基板处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号:CN115739522A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202210509128.5

    申请日:2022-05-11

    Abstract: 本发明的课题在于预先防止与狭缝喷嘴一体地下降的喷嘴防护件踩踏突出物而对处理液向基板的涂布带来不良影响的情况。本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。本发明包括:狭缝喷嘴,具有狭缝状的吐出口;移动机构,使狭缝喷嘴相对于基板相对地移动;喷嘴防护件,在狭缝喷嘴通过移动机构而相对于基板相对地行进的喷嘴行进方向上配置于狭缝喷嘴的前方侧,并与狭缝喷嘴一体地移动;升降机构,使狭缝喷嘴与喷嘴防护件一体地升降;以及碰撞探测部,探测通过升降机构下降的喷嘴防护件的前端在基板的表面侧向上方突出并与阻碍处理液的涂布的突出物碰撞。

    涂覆装置以及涂覆方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108525941B

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN201810173071.X

    申请日:2018-03-02

    Abstract: 本发明提供涂覆装置及方法。抑制从涂覆载台的上方向基板的上表面喷出涂覆液进行涂覆后将基板搬运至出口载台时产生涂覆不均。具有:搬运部,保持并搬运基板;喷嘴,向搬运的基板的上表面喷出涂覆液进行涂覆;涂覆载台,配置于喷嘴的下方位置,通过向搬运的基板的下表面喷出第一气体来使基板以水平姿势浮起;出口载台,在搬运基板的搬运方向上,在涂覆载台的下游侧与涂覆载台分离,通过向从涂覆载台搬运的基板的下表面喷出第二气体来使基板以水平姿势浮起;温度控制机构,以与第一气体以及第二气体的温度接近的方式控制夹在缝隙区域和通过缝隙区域的上方搬运的基板的下表面之间的环境的温度,缝隙区域是夹在涂覆载台和出口载台之间的区域。

    涂布装置及涂布方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111545381A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201911172486.6

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明提供一种抑制涂布不均的涂布装置及涂布方法。本发明的课题在于在通过涂布平台而一边使基板以上浮的状态移动一边对所述基板的上表面供给处理液来进行涂布的涂布装置中抑制涂布不均,所述涂布平台包含朝向上方具有气体的喷出口的多个开口部与具有所述气体的抽吸口的多个开口部。涂布上浮区域、上游侧上浮区域及下游侧上浮区域均在水平面内沿与移动方向正交的列方向排列沿着移动方向排列多个开口部而成的开口行而使基板上浮,在涂布上浮区域、上游侧上浮区域及下游侧上浮区域中的至少一个中,针对每个开口行,构成开口行的多个开口部在列方向上分散配置。

    涂覆装置以及涂覆方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108525941A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810173071.X

    申请日:2018-03-02

    Abstract: 本发明提供涂覆装置及方法。抑制从涂覆载台的上方向基板的上表面喷出涂覆液进行涂覆后将基板搬运至出口载台时产生涂覆不均。具有:搬运部,保持并搬运基板;喷嘴,向搬运的基板的上表面喷出涂覆液进行涂覆;涂覆载台,配置于喷嘴的下方位置,通过向搬运的基板的下表面喷出第一气体来使基板以水平姿势浮起;出口载台,在搬运基板的搬运方向上,在涂覆载台的下游侧与涂覆载台分离,通过向从涂覆载台搬运的基板的下表面喷出第二气体来使基板以水平姿势浮起;温度控制机构,以与第一气体以及第二气体的温度接近的方式控制夹在缝隙区域和通过缝隙区域的上方搬运的基板的下表面之间的环境的温度,缝隙区域是夹在涂覆载台和出口载台之间的区域。

    狭缝喷嘴以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN214440464U

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202021265579.1

    申请日:2020-07-02

    Abstract: 本实用新型提供一种可在具有狭缝状的吐出口的狭缝喷嘴、及包括所述狭缝喷嘴并将处理液涂布在基板上的基板处理装置中,比以往更细致地调整吐出口的开口尺寸的技术。本实用新型的狭缝喷嘴包括:喷嘴本体,通过设置在第一唇部的第一平坦面与设置在第二唇部的第二平坦面隔着间隙相向,而形成呈狭缝状地开口的吐出口;多个第一调整机构,沿着吐出口的长边方向排列,分别使第一唇部相对于第二唇部朝接近方向及分离方向位移;以及多个第二调整机构,沿着长边方向、且使长边方向上的配设位置与第一调整机构不同来排列,分别使第二唇部相对于第一唇部朝接近方向及分离方向位移。

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