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公开(公告)号：CN1826299A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200580000713.7
申请日：2005-02-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/20
CPC classification number: C04B35/20 , B32B2315/02 , C03C3/066 , C04B35/462 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3445 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2237/341 , C04B2237/346 , H01G4/1218 , H01G4/129 , H01G4/30 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供用于绝缘性陶瓷层(3)的绝缘体陶瓷组合物，该绝缘性陶瓷层(3)在陶瓷多层模块(1)那样的层叠型陶瓷电子部件所具备的多层陶瓷基板(2)中被层叠，所述绝缘体陶瓷组合物含有以镁橄榄石为主成分的第1陶瓷粉末、由从以CaTiO3、SrTiO3及TiO2中选择的至少一种为主成分的第2陶瓷粉末、硼硅酸玻璃粉末，硼硅酸玻璃粉末以Li2O换算含有3～15重量％锂，以MgO换算含有30～50重量％镁，以B2O3换算含有15～30重量％硼，以SiO2换算含有10～35重量％硅，以ZnO换算含有6～20重量％锌，以及以Al2O3换算含有0～15重量％铝。绝缘体陶瓷组合物能够在1000℃以下的温度下煅烧，其烧结体的介电常数低，共振频率的温度系数小，Q值高。
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公开(公告)号：CN110462826B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780088990.0
申请日：2017-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的功率模块的特征在于具备：功率布线，设置功率元件；玻璃陶瓷多层基板，设置控制上述功率元件的控制元件；以及高导热陶瓷基板，由导热率比上述玻璃陶瓷多层基板所包含的玻璃陶瓷高的陶瓷材料构成，上述功率布线设置在上述高导热陶瓷基板上，在上述高导热陶瓷基板直接设置上述玻璃陶瓷多层基板。
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公开(公告)号：CN110462826A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780088990.0
申请日：2017-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的功率模块的特征在于具备：功率布线，设置功率元件；玻璃陶瓷多层基板，设置控制上述功率元件的控制元件；以及高导热陶瓷基板，由导热率比上述玻璃陶瓷多层基板所包含的玻璃陶瓷高的陶瓷材料构成，上述功率布线设置在上述高导热陶瓷基板上，在上述高导热陶瓷基板直接设置上述玻璃陶瓷多层基板。
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公开(公告)号：CN103460819A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280014693.9
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0298 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/18 , H05K1/0313 , H05K1/09 , H05K1/181 , H05K1/188 , H05K3/4007 , H05K3/4038 , H05K3/4647 , H05K2201/0367 , H05K2201/10674 , H05K2203/0323 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明提供一种包括绝缘层（10）、以及夹着该绝缘层（10）而进行配置的上侧布线图案（11）和下侧布线图案（12）。下侧布线图案（12）向上侧布线图案（11）一侧突出，与和上侧布线图案（11）导通的层间连接导体（12A）形成为一体。层间连接导体（12A）以比绝缘层（10）与上侧布线图案（11）的接合界面要更陷入上侧布线图案（11）一侧的状态，来与上侧布线图案（11）相接合。由此，来提供一种能应对大电流、而不会因裂纹、断线、层间剥离等而使连接可靠性降低的布线基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103081099A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041371.9
申请日：2011-08-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/3735 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/48101 , H01L2224/48157 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/09701 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及具备在动作时会发热的半导体元件和安装该半导体元件的基板的半导体装置，在该半导体装置中，能实现小型化且提高电流强度，并且能通过朝向基板的下表面来实现半导体元件的电连接。通过散热用基板(4)和布线用基板(5)来分担作为基板的功能，其中，该散热用基板(4)具有较高的导热率，且该散热用基板的两个主面(8,13)由电绝缘体来构成，在电绝缘体上形成有外部导体(14)；该布线用基板(5)安装于该散热用基板(4)的上方主面(8)上，且该布线用基板(5)具有比散热用基板(4)低的导热率，在该布线用基板(5)的内部形成有布线导体(18)，该布线导体(18)以银或铜为主要成分且与外部导体(14)电连接。在散热用基板(4)的上方主面(8)上、且在设于布线用基板(5)的通孔(6)内，安装半导体元件(2)。半导体元件(2)具有下表面电极(10)，该下表面电极(10)经由外部导体(14)与布线导体(18)电连接。
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公开(公告)号：CN102753502A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008901.X
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H01B3/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/195 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供表现出高抗弯强度的多层陶瓷基板。作为构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的陶瓷烧结体，使用下述陶瓷烧结体：包含石英、氧化铝、硅钛钡石、硅钡石和钡长石的各结晶相，用粉末X射线衍射分析法在衍射峰角度2θ＝10～40°的范围内测得的上述硅钛钡石的(201)面的衍射峰强度A与上述石英的(110)面的衍射峰强度B的关系为A/B≥2.5。较好是上述硅钛钡石结晶相的平均结晶粒径为5μm以下。在用于获得这种陶瓷烧结体的烧成工序中，将最高温度设在980～1000℃的范围内。
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公开(公告)号：CN101346310B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200680049222.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C01B33/22 , B82Y30/00 , C03C10/0009 , C04B35/20 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3418 , C04B2235/407 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种可以以较低温烧结、可以制造经济上有利的特性良好的镁橄榄石粉末的镁橄榄石粉末的制造方法。混合镁源、硅源和Cu粒子，制作以300～2000wtppm的范围含有Cu粒子的混合粉末，烧成该混合粉末。作为镁源，使用Mg(OH)2，作为硅源，使用SiO2。成为结晶结构为多结晶的镁橄榄石粉末。在溶剂的存在下混合镁源、硅源和Cu粒子，配制混合粉末。另外，以300～2000wtppm的比例含有Cu。粒径成为0.20～0.40μm的范围。另外，构成镁橄榄石的结晶直径成为0.034～0.040μm。
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公开(公告)号：CN1826299B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580000713.7
申请日：2005-02-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/20
CPC classification number: C04B35/20 , B32B2315/02 , C03C3/066 , C04B35/462 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3445 , C04B2235/365 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2237/341 , C04B2237/346 , H01G4/1218 , H01G4/129 , H01G4/30 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供用于绝缘性陶瓷层(3)的绝缘体陶瓷组合物，该绝缘性陶瓷层(3)在陶瓷多层模块(1)那样的层叠型陶瓷电子部件所具备的多层陶瓷基板(2)中被层叠，所述绝缘体陶瓷组合物含有以镁橄榄石为主成分的第1陶瓷粉末、由从以CaTiO3、SrTiO3及TiO2中选择的至少一种为主成分的第2陶瓷粉末、硼硅酸玻璃粉末，硼硅酸玻璃粉末以Li2O换算含有3～15重量％锂，以MgO换算含有30～50重量％镁，以B2O3换算含有15～30重量％硼，以SiO2换算含有10～35重量％硅，以ZnO换算含有6～20重量％锌，以及以Al2O3换算含有0～15重量％铝。绝缘体陶瓷组合物能够在1000℃以下的温度下煅烧，其烧结体的介电常数低，共振频率的温度系数小，Q值高。
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公开(公告)号：CN1183815C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02122822.1
申请日：2002-06-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: B32B18/00 , C03C14/00 , C03C14/004 , C03C2214/00 , C03C2214/20 , C03C2214/30 , C04B35/462 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/6562 , C04B2235/9615 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , H01L21/4867 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了以平坦且烧结收缩率低的状态制造玻璃陶瓷多层基板的方法。该制造方法是将由显现不同烧结收缩行为的第1及第2生料片(2)及(3)层叠而成的未烧结层叠体(6)进行烧结，从而制得玻璃陶瓷多层基板(1)。烧结过程中，将第1及第2生料片(2)及(3)的收缩起始温度(℃)分别设定为TSa及TSb，将收缩量达到第1及第2生料片(2)及(3)在烧结结束时的收缩量的90%时的温度(℃)分别设定为TFa及TFb，且当升温速度为X℃/分钟时，使其满足(TFa+3X)＜TSb或(TFb+3X)＜TSa的关系。
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