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公开(公告)号：CN101567392B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910141769.4
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。
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公开(公告)号：CN111748793B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010211775.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/448 , H05B3/02 , H05B3/12 , H05B3/18 , H05B3/40 , C23C8/34 , B01J27/22 , B01J27/224
Abstract: 本发明提供能够实现长寿命化的电热丝及其制造方法以及使用了电热丝的真空处理装置。本发明的一个方式所涉及的电热丝具有芯材和覆盖层。所述芯材在表面形成有钽的碳化物。所述覆盖层在表面形成有钽的硼化物和硼中的至少一者，覆盖所述芯材的表面。
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公开(公告)号：CN108149226B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201711278236.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/503 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。
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公开(公告)号：CN107429387B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680015597.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。
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公开(公告)号：CN109415800A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039108.3
申请日：2017-07-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636192A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680031933.4
申请日：2016-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的成膜方法和成膜装置。本发明一方式所涉及的成膜方法在维持在减压气氛的腔室内，将基板(W)冷却到第1温度以下，从气体供给部(13)向基板(W)的表面供给原料气体(G)，其中所述原料气体(G)含有能量线硬化性树脂，且在上述第1温度以下能够液化，将掩膜部件(16)与基板(W)的表面相向配置，其中所述掩膜部件(16)被维持在比上述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案，向基板(W)的表面照射能量线。
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公开(公告)号：CN101427609B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780014739.6
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C09K11/565 , H01L27/3267 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供能够由薄膜晶体管驱动且高亮度的显示装置。在基板(111)上形成低电压驱动的无机发光层(121)和控制晶体管(105)，并且由控制晶体管(105)控制施加到无机发光层(121)上的电压。由于无机发光层(121)抗热或抗破坏性强，所以可以由溅射法形成。在同一基板上形成顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置，可以从同一位置放射发光光线。
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公开(公告)号：CN102187010A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140705.0
申请日：2009-10-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。
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公开(公告)号：CN100550426C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580000956.0
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。
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公开(公告)号：CN101395711A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007217.3
申请日：2007-04-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , B65G49/061 , B65G49/066 , B65G49/067 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , C23C14/50 , H01L21/68707 , H01L21/68721 , H01L21/68764 , H01L21/68778
Abstract: 本发明提供与基板的运送姿势无关、在任意面上都能成膜、且可与非成膜面不干涉地支承并运送基板的纵式基板运送装置和成膜装置。本发明的成膜装置(1)，备有可处理基板(W)的任意面地支承着上述基板的托架(15)、变换托架(15)的运送姿势的第1姿势变换部(3)、收容已变换了姿势的托架并将该托架运送到成膜室(10)的运送室(9)。采用上述构造，可以与基板(W)的运送姿势无关地、对任意面实施成膜处理。另外，在基板(W)的运送途中，可以变更成膜面(Wa)。另外，可以使托架(15)不与基板(W)的非成膜面干涉地支承着基板(W)。
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