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公开(公告)号：CN115362081A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025699.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种控制二次电池的温度且不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统。通过使用多种二次电池控制温度，可以实现不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统，并将该系统安装在车辆上。具体而言，当环境温度较低时，利用第一二次电池的自发热加热第二二次电池的一部分，使得第二二次电池充分被加热，然后利用被升温的第二二次电池的一部分的自发热有阶段性地加热第二二次电池的其他部分。对第二二次电池的一部或全部是否被充分加热而言，将多个温度传感器设置在第二二次电池上，使得其温度在第二二次电池的使用温度范围内即可。例如，当温度传感器利用温度检测端子(T端子)检测出二次电池的内部温度在使用温度范围外时关闭开关。
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公开(公告)号：CN115152036A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180015627.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01M10/44 , H01M10/48 , H02H7/18 , H02J7/00 , H02J7/02
Abstract: 提供一种具有新颖结构、低功耗结构或高集成度结构的电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、半导体装置、车辆以及电子设备等。上述半导体装置包括：第一晶体管，该第一晶体管包括第一导电体及第一导电体上的第一半导体；第一晶体管上的第一绝缘体；设置在第一绝缘体所具有的开口部的第二导电体；第一绝缘体上的第二晶体管；以及第二晶体管上的第三导电体，其中，第一导电体被用作第一晶体管的源电极或漏电极，第一半导体与第二导电体彼此重叠，第二导电体与第三导电体彼此重叠，第三导电体与第二晶体管彼此重叠，并且，第一半导体与第二晶体管通过第二导电体及第三导电体电连接。
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公开(公告)号：CN113711295A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080029698.3
申请日：2020-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种功耗低且能够提高图像质量的显示装置。该显示装置包括发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容器以及第二电容器。优选的是，发光元件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，发光元件的一个电极与第一电容器的一个电极电连接，第一晶体管的栅极与第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第一晶体管的栅极与第二电容器的一个电极电连接，第二电容器的另一个电极与第一电容器的另一个电极电连接，第二电容器的另一个电极与第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接。
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公开(公告)号：CN113631934A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024141.0
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R19/165 , H02J7/00 , G01R31/3835
Abstract: 提供一种功耗得到降低的半导体装置。该半导体装置使用三个晶体管切换两个节点的电位来检测电压。第一晶体管的源极和漏极中的一方与第一端子电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一方通过第一节点与比较器的非反转输入电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一方与第二端子电连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一方通过第二节点与第三晶体管的源极和漏极中的一方电连接，第三晶体管的源极和漏极中的另一方与第三端子电连接，第一电容器设置在第一节点与第二节点间，比较器的反转输入与第四端子电连接，比较器的输出与第五端子电连接。
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公开(公告)号：CN112868127A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068261.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/60 , B60L58/24 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01M10/613 , H01M10/615 , H01M10/633 , H01M10/637 , H02J7/00 , H02J7/10
Abstract: 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常，例如早期检测降低二次电池的安全性的现象，向使用者发出警告或者停止二次电池的使用，来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时，通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元，并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112840639A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066901.1
申请日：2019-10-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括光源的摄像装置。该摄像装置在像素中包括发光器件及光电转换器件，像素电路具有输出所取得的第一数据乘以第二数据(权重)而得的第三数据的功能。通过在外部运算第三数据，可以更详细地取得相对于特定波长的拍摄对象的信息。此外，通过一次性地读出适当地加权的多个像素，也可以输出像素间的差分数据等，由此也可以省略外部运算。
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公开(公告)号：CN112840208A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066607.0
申请日：2019-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 减少测定装置的成本。使测定装置的结构简化。提供一种能够以更高的精度进行测定的测定装置。测定装置(10)包括发送部(13)、接收部(14)、控制部(11)及显示部(15)。控制部包括存储部(21)及运算部(22)。发送部具有输出用来在探针(40)中产生超声波(51)的脉冲信号的功能。接收部具有根据从探针输入的输入信号生成具有第一模拟数据(D1)的第一信号并将其输出到控制部的功能。存储部具有容纳第一模拟数据的功能。运算部具有根据存储部所保持的第一模拟数据生成向显示部输出的图像信号(S0)的功能。显示部具有根据图像信号显示图像的功能。
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公开(公告)号：CN112602334A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055430.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04R3/00 , G10K11/34 , H01L29/786 , H04R1/40
Abstract: 提供一种可以进行声源定位的具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括麦克风阵列、延时电路、信号处理电路。延时电路包括选择麦克风的第一选择电路、保持与声源信号对应的电压的信号保持电路、以及选择信号保持电路的第二选择电路。信号保持电路各自包括晶体管，该晶体管包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的半导体层。第一选择电路将离散的声源信号的电压写入信号保持电路中。第二选择电路在不同时序选择保持在信号保持电路中的电压，生成相当于延时的声源信号的输出信号。
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公开(公告)号：CN112425153A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046933.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 池田隆之
IPC: H04N5/374 , G01S17/89 , H01L27/146
Abstract: 提供一种摄像面板。摄像面板包括光电转换元件、像素、第一导电膜、第二导电膜、第三导电膜、第四导电膜及第五导电膜。像素包括像素电路并提供图像信号。第一导电膜被提供图像信号，光电转换元件包括与第二导电膜连接的第一端子及与像素电路连接的第二端子。像素电路包括第一开关、第二开关、第三开关、晶体管及电容器。第一开关包括与光电转换元件的第二端子连接的端子以及与节点连接的端子。晶体管包括与节点连接的栅电极及与第三导电膜连接的第一电极。第二开关包括与晶体管的第二电极连接的端子以及与第一导电膜连接的端子。第三开关包括与第四导电膜连接的端子以及与节点连接的端子。电容器包括与节点连接的第一电极以及与第五导电膜连接的第二电极。
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公开(公告)号：CN110945861A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880044619.9
申请日：2018-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可见度得到提高的显示系统。一种显示系统，包括摄像装置；控制装置；以及显示装置。摄像装置包括配置为矩阵状的第一像素，显示装置包括配置为矩阵状的第二像素。摄像装置具有根据照射到第一像素的光的照度生成第一图像数据的功能。控制装置具有根据第一图像数据生成直方图，并将该直方图分割为两个以上的照度区域的功能。此外，控制装置具有对第一图像数据作为信息所具有的与照射到第一像素的光的照度对应的灰度进行转换来生成对第一图像数据进行动态范围压缩而成的第二图像数据的功能。控制装置根据各照度区域的直方图的积分值按每个照度区域算出动态范围压缩的压缩率。
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