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公开(公告)号：CN112840439B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980067612.3
申请日：2019-09-11
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种较佳地进行基板的蚀刻处理的技术。基板保持台(20)将基板(W)保持于既定位置。蚀刻液供给部(37)及喷嘴(30)将蚀刻液供给至既定位置的基板(W)。旋转马达(22)使基板保持台(20)绕既定的旋转轴线(Ax1)进行旋转。热像仪(70)取得腔室(10)内的处理空间(TS1)的基板W配置于既定位置的情况下所占有的基板区域的周围的周边区域(PA1)的热像(温度分布)。特征值运算部(902)从热像算出特征值，特征值与使用了蚀刻液的蚀刻处理所致的蚀刻量相关。蚀刻判定部(9031)基于所算出的特征值来判定蚀刻处理的良否。
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公开(公告)号：CN110785832B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201880041775.X
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 井上正史
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的参数设计支援装置(2)具备有存储部(24)及控制部(25)。存储部(24)存储控制基板处理装置(1)的规程。控制部(25)取得至少一个多个控制因子各自的水准值。水准值表示基板处理装置(1)处理基板(11)时的条件。控制部(25)通过统计方法来生成表示所取得的水准值的组合的组合信息。控制部(25)根据存储于存储部(24)的规程与组合信息，来针对每个水准值的组合制作评估规程。控制部(25)在评估规程包含与控制因子对应的参数的情形时，设定对应的控制因子的水准值，来作为该参数的参数值。
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公开(公告)号：CN108630571A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810167202.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 井上正史
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种处理液供给装置，用于对多个处理部供给处理液。该处理液供给装置具有：处理液槽，用于积存处理液；多个循环配管，分别与所述多个处理部对应设置，并分别使所述处理液槽内的处理液进行循环；供给配管，分支连接到各所述循环配管，并对对应的所述处理部供给处理液；流量检测单元，安装于各所述循环配管，并检测在该循环配管内流经的处理液的流量；流量调节阀，安装于各所述循环配管，并调节该循环配管内的处理液的流量；开度调节单元，基于由安装于各所述循环配管上的所述流量检测单元检测出的处理液的检测流量，调节对应的所述流量调节阀的开度。
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公开(公告)号：CN111771261B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201980014804.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。首先，在腔室内执行作为预处理的第一处理。当第一处理结束后，通过热成像照相机(70)来测定腔室内的规定的对象区域(A)的温度。接着，基于所获取的测定温度信息(T1)来判断能否开始对基板(W)的第二处理。结果，在判断为能够开始第二处理的情况下，执行第二处理。如此，能够在腔室内的对象区域(A)的温度稳定的状态下，开始对基板(W)的第二处理。由此，能够对多个基板(W)均匀地进行第二处理。即，能够抑制由腔室内的温度环境引起的处理的不均。
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公开(公告)号：CN114068351A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110696619.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 井上正史
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置。衬底处理装置(10)具备：衬底处理单元(100)，对衬底(W)进行处理；循环流路(330)，配置有对被供给到衬底处理单元(100)中的处理液进行加热的加热器(313)，且供处理液进行循环；吐出流路(132)，从循环流路(330)分支，使处理液流向衬底处理单元(100)；及阀(136)，配置在吐出流路(132)中。循环流路(330)的一部分沿着吐出流路(132)的一部分配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108257891B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201711406516.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种使用紫外线进行多个处理也能抑制尺寸增加的基板处理装置。基板处理装置具有紫外线照射装置(2)和基板保持装置(31、32)。紫外线照射装置2位于处理室(11、12)的边界，并且能够向处理室(11、12)照射紫外线。基板保持装置31配置于处理室(11)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。基板保持装置(32)配置于处理室(12)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。
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公开(公告)号：CN112106174A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031376.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 井上正史
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 处理液喷出装置(1)具有：判定部(12)，判定开闭阀(72)的关闭速度，该开闭阀(72)用以开闭对喷嘴(251)供给处理液的处理液供给流路；以及拍摄部(65)，在开闭阀(72)将处理液供给流路关闭且停止从喷嘴(251)喷出处理液时，从与处理液的喷出方向不同的方向拍摄喷嘴(251)的前端部的流路以及从该喷嘴(251)的前端沿着处理液的喷出方向朝前方延伸的处理液的喷出路径；判定部(12)依据拍摄部(65)拍摄喷嘴(251)的前端部的流路与喷出路径而得到的原始图像中的喷嘴(251)的前端部的流路以及喷出路径的图像进行规定的判定处理，由此判定开闭阀(72)的关闭速度是否适当或比适当的速度慢还是快的开闭阀(72)的关闭速度的区分。
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公开(公告)号：CN110785832A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880041775.X
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 井上正史
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的参数设计支援装置(2)具备有存储部(24)及控制部(25)。存储部(24)存储控制基板处理装置(1)的规程。控制部(25)取得至少一个多个控制因子各自的水准值。水准值表示基板处理装置(1)处理基板(11)时的条件。控制部(25)通过统计方法来生成表示所取得的水准值的组合的组合信息。控制部(25)根据存储于存储部(24)的规程与组合信息，来针对每个水准值的组合制作评估规程。控制部(25)在评估规程包含与控制因子对应的参数的情形时，设定对应的控制因子的水准值，来作为该参数的参数值。
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公开(公告)号：CN112106174B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201980031376.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 井上正史
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 处理液喷出装置(1)具有：判定部(12)，判定开闭阀(72)的关闭速度，该开闭阀(72)用以开闭对喷嘴(251)供给处理液的处理液供给流路；以及拍摄部(65)，在开闭阀(72)将处理液供给流路关闭且停止从喷嘴(251)喷出处理液时，从与处理液的喷出方向不同的方向拍摄喷嘴(251)的前端部的流路以及从该喷嘴(251)的前端沿着处理液的喷出方向朝前方延伸的处理液的喷出路径；判定部(12)依据拍摄部(65)拍摄喷嘴(251)的前端部的流路与喷出路径而得到的原始图像中的喷嘴(251)的前端部的流路以及喷出路径的图像进行规定的判定处理，由此判定开闭阀(72)的关闭速度是否适当或比适当的速度慢还是快的开闭阀(72)的关闭速度的区分。
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公开(公告)号：CN108257890B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201711404713.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在更短时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。基板处理装置(10)具备基板保持台(1)、紫外线照射机构(2)、筒构件(3)和气体供给机构(41、42)。紫外线照射机构以隔着作用空间(H1)与基板(W1)相对的方式配置，并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面1b)的内表面(3a)，在内表面中的与侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个开口部(31a)。气体供给机构(42)经由至少一个开口部，向基板保持台(1)的侧表面(1b)和筒构件(3)的内表面(3a)之间的空间供给气体。气体供给机构(41)向基板和紫外线照射机构(2)之间的作用空间(H1)供给气体。
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