处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法

    公开(公告)号:CN108630571B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN201810167202.3

    申请日:2018-02-28

    Inventor: 井上正史

    Abstract: 本发明提供一种处理液供给装置,用于对多个处理部供给处理液。该处理液供给装置具有:处理液槽,用于积存处理液;多个循环配管,分别与所述多个处理部对应设置,并分别使所述处理液槽内的处理液进行循环;供给配管,分支连接到各所述循环配管,并对对应的所述处理部供给处理液;流量检测单元,安装于各所述循环配管,并检测在该循环配管内流经的处理液的流量;流量调节阀,安装于各所述循环配管,并调节该循环配管内的处理液的流量;开度调节单元,基于由安装于各所述循环配管上的所述流量检测单元检测出的处理液的检测流量,调节对应的所述流量调节阀的开度。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN112840439A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201980067612.3

    申请日:2019-09-11

    Abstract: 本发明提供一种较佳地进行基板的蚀刻处理的技术。基板保持台(20)将基板(W)保持于既定位置。蚀刻液供给部(37)及喷嘴(30)将蚀刻液供给至既定位置的基板(W)。旋转马达(22)使基板保持台(20)绕既定的旋转轴线(Ax1)进行旋转。热像仪(70)取得腔室(10)内的处理空间(TS1)的基板W配置于既定位置的情况下所占有的基板区域的周围的周边区域(PA1)的热像(温度分布)。特征值运算部(902)从热像算出特征值,特征值与使用了蚀刻液的蚀刻处理所致的蚀刻量相关。蚀刻判定部(9031)基于所算出的特征值来判定蚀刻处理的可否。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN111771261A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN201980014804.8

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 首先,在腔室内执行作为预处理的第一处理。当第一处理结束后,通过热成像照相机(70)来测定腔室内的规定的对象区域(A)的温度。接着,基于所获取的测定温度信息(T1)来判断能否开始对基板(W)的第二处理。结果,在判断为能够开始第二处理的情况下,执行第二处理。如此,能够在腔室内的对象区域(A)的温度稳定的状态下,开始对基板(W)的第二处理。由此,能够对多个基板(W)均匀地进行第二处理。即,能够抑制由腔室内的温度环境引起的处理的不均。

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