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公开(公告)号：CN112385113B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980042318.7
申请日：2019-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02J7/10 , G01R31/374 , H01L21/8234 , H10B12/00 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01M10/44 , H01M10/48
Abstract: 提供一种实现不容易发生蓄电装置的劣化的充电的半导体装置。根据环境温度调整充电电流的大小。在低温环境下以充电电流较小的方式进行充电。在环境温度过低或过高时停止充电。在环境温度的测定中，使用包括氧化物半导体的存储元件。通过使用包括氧化物半导体的存储元件，同时进行环境温度的测定和该温度信息的保持。
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公开(公告)号：CN113196546A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083725.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/42 , H01M10/48 , H02J7/00 , H02J7/10 , G01R31/392
Abstract: 提供一种检测二次电池的劣化的半导体装置。该半导体装置包括容量计及异常电流检测电路及控制电路。容量计包括分流电路及积分电路。异常电流检测电路包括第一存储器、第二存储器及第一比较器。积分电路具有通过对分流电路所检测的检测电流进行积分来将该检测电流转换成检测电压的功能。异常电流检测电路被供应检测电压、在第一时刻被供应的第一信号以及在第二时刻被供应的第二信号。第一信号可以将第一时刻的检测电压储存在第一存储器中，第二信号可以将第二时刻的检测电压储存在第二存储器中。第一比较器将第一时刻的检测电压及第二时刻的检测电压的变化作为第一输出信号输出到控制电路。
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公开(公告)号：CN102750565B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210097659.4
申请日：2006-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/0723 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的是防止在能够进行无线数据通信的半导体器件中由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。在半导体器件中，电平转移电路被提供于数据解调电路和每一个电路块之间，在该电路块中，从数据解调电路输出解调信号。以这种方式，解调信号的电压幅度几乎与自每一电路块的输出信号的电压幅度相等。因此，解调信号的脉冲宽度几乎与每一电路块中的信号的脉冲宽度相等，或者解调信号的脉冲宽度几乎与自每一电路块的输出信号的脉冲宽度相等。因此，可以防止由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。
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公开(公告)号：CN1870261A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610087838.4
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 松嵜隆德
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , G06K19/07
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L27/124 , H01L27/13 , H01L29/78624 , H01L29/78633 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用来以低成本和高成品率制造性能和可靠性更高的半导体器件的方法。本发明的半导体器件具有第一绝缘层上的第一导电层；第一导电层上的第二绝缘层，此第二绝缘层包括延伸到第一导电层的开口；以及形成在第二绝缘层上用来将集成电路部分电连接到天线的信号布线层，和邻近信号布线层的第二导电层。第二导电层通过开口与第一导电层相接触，且第一导电层重叠信号布线层，以第二绝缘层插入其间。
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公开(公告)号：CN116745834A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280010327.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种分辨率高且抑制输入到像素的信号延迟的显示装置。在该显示装置中，从下方依次形成有第一层、第二层以及第三层。第一层包括驱动电路及多个第一布线，第二层包括多个第一接触部，第三层包括像素阵列及多个第二布线。像素阵列包括多个像素电路。多个第二布线是平行且在像素阵列的列方向上延伸而设置的布线，多个像素电路分别与多个第二布线电连接。驱动电路包括沿着第一方向排列的多个输出端子。多个第一布线是在垂直于第一方向的方向上延伸而设置的布线，多个输出端子分别与多个第一布线电连接。多个第一布线分别通过多个第一接触部电连接于多个第二布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866437B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201010162772.7
申请日：2010-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 松嵜隆德
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749 , H04L27/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一解调电路；第二解调电路；第一偏置电路；第二偏置电路；比较器；模拟缓冲电路；以及脉冲检测电路。脉冲检测电路的输入部分电连接到模拟缓冲电路的输出部分，脉冲检测电路的第一输出部分电连接到第一偏置电路的输入部分，并且脉冲检测电路的第二输出部分电连接到第二偏置电路的输入部分。
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公开(公告)号：CN101194276B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680018515.8
申请日：2006-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786 , H02J17/00 , H04B1/16
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/0723 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/41733
Abstract: 本发明的目的是防止在能够进行无线数据通信的半导体器件中由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。在半导体器件中，电平转移电路被提供于数据解调电路和每一个电路块之间，在该电路块中，从数据解调电路输出解调信号。以这种方式，解调信号的电压幅度几乎与自每一电路块的输出信号的电压幅度相等。因此，解调信号的脉冲宽度几乎与每一电路块中的信号的脉冲宽度相等，或者解调信号的脉冲宽度几乎与自每一电路块的输出信号的脉冲宽度相等。因此，可以防止由于脉冲宽度差导致的错误或故障如不响应。
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公开(公告)号：CN101174823A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185007.5
申请日：2007-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 松嵜隆德
IPC: H03K3/011 , H03K3/03 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H03K3/011 , H03K3/0315 , H03K5/133 , H03K2005/00039 , H03K2005/0013
Abstract: 本发明提供一种振荡电路，该振荡电路抑制对电源电压的变化等导致的振荡频率的变化，且输出更稳定的频率。在本发明中，通过振荡电路输出稳定的频率，该振荡电路包括：电连接在第一端子和第二端子之间的恒流电路；根据电源电压端子之间的电位差，改变振荡频率的电压控制振荡电路；n沟道型晶体管；通过恒流电路，使栅源之间的电压为恒定的p沟道型晶体管；以及电容，其中，p沟道型晶体管的源电极连接到第一端子，漏电极连接到n沟道型晶体管的漏电极及栅电极，且n沟道型晶体管的源电极连接到第二端子，栅电极通过电容电连接到第二端子。此外，n沟道型晶体管的栅电极相当于电压控制振荡电路的输入电压端子，第一端子和第二端子相当于电压控制振荡电路的电源电压端子。
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公开(公告)号：CN1612351A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410083451.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/14609 , H01L27/14665 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。
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公开(公告)号：CN117912516A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410126718.9
申请日：2018-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C5/02 , G11C7/12 , H01L27/10 , H01L29/786 , H01B12/00
Abstract: 本发明提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括多个单元阵列以及多个外围电路。单元阵列包括多个存储单元。外围电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路。第一驱动电路及第二驱动电路具有对单元阵列提供选择信号的功能。第一放大电路及第二放大电路具有放大从单元阵列输入的电位的功能。第三放大电路及第四放大电路具有放大从第一放大电路或第二放大电路输入的电位的功能。第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路包括与单元阵列重叠的区域。存储单元的沟道形成区含有金属氧化物。
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