公开(公告)号：CN104040023B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201380005648.1

申请日：2013-01-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 杨一新 ,  三桥善之 ,  饭岛正行 ,  若松贞次 ,  斋藤和彦 ,  藤井智晴 ,  吉元刚 ,  细矢东豪 ,  广野贵启 ,  林信博 ,  角谷宣昭 ,  砂川直纪 ,  多田勋 ,  平野裕之

IPC: C23C16/44 ,  C23C14/00 ,  C23C14/12 ,  C23C14/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/52 ,  B05D1/34 ,  B05D1/62 ,  C23C14/12 ,  C23C14/562 ,  C23C16/4405

Abstract: 提供对薄层状的成膜对象物体持续成膜，并且能够在使成膜空间与清洗气体气氛分离的状态下清洗放出装置的成膜装置。具有：清洗室(20a～20d)，其构成为若打开闸门(22a～22d)则连接于成膜空间(16)，若关闭闸门(22a～22d)则与成膜空间(16)分离，并且对内部空间放出清洗气体；移动单元(28a～28d)，其使放出装置(13a～13d)在清洗室(20a～20d)内的清洗位置与和清洗位置相比距圆筒部件(12)近的成膜位置之间移动；以及控制装置(18)，其使放出装置(13a～13d)移动至成膜位置时放出原料气体，在使其移动至清洗位置时关闭闸门(22a～22d)并使清洗室(20a～20d)内充满清洗气体。

公开(公告)号：CN104040023A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005648.1

申请日：2013-01-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 杨一新 ,  三桥善之 ,  饭岛正行 ,  若松贞次 ,  斋藤和彦 ,  藤井智晴 ,  吉元刚 ,  细矢东豪 ,  广野贵启 ,  林信博 ,  角谷宣昭 ,  砂川直纪 ,  多田勋 ,  平野裕之

IPC: C23C16/44 ,  C23C14/00 ,  C23C14/12 ,  C23C14/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/52 ,  B05D1/34 ,  B05D1/62 ,  C23C14/12 ,  C23C14/562 ,  C23C16/4405

Abstract: 提供对薄层状的成膜对象物体持续成膜，并且能够在使成膜空间与清洗气体气氛分离的状态下清洗放出装置的成膜装置。具有：清洗室(20a～20d)，其构成为若打开闸门(22a～22d)则连接于成膜空间(16)，若关闭闸门(22a～22d)则与成膜空间(16)分离，并且对内部空间放出清洗气体；移动单元(28a～28d)，其使放出装置(13a～13d)在清洗室(20a～20d)内的清洗位置与和清洗位置相比距圆筒部件(12)近的成膜位置之间移动；以及控制装置(18)，其使放出装置(13a～13d)移动至成膜位置时放出原料气体，在使其移动至清洗位置时关闭闸门(22a～22d)并使清洗室(20a～20d)内充满清洗气体。

公开(公告)号：CN102272896A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004139.3

申请日：2010-01-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  龟崎厚治 ,  菊池正志 ,  神保洋介 ,  江藤谦次 ,  浅利伸 ,  内田宽人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室，由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成，并具有反应室(α)；支撑部(15)，收容在所述反应室(α)内，载置有基板(10)；簇射极板(5)，收容在所述反应室(α)内，以与所述基板(10)对置的方式配置，并向所述基板(101)提供工艺气体；多个气体提供部(8)，被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内，与多个气体导入口(34)分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体；以及电压施加部(33)，在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。

公开(公告)号：CN101567392B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141769.4

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。

公开(公告)号：CN102272897A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004140.6

申请日：2010-01-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  龟崎厚治 ,  菊池正志 ,  神保洋介 ,  江藤谦次 ,  浅利伸 ,  内田宽人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。

公开(公告)号：CN101999173A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200980112428.2

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67781 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。

公开(公告)号：CN1842919A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000956.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。

公开(公告)号：CN102272895A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004120.9

申请日：2010-01-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  龟崎厚治 ,  菊池正志 ,  神保洋介 ,  江藤谦次 ,  浅利伸 ,  内田宽人

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32743 ,  H01J37/32091

Abstract: 该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。

公开(公告)号：CN102272894A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004096.9

申请日：2010-01-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  龟崎厚治 ,  菊池正志 ,  神保洋介 ,  江藤谦次 ,  浅利伸 ,  内田宽人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32467 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。

公开(公告)号：CN102272893A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080003989.1

申请日：2010-01-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  龟崎厚治 ,  菊池正志 ,  神保洋介 ,  江藤谦次 ,  浅利伸 ,  内田宽人

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32091

Abstract: 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。