公开(公告)号：CN107403807B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201710360877.5

申请日：2017-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 久保田大介 ,  岩城裕司 ,  吉住健辅 ,  立石真理 ,  高濑奈津子

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一衬底、第一衬底上的第一树脂层、第一树脂层上的像素部及端子部、端子部上的第二树脂层、以及第二树脂层上的第二衬底，其中，像素部包括晶体管及与晶体管电连接的显示元件，端子部包括导电层，第一树脂层包括开口部，导电层包括从第一树脂层中的开口部露出的第一区域，第二树脂层包括与第一区域重叠的区域，导电层为与晶体管的源极及漏极和晶体管的栅极中的至少一个相同的层。

公开(公告)号：CN107452899A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710329228.9

申请日：2017-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 谷中顺平 ,  熊仓佳代 ,  佐藤将孝 ,  井户尻悟 ,  吉住健辅 ,  立石真理 ,  高濑奈津子

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。

公开(公告)号：CN107452899A8

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710329228.9

申请日：2017-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 谷中顺平 ,  熊仓佳代 ,  佐藤将孝 ,  井户尻悟 ,  吉住健辅 ,  立石真理 ,  高濑奈津子

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。